品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NP100P06PDG-E1-AY
工作温度:175℃
功率:1.8W€200W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:300nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:15000pF@10V
连续漏极电流:100A
类型:P沟道
导通电阻:6mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NP36P06KDG-E1-AY
工作温度:175℃
功率:1.8W€56W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:54nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3100pF@10V
连续漏极电流:36A
类型:P沟道
导通电阻:29.5mΩ@18A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NP100P06PDG-E1-AY
工作温度:175℃
功率:1.8W€200W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:300nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:15000pF@10V
连续漏极电流:100A
类型:P沟道
导通电阻:6mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NP100P04PLG-E1-AY
工作温度:175℃
功率:1.8W€200W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:320nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:15100pF@10V
连续漏极电流:100A
类型:P沟道
导通电阻:3.7mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
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规格型号(MPN):NP100P04PLG-E1-AY
工作温度:175℃
功率:1.8W€200W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:320nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:15100pF@10V
连续漏极电流:100A
类型:P沟道
导通电阻:3.7mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NP36P06KDG-E1-AY
工作温度:175℃
功率:1.8W€56W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:54nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3100pF@10V
连续漏极电流:36A
类型:P沟道
导通电阻:29.5mΩ@18A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
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规格型号(MPN):NP100P04PDG-E1-AY
工作温度:175℃
功率:1.8W€200W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:320nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:15100pF@10V
连续漏极电流:100A
类型:P沟道
导通电阻:3.5mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NP100P04PDG-E1-AY
工作温度:175℃
功率:1.8W€200W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:320nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:15100pF@10V
连续漏极电流:100A
类型:P沟道
导通电阻:3.5mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
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规格型号(MPN):NP100P04PLG-E1-AY
工作温度:175℃
功率:1.8W€200W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:320nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:15100pF@10V
连续漏极电流:100A
类型:P沟道
导通电阻:3.7mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NP100P06PDG-E1-AY
工作温度:175℃
功率:1.8W€200W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:300nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:15000pF@10V
连续漏极电流:100A
类型:P沟道
导通电阻:6mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NP36P06KDG-E1-AY
工作温度:175℃
功率:1.8W€56W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:54nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3100pF@10V
连续漏极电流:36A
类型:P沟道
导通电阻:29.5mΩ@18A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NP50P06KDG-E1-AY
工作温度:175℃
功率:1.8W€90W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:95nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5000pF@10V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:17mΩ@25A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NP100P04PDG-E1-AY
工作温度:175℃
功率:1.8W€200W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:320nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:15100pF@10V
连续漏极电流:100A
类型:P沟道
导通电阻:3.5mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NP100P06PDG-E1-AY
工作温度:175℃
功率:1.8W€200W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:300nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:15000pF@10V
连续漏极电流:100A
类型:P沟道
导通电阻:6mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NP36P06KDG-E1-AY
工作温度:175℃
功率:1.8W€56W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:54nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3100pF@10V
连续漏极电流:36A
类型:P沟道
导通电阻:29.5mΩ@18A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NP50P06KDG-E1-AY
工作温度:175℃
功率:1.8W€90W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:95nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5000pF@10V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:17mΩ@25A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NP83P06PDG-E1-AY
工作温度:175℃
功率:1.8W€150W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:190nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:10100pF@10V
连续漏极电流:83A
类型:P沟道
导通电阻:8.8mΩ@41.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NP100P04PDG-E1-AY
工作温度:175℃
功率:1.8W€200W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:320nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:15100pF@10V
连续漏极电流:100A
类型:P沟道
导通电阻:3.5mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NP36P06KDG-E1-AY
工作温度:175℃
功率:1.8W€56W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:54nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3100pF@10V
连续漏极电流:36A
类型:P沟道
导通电阻:29.5mΩ@18A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NP100P06PDG-E1-AY
工作温度:175℃
功率:1.8W€200W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:300nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:15000pF@10V
连续漏极电流:100A
类型:P沟道
导通电阻:6mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NP36P06KDG-E1-AY
工作温度:175℃
功率:1.8W€56W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:54nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3100pF@10V
连续漏极电流:36A
类型:P沟道
导通电阻:29.5mΩ@18A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NP100P04PDG-E1-AY
工作温度:175℃
功率:1.8W€200W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:320nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:15100pF@10V
连续漏极电流:100A
类型:P沟道
导通电阻:3.5mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NP100P04PDG-E1-AY
工作温度:175℃
功率:1.8W€200W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:320nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:15100pF@10V
连续漏极电流:100A
类型:P沟道
导通电阻:3.5mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NP100P04PDG-E1-AY
工作温度:175℃
功率:1.8W€200W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:320nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:15100pF@10V
连续漏极电流:100A
类型:P沟道
导通电阻:3.5mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NP83P06PDG-E1-AY
工作温度:175℃
功率:1.8W€150W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:190nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:10100pF@10V
连续漏极电流:83A
类型:P沟道
导通电阻:8.8mΩ@41.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NP50P06KDG-E1-AY
工作温度:175℃
功率:1.8W€90W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:95nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5000pF@10V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:17mΩ@25A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NP100P04PDG-E1-AY
工作温度:175℃
功率:1.8W€200W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:320nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:15100pF@10V
连续漏极电流:100A
类型:P沟道
导通电阻:3.5mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NP36P06KDG-E1-AY
工作温度:175℃
功率:1.8W€56W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:54nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3100pF@10V
连续漏极电流:36A
类型:P沟道
导通电阻:29.5mΩ@18A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NP100P06PDG-E1-AY
工作温度:175℃
功率:1.8W€200W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:300nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:15000pF@10V
连续漏极电流:100A
类型:P沟道
导通电阻:6mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NP50P06KDG-E1-AY
工作温度:175℃
功率:1.8W€90W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:95nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5000pF@10V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:17mΩ@25A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
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