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    包装方式: 卷带(TR)
    行业应用: 工业
    阈值电压: 1V@250µA
    工作温度: -55℃~150℃
    连续漏极电流: 2.7A
    当前匹配商品:70+
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    操作
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN7A11GTA
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN7A11GTA

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMN7A11GTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:7.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:298pF@40V

    连续漏极电流:2.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:130mΩ@4.4A,10V

    漏源电压:70V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:6
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1467DH-T1-E3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1467DH-T1-E3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1467DH-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W€2.78W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:13.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:561pF@10V

    连续漏极电流:2.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:90mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    DIODES Mosfet场效应管 DMG2301U-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMG2301U-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:21+

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG2301U-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:800mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:6.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:608pF@6V

    连续漏极电流:2.7A

    类型:P-Channel

    导通电阻:130mΩ@2.8A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    DIODES Mosfet场效应管 DMG2301U-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMG2301U-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG2301U-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:800mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:6.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:608pF@6V

    连续漏极电流:2.7A

    类型:P-Channel

    导通电阻:130mΩ@2.8A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:40
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMFPB8032XP,115
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMFPB8032XP,115

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"17+":2200,"20+":3000,"22+":24000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMFPB8032XP,115

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:485mW€6.25W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:550pF@10V

    连续漏极电流:2.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:102mΩ@2.7A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3038
    DIODES Mosfet场效应管 DMG2301U-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMG2301U-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG2301U-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:800mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:6.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:608pF@6V

    连续漏极电流:2.7A

    类型:P-Channel

    导通电阻:130mΩ@2.8A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:8
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP6A17DN8TA
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP6A17DN8TA

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):500psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMP6A17DN8TA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.81W

    阈值电压:1V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:637pF@30V

    连续漏极电流:2.7A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:125mΩ@2.3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5
    onsemi Mosfet场效应管 NTLJS4149PTBG
    onsemi Mosfet场效应管 NTLJS4149PTBG

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"08+":307000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTLJS4149PTBG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:960pF@15V

    连续漏极电流:2.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:62mΩ@4.5A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1188
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1467DH-T1-E3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1467DH-T1-E3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1467DH-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W€2.78W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:13.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:561pF@10V

    连续漏极电流:2.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:90mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN7A11GTA
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN7A11GTA

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMN7A11GTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:7.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:298pF@40V

    连续漏极电流:2.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:130mΩ@4.4A,10V

    漏源电压:70V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:50
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1467DH-T1-E3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1467DH-T1-E3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1467DH-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W€2.78W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:13.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:561pF@10V

    连续漏极电流:2.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:90mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN7A11GTA
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN7A11GTA

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMN7A11GTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:7.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:298pF@40V

    连续漏极电流:2.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:130mΩ@4.4A,10V

    漏源电压:70V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP6A17DN8TA
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP6A17DN8TA

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):500psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMP6A17DN8TA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.81W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:637pF@30V

    连续漏极电流:2.7A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:125mΩ@2.3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2500
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1467DH-T1-E3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1467DH-T1-E3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1467DH-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W€2.78W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:13.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:561pF@10V

    连续漏极电流:2.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:90mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    DIODES Mosfet场效应管 DMG2301U-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMG2301U-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG2301U-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:800mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:608pF@6V

    连续漏极电流:2.7A

    类型:P-Channel

    导通电阻:130mΩ@2.8A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN6A11ZTA 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN6A11ZTA 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMN6A11ZTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:5.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:330pF@40V

    连续漏极电流:2.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:120mΩ@2.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN7A11GTA
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN7A11GTA

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMN7A11GTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:7.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:298pF@40V

    连续漏极电流:2.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:130mΩ@4.4A,10V

    漏源电压:70V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMFPB8032XP,115
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMFPB8032XP,115

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMFPB8032XP,115

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:485mW€6.25W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:550pF@10V

    连续漏极电流:2.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:102mΩ@2.7A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN7A11GTA
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN7A11GTA

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMN7A11GTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:7.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:298pF@40V

    连续漏极电流:2.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:130mΩ@4.4A,10V

    漏源电压:70V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN7A11GTA
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN7A11GTA

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMN7A11GTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:7.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:298pF@40V

    连续漏极电流:2.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:130mΩ@4.4A,10V

    漏源电压:70V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN7A11GTA
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN7A11GTA

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMN7A11GTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:7.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:298pF@40V

    连续漏极电流:2.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:130mΩ@4.4A,10V

    漏源电压:70V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    DIODES Mosfet场效应管 DMG2301U-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMG2301U-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG2301U-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:800mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:608pF@6V

    连续漏极电流:2.7A

    类型:P-Channel

    导通电阻:130mΩ@2.8A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1467DH-T1-E3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1467DH-T1-E3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1467DH-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W€2.78W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:13.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:561pF@10V

    连续漏极电流:2.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:90mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    DIODES Mosfet场效应管 DMG2301U-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMG2301U-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG2301U-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:800mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:6.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:608pF@6V

    连续漏极电流:2.7A

    类型:P-Channel

    导通电阻:130mΩ@2.8A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:15
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP6A17DN8TA
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP6A17DN8TA

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):500psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMP6A17DN8TA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.81W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:637pF@30V

    连续漏极电流:2.7A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:125mΩ@2.3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP6A17DN8TA 起订50个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP6A17DN8TA 起订50个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):500psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMP6A17DN8TA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.81W

    阈值电压:1V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:637pF@30V

    连续漏极电流:2.7A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:125mΩ@2.3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1467DH-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1467DH-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1467DH-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W€2.78W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:13.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:561pF@10V

    连续漏极电流:2.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:90mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN7A11GTA
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN7A11GTA

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMN7A11GTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:7.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:298pF@40V

    连续漏极电流:2.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:130mΩ@4.4A,10V

    漏源电压:70V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5000
    DIODES Mosfet场效应管 DMG2301U-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMG2301U-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG2301U-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:800mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:608pF@6V

    连续漏极电流:2.7A

    类型:P-Channel

    导通电阻:130mΩ@2.8A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:9000
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN7A11GTA
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN7A11GTA

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMN7A11GTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:7.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:298pF@40V

    连续漏极电流:2.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:130mΩ@4.4A,10V

    漏源电压:70V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5
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