采购热线 400-661-9010
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：3042}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK963R2-40B，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：93.4nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10502pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2.8mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TP2104N3-G-P003
工作温度：-55℃~150℃
功率：740mW
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：60pF@25V
连续漏极电流：175mA
类型：P沟道
导通电阻：6Ω@500mA，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：800}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK9609-40B，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：157W
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3600pF@25V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TP2104K1-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
阈值电压：2V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：60pF@25V
连续漏极电流：160mA
类型：P沟道
导通电阻：6Ω@500mA，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK964R4-40B，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：254W
阈值电压：2V@1mA
栅极电荷：64nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7124pF@25V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：3042}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK963R2-40B，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：93.4nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10502pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2.8mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TP2104K1-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
阈值电压：2V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：60pF@25V
连续漏极电流：160mA
类型：P沟道
导通电阻：6Ω@500mA，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK9Y14-40B，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：85W
阈值电压：2V@1mA
栅极电荷：21nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1800pF@25V
连续漏极电流：56A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TP2104K1-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：60pF@25V
连续漏极电流：160mA
类型：P沟道
导通电阻：6Ω@500mA，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：17770，"18+"：800}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK964R4-40B，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：254W
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：64nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7124pF@25V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK9Y14-40B，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：85W
阈值电压：2V@1mA
栅极电荷：21nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1800pF@25V
连续漏极电流：56A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TJ90S04M3L，LXHQ
工作温度：175℃
功率：180W
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：172nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7700pF@10V
连续漏极电流：90A
类型：P沟道
导通电阻：4.3mΩ@45A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：17770，"18+"：800}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK964R4-40B，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：254W
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：64nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7124pF@25V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK964R4-40B，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：254W
阈值电压：2V@1mA
栅极电荷：64nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7124pF@25V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK9Y14-40B，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：85W
阈值电压：2V@1mA
栅极电荷：21nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1800pF@25V
连续漏极电流：56A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK9Y14-40B，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：85W
阈值电压：2V@1mA
栅极电荷：21nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1800pF@25V
连续漏极电流：56A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK9Y14-40B，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：85W
阈值电压：2V@1mA
栅极电荷：21nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1800pF@25V
连续漏极电流：56A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TJ90S04M3L，LXHQ
工作温度：175℃
功率：180W
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：172nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7700pF@10V
连续漏极电流：90A
类型：P沟道
导通电阻：4.3mΩ@45A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TJ90S04M3L，LXHQ
工作温度：175℃
功率：180W
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：172nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7700pF@10V
连续漏极电流：90A
类型：P沟道
导通电阻：4.3mΩ@45A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TP2104K1-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
阈值电压：2V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：60pF@25V
连续漏极电流：160mA
类型：P沟道
导通电阻：6Ω@500mA，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TP2104N3-G-P003
工作温度：-55℃~150℃
功率：740mW
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：60pF@25V
连续漏极电流：175mA
类型：P沟道
导通电阻：6Ω@500mA，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：3042}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK963R2-40B，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：93.4nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10502pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2.8mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：17770，"18+"：800}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK964R4-40B，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：254W
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：64nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7124pF@25V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：3042}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK963R2-40B，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：93.4nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10502pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2.8mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TP2104K1-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：60pF@25V
连续漏极电流：160mA
类型：P沟道
导通电阻：6Ω@500mA，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：17770，"18+"：800}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK964R4-40B，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：254W
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：64nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7124pF@25V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TJ90S04M3L，LXHQ
工作温度：175℃
功率：180W
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：172nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7700pF@10V
连续漏极电流：90A
类型：P沟道
导通电阻：4.3mΩ@45A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TP2104K1-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：60pF@25V
连续漏极电流：160mA
类型：P沟道
导通电阻：6Ω@500mA，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK9Y14-40B，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：85W
阈值电压：2V@1mA
栅极电荷：21nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1800pF@25V
连续漏极电流：56A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK9Y14-40B，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：85W
阈值电压：2V@1mA
栅极电荷：21nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1800pF@25V
连续漏极电流：56A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
