采购热线 400-661-9010
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ1E100XNTR
工作温度：150℃
功率：550mW
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：12.7nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1000pF@10V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：10.5mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：QS8J4TR
工作温度：150℃
功率：550mW
阈值电压：2.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：800pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：56mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ1E070RPTR
工作温度：150℃
功率：550mW
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2700pF@10V
连续漏极电流：7A
类型：P沟道
导通电阻：17mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ1E100XNTR
工作温度：150℃
功率：550mW
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：12.7nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1000pF@10V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：10.5mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ1E100XNTR
工作温度：150℃
功率：550mW
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：12.7nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1000pF@10V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：10.5mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ1E100XNTR
工作温度：150℃
功率：550mW
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：12.7nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1000pF@10V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：10.5mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ1E070RPTR
工作温度：150℃
功率：550mW
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：26nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2700pF@10V
连续漏极电流：7A
类型：P沟道
导通电阻：17mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ1E070RPTR
工作温度：150℃
功率：550mW
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：26nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2700pF@10V
连续漏极电流：7A
类型：P沟道
导通电阻：17mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ1E070RPTR
工作温度：150℃
功率：550mW
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：26nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2700pF@10V
连续漏极电流：7A
类型：P沟道
导通电阻：17mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ1E070RPTR
工作温度：150℃
功率：550mW
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：26nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2700pF@10V
连续漏极电流：7A
类型：P沟道
导通电阻：17mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：QS8J4TR
工作温度：150℃
功率：550mW
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：800pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：56mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ1E070RPTR
工作温度：150℃
功率：550mW
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2700pF@10V
连续漏极电流：7A
类型：P沟道
导通电阻：17mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：QS8K21TR
工作温度：150℃
功率：550mW
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：460pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：53mΩ@4A，10V
漏源电压：45V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：QS8J4TR
工作温度：150℃
功率：550mW
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：800pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：56mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ1E070RPTR
工作温度：150℃
功率：550mW
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2700pF@10V
连续漏极电流：7A
类型：P沟道
导通电阻：17mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ1E100XNTR
工作温度：150℃
功率：550mW
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：12.7nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1000pF@10V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：10.5mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：QS8K21TR
工作温度：150℃
功率：550mW
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：460pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：53mΩ@4A，10V
漏源电压：45V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：QS8K21TR
工作温度：150℃
功率：550mW
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：460pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：53mΩ@4A，10V
漏源电压：45V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ1E070RPTR
工作温度：150℃
功率：550mW
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2700pF@10V
连续漏极电流：7A
类型：P沟道
导通电阻：17mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：QS8J4TR
工作温度：150℃
功率：550mW
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：800pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：56mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：QS8J4TR
工作温度：150℃
功率：550mW
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：800pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：56mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：QS8K21TR
工作温度：150℃
功率：550mW
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：460pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：53mΩ@4A，10V
漏源电压：45V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：QS8K13TCR
工作温度：150℃
功率：550mW
阈值电压：2.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：390pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：28mΩ@6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：QS8J4TR
工作温度：150℃
功率：550mW
阈值电压：2.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：800pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：56mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ1E070RPTR
工作温度：150℃
功率：550mW
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：26nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2700pF@10V
连续漏极电流：7A
类型：P沟道
导通电阻：17mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ1E070RPTR
工作温度：150℃
功率：550mW
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：26nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2700pF@10V
连续漏极电流：7A
类型：P沟道
导通电阻：17mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ1E100XNTR
工作温度：150℃
功率：550mW
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：12.7nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1000pF@10V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：10.5mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ1E100XNTR
工作温度：150℃
功率：550mW
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：12.7nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1000pF@10V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：10.5mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ1E070RPTR
工作温度：150℃
功率：550mW
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：26nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2700pF@10V
连续漏极电流：7A
类型：P沟道
导通电阻：17mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ1E070RPTR
工作温度：150℃
功率：550mW
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：26nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2700pF@10V
连续漏极电流：7A
类型：P沟道
导通电阻：17mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
