品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RSL020P03FRATR
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.9nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:350pF@10V
连续漏极电流:2A
类型:P沟道
导通电阻:120mΩ@2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RZR020P01TL
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:1V@1mA
栅极电荷:6.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:770pF@6V
连续漏极电流:2A
类型:P沟道
导通电阻:105mΩ@2A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RTR020N05TL
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:1.5V@1mA
栅极电荷:4.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:200pF@10V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:180mΩ@2A,4.5V
漏源电压:45V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6J412TU,LF
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:1V@1mA
栅极电荷:12.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:840pF@10V
连续漏极电流:4A
类型:P沟道
导通电阻:42.7mΩ@3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ5E035BNTCL
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:250pF@15V
连续漏极电流:3.5A
类型:N沟道
导通电阻:37mΩ@3.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"08+":227394,"17+":18000}
销售单位:个
规格型号(MPN):CPH3348-TL-E
工作温度:150℃
功率:1W
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:405pF@6V
连续漏极电流:3A
类型:P沟道
导通电阻:70mΩ@1.5A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3J356R,LF
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:2V@1mA
栅极电荷:8.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:330pF@10V
连续漏极电流:2A
类型:P沟道
导通电阻:300mΩ@1A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RA1C030LDT5CL
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:1.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:150pF@10V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:140mΩ@3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TT8K1TR
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:1V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:260pF@10V
连续漏极电流:2.5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:72mΩ@2.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):US6M2TR
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:1.5V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:80pF@10V
连续漏极电流:1.5A€1A
类型:N和P沟道
导通电阻:240mΩ@1.5A,4.5V
漏源电压:30V€20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):US6M2TR
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:1.5V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:80pF@10V
连续漏极电流:1.5A€1A
类型:N和P沟道
导通电阻:240mΩ@1.5A,4.5V
漏源电压:30V€20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RA1C030LDT5CL
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:1.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:150pF@10V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:140mΩ@3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ5E035BNTCL
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:250pF@15V
连续漏极电流:3.5A
类型:N沟道
导通电阻:37mΩ@3.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3J374R,LF
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:2V@100µA
栅极电荷:5.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:280pF@15V
连续漏极电流:4A
类型:P沟道
导通电阻:71mΩ@3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CPH3462-TL-W
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:2.6V@1mA
栅极电荷:3.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:155pF@20V
连续漏极电流:1A
类型:N沟道
导通电阻:785mΩ@1A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"12+":110000,"13+":795000}
销售单位:个
规格型号(MPN):SCH1343-TL-H
工作温度:150℃
功率:1W
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1220pF@10V
连续漏极电流:3.5A
类型:P沟道
导通电阻:72mΩ@2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"16+":12886}
销售单位:个
规格型号(MPN):SCH1332-TL-W
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:1.3V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:375pF@10V
连续漏极电流:2.5A
类型:P沟道
导通电阻:95mΩ@1.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":2017}
销售单位:个
规格型号(MPN):VEC2415-TL-W
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:2.6V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:505pF@20V
连续漏极电流:3A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:80mΩ@1.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6N57NU,LF
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:1V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:310pF@10V
连续漏极电流:4A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:46mΩ@2A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ5E025ATTCL
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:2.7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:220pF@15V
连续漏极电流:2.5A
类型:P沟道
导通电阻:91mΩ@2.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3J328R,LF
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:1V@1mA
栅极电荷:12.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:840pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:P沟道
导通电阻:29.8mΩ@3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6N57NU,LF
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:1V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:310pF@10V
连续漏极电流:4A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:46mΩ@2A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RAL045P01TCR
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:1V@1mA
栅极电荷:40nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4200pF@6V
连续漏极电流:4.5A
类型:P沟道
导通电阻:30mΩ@4.5A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ5E035BNTCL
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:250pF@15V
连续漏极电流:3.5A
类型:N沟道
导通电阻:37mΩ@3.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RTR025N05TL
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:1.5V@1mA
栅极电荷:3.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:250pF@10V
连续漏极电流:2.5A
类型:N沟道
导通电阻:130mΩ@2.5A,4.5V
漏源电压:45V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPC8129,LQ(S
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:2V@200µA
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1650pF@10V
连续漏极电流:9A
类型:P沟道
导通电阻:22mΩ@4.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RSL020P03FRATR
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:3.9nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:350pF@10V
连续漏极电流:2A
类型:P沟道
导通电阻:120mΩ@2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RF6E045AJTCR
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:1.5V@1mA
栅极电荷:8.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:900pF@15V
连续漏极电流:4.5A
类型:N沟道
导通电阻:23.7mΩ@4.5A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RZR025P01TL
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:1V@1mA
栅极电荷:13nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1350pF@6V
连续漏极电流:2.5A
类型:P沟道
导通电阻:61mΩ@2.5A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"15+":3781,"17+":21000}
销售单位:个
规格型号(MPN):CPH3457-TL-H
工作温度:150℃
功率:1W
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:265pF@10V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:95mΩ@1.5A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: