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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RK7002AT116
工作温度：150℃
功率：200mW
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：33pF@10V
连续漏极电流：300mA
类型：N沟道
导通电阻：1Ω@300mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RK7002BMT116
工作温度：150℃
功率：200mW
阈值电压：2.3V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：15pF@25V
连续漏极电流：250mA
类型：N沟道
导通电阻：2.4Ω@250mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS138WT106
工作温度：150℃
功率：200mW
阈值电压：2.3V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：15pF@30V
连续漏极电流：310mA
类型：N沟道
导通电阻：2.4Ω@310mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS138WT106
工作温度：150℃
功率：200mW
阈值电压：2.3V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：15pF@30V
连续漏极电流：310mA
类型：N沟道
导通电阻：2.4Ω@310mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RHK003N06T146
工作温度：150℃
功率：200mW
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：33pF@10V
连续漏极电流：300mA
类型：N沟道
导通电阻：1Ω@300mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS138BKWT106
工作温度：150℃
功率：200mW
阈值电压：2V@10µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：47pF@30V
连续漏极电流：380mA
类型：N沟道
导通电阻：680mΩ@380mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK2731T146
工作温度：150℃
功率：200mW
阈值电压：2.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：25pF@10V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：2.8Ω@100mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RUC002N05T116
工作温度：150℃
功率：200mW
阈值电压：1V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：25pF@10V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：2.2Ω@200mA，4.5V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RK7002BMT116
工作温度：150℃
功率：200mW
阈值电压：2.3V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：15pF@25V
连续漏极电流：250mA
类型：N沟道
导通电阻：2.4Ω@250mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK3018T106
工作温度：150℃
功率：200mW
阈值电压：1.5V@100µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：13pF@5V
连续漏极电流：100mA
类型：N沟道
导通电阻：8Ω@10mA，4V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RUC002N05T116
工作温度：150℃
功率：200mW
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：25pF@10V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：2.2Ω@200mA，4.5V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RK7002BMT116
工作温度：150℃
功率：200mW
阈值电压：2.3V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：15pF@25V
连续漏极电流：250mA
类型：N沟道
导通电阻：2.4Ω@250mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RSU002N06T106
工作温度：150℃
功率：200mW
阈值电压：2.3V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：15pF@25V
连续漏极电流：250mA
类型：N沟道
导通电阻：2.4Ω@250mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RK7002BMT116
工作温度：150℃
功率：200mW
阈值电压：2.3V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：15pF@25V
连续漏极电流：250mA
类型：N沟道
导通电阻：2.4Ω@250mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RU1L002SNTL
工作温度：150℃
功率：200mW
阈值电压：2.3V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：15pF@25V
连续漏极电流：250mA
类型：N沟道
导通电阻：2.4Ω@250mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RU1L002SNTL
工作温度：150℃
功率：200mW
阈值电压：2.3V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：15pF@25V
连续漏极电流：250mA
类型：N沟道
导通电阻：2.4Ω@250mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJK005N03T146
工作温度：150℃
功率：200mW
阈值电压：1.5V@1mA
栅极电荷：4nC@4V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：60pF@10V
连续漏极电流：500mA
类型：N沟道
导通电阻：580mΩ@500mA，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJK005N03T146
工作温度：150℃
功率：200mW
阈值电压：1.5V@1mA
栅极电荷：4nC@4V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：60pF@10V
连续漏极电流：500mA
类型：N沟道
导通电阻：580mΩ@500mA，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RUC002N05T116
工作温度：150℃
功率：200mW
阈值电压：1V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：25pF@10V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：2.2Ω@200mA，4.5V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RHK005N03FRAT146
工作温度：150℃
功率：200mW
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：45pF@10V
连续漏极电流：500mA
类型：N沟道
导通电阻：550mΩ@500mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RK7002BMT116
工作温度：150℃
功率：200mW
阈值电压：2.3V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：15pF@25V
连续漏极电流：250mA
类型：N沟道
导通电阻：2.4Ω@250mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RK7002BMT116
工作温度：150℃
功率：200mW
阈值电压：2.3V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：15pF@25V
连续漏极电流：250mA
类型：N沟道
导通电阻：2.4Ω@250mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RU1L002SNTL
工作温度：150℃
功率：200mW
阈值电压：2.3V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：15pF@25V
连续漏极电流：250mA
类型：N沟道
导通电阻：2.4Ω@250mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RUC002N05T116
工作温度：150℃
功率：200mW
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：25pF@10V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：2.2Ω@200mA，4.5V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：1907
销售单位：个
规格型号(MPN)：RK7002BMT116
工作温度：150℃
功率：200mW
阈值电压：2.3V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：15pF@25V
连续漏极电流：250mA
类型：N沟道
导通电阻：2.4Ω@250mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK1828TE85LF
工作温度：150℃
功率：200mW
阈值电压：1.5V@100µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5.5pF@3V
连续漏极电流：50mA
类型：N沟道
导通电阻：40Ω@10mA，2.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RK7002BMT116
工作温度：150℃
功率：200mW
阈值电压：2.3V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：15pF@25V
连续漏极电流：250mA
类型：N沟道
导通电阻：2.4Ω@250mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RK7002BMT116
工作温度：150℃
功率：200mW
阈值电压：2.3V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：15pF@25V
连续漏极电流：250mA
类型：N沟道
导通电阻：2.4Ω@250mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RHU003N03FRAT106
工作温度：150℃
功率：200mW
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：20pF@10V
连续漏极电流：300mA
类型：N沟道
导通电阻：1.2Ω@300mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RUC002N05T116
工作温度：150℃
功率：200mW
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：25pF@10V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：2.2Ω@200mA，4.5V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
