品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RUS100N02TB
工作温度:150℃
功率:2W
阈值电压:1V@1mA
栅极电荷:24nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2250pF@10V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:12mΩ@10A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ3E100BNTB
工作温度:150℃
功率:2W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1100pF@15V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:10.4mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RCD100N20TL
工作温度:150℃
功率:850mW€20W
阈值电压:5.25V@1mA
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1400pF@25V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:182mΩ@5A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ1E100XNTR
工作温度:150℃
功率:550mW
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:12.7nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1000pF@10V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:10.5mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ3E100GNTB
工作温度:150℃
功率:2W€15W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:7.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:420pF@15V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:11.7mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ3G100GNTB
工作温度:150℃
功率:2W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:8.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:615pF@20V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:14.3mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ3E100GNTB
工作温度:150℃
功率:2W€15W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:7.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:420pF@15V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:11.7mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ3E100GNTB
工作温度:150℃
功率:2W€15W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:7.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:420pF@15V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:11.7mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD13N65M2
工作温度:150℃
功率:110W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:590pF@100V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:430mΩ@5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ3E100GNTB
工作温度:150℃
功率:2W€15W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:7.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:420pF@15V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:11.7mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RCD100N20TL
工作温度:150℃
功率:850mW€20W
阈值电压:5.25V@1mA
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1400pF@25V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:182mΩ@5A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RUS100N02TB
工作温度:150℃
功率:2W
阈值电压:1V@1mA
栅极电荷:24nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2250pF@10V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:12mΩ@10A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ1E100XNTR
工作温度:150℃
功率:550mW
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:12.7nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1000pF@10V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:10.5mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RCD100N20TL
工作温度:150℃
功率:850mW€20W
阈值电压:5.25V@1mA
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1400pF@25V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:182mΩ@5A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ3G100GNTB
工作温度:150℃
功率:2W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:8.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:615pF@20V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:14.3mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RCD100N20TL
工作温度:150℃
功率:850mW€20W
阈值电压:5.25V@1mA
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1400pF@25V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:182mΩ@5A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ1E100XNTR
工作温度:150℃
功率:550mW
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:12.7nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1000pF@10V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:10.5mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RUS100N02TB
工作温度:150℃
功率:2W
阈值电压:1V@1mA
栅极电荷:24nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2250pF@10V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:12mΩ@10A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RD3S100AAFRATL
工作温度:150℃
功率:85W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2000pF@25V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:182mΩ@5A,10V
漏源电压:190V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ1E100XNTR
工作温度:150℃
功率:550mW
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:12.7nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1000pF@10V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:10.5mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RD3P100SNFRATL
工作温度:150℃
功率:20W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:700pF@25V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:133mΩ@5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ3E100GNTB
工作温度:150℃
功率:2W€15W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:7.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:420pF@15V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:11.7mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RSS100N03FRATB
工作温度:150℃
功率:2W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:20nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1070pF@10V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:13.3mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RD3S100AAFRATL
工作温度:150℃
功率:85W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2000pF@25V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:182mΩ@5A,10V
漏源电压:190V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ3E100GNTB
工作温度:150℃
功率:2W€15W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:7.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:420pF@15V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:11.7mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RSS100N03FRATB
工作温度:150℃
功率:2W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:20nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1070pF@10V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:13.3mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RD3S100AAFRATL
工作温度:150℃
功率:85W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2000pF@25V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:182mΩ@5A,10V
漏源电压:190V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ3E100GNTB
工作温度:150℃
功率:2W€15W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:7.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:420pF@15V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:11.7mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RUS100N02TB
工作温度:150℃
功率:2W
阈值电压:1V@1mA
栅极电荷:24nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2250pF@10V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:12mΩ@10A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RD3P100SNFRATL
工作温度:150℃
功率:20W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:700pF@25V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:133mΩ@5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存: