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    包装方式: 卷带(TR)
    行业应用: 工业
    阈值电压: 4V@250µA
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    功率: 310W
    当前匹配商品:80+
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    onsemi Mosfet场效应管 FDB3632
    onsemi Mosfet场效应管 FDB3632

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB3632

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:310W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6000pF@25V

    连续漏极电流:12A€80A

    类型:N沟道

    导通电阻:9mΩ@80A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:800
    加购:800
    onsemi Mosfet场效应管 FDB3632-F085
    onsemi Mosfet场效应管 FDB3632-F085

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":388}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB3632-F085

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:310W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6000pF@25V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:9mΩ@80A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:67
    onsemi Mosfet场效应管 FDB2532 起订800个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDB2532 起订800个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB2532

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:310W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:107nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5870pF@25V

    连续漏极电流:8A€79A

    类型:N沟道

    导通电阻:16mΩ@33A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:800
    onsemi Mosfet场效应管 FDB045AN08A0
    onsemi Mosfet场效应管 FDB045AN08A0

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB045AN08A0

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:310W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:138nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6600pF@25V

    连续漏极电流:19A€90A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.5mΩ@80A,10V

    漏源电压:75V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:800
    加购:800
    onsemi Mosfet场效应管 FDB3632
    onsemi Mosfet场效应管 FDB3632

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB3632

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:310W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6000pF@25V

    连续漏极电流:12A€80A

    类型:N沟道

    导通电阻:9mΩ@80A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDB2532
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDB2532

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB2532

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:310W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:107nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5870pF@25V

    连续漏极电流:8A€79A

    类型:N沟道

    导通电阻:16mΩ@33A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STB140NF75T4
    ST Mosfet场效应管 STB140NF75T4

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STB140NF75T4

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:310W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:218nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5000pF@25V

    连续漏极电流:120A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.5mΩ@70A,10V

    漏源电压:75V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    onsemi Mosfet场效应管 FDB2532
    onsemi Mosfet场效应管 FDB2532

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB2532

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:310W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:107nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5870pF@25V

    连续漏极电流:8A€79A

    类型:N沟道

    导通电阻:16mΩ@33A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:25
    onsemi Mosfet场效应管 HUFA75645S3S
    onsemi Mosfet场效应管 HUFA75645S3S

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):HUFA75645S3S

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:310W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:238nC@20V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3790pF@25V

    连续漏极电流:75A

    类型:N沟道

    导通电阻:14mΩ@75A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    onsemi Mosfet场效应管 FDB2532
    onsemi Mosfet场效应管 FDB2532

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB2532

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:310W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:107nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5870pF@25V

    连续漏极电流:8A€79A

    类型:N沟道

    导通电阻:16mΩ@33A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5
    ST Mosfet场效应管 STB140NF75T4
    ST Mosfet场效应管 STB140NF75T4

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STB140NF75T4

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:310W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:218nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5000pF@25V

    连续漏极电流:120A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.5mΩ@70A,10V

    漏源电压:75V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:4000
    ST Mosfet场效应管 STB140NF75T4
    ST Mosfet场效应管 STB140NF75T4

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STB140NF75T4

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:310W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:218nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5000pF@25V

    连续漏极电流:120A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.5mΩ@70A,10V

    漏源电压:75V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2000
    加购:1000
    onsemi Mosfet场效应管 FDB3632
    onsemi Mosfet场效应管 FDB3632

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB3632

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:310W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6000pF@25V

    连续漏极电流:12A€80A

    类型:N沟道

    导通电阻:9mΩ@80A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    onsemi Mosfet场效应管 FDB3632
    onsemi Mosfet场效应管 FDB3632

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB3632

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:310W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6000pF@25V

    连续漏极电流:12A€80A

    类型:N沟道

    导通电阻:9mΩ@80A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    onsemi Mosfet场效应管 FDB045AN08A0-F085
    onsemi Mosfet场效应管 FDB045AN08A0-F085

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"19+":680,"21+":146,"22+":800}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB045AN08A0-F085

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:310W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:138nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6600pF@25V

    连续漏极电流:19A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.5mΩ@80A,10V

    漏源电压:75V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    ST Mosfet场效应管 STB140NF75T4
    ST Mosfet场效应管 STB140NF75T4

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STB140NF75T4

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:310W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:218nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5000pF@25V

    连续漏极电流:120A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.5mΩ@70A,10V

    漏源电压:75V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3000
    onsemi Mosfet场效应管 FDB2532
    onsemi Mosfet场效应管 FDB2532

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB2532

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:310W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:107nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5870pF@25V

    连续漏极电流:8A€79A

    类型:N沟道

    导通电阻:16mΩ@33A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    onsemi Mosfet场效应管 FDB045AN08A0 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDB045AN08A0 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB045AN08A0

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:310W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:138nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6600pF@25V

    连续漏极电流:19A€90A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.5mΩ@80A,10V

    漏源电压:75V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    onsemi Mosfet场效应管 FDB2532-F085
    onsemi Mosfet场效应管 FDB2532-F085

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"19+":192,"20+":284}

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB2532-F085

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:310W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:107nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5870pF@25V

    连续漏极电流:79A

    类型:N沟道

    导通电阻:16mΩ@33A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    onsemi Mosfet场效应管 FDB045AN08A0
    onsemi Mosfet场效应管 FDB045AN08A0

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB045AN08A0

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:310W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:138nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6600pF@25V

    连续漏极电流:19A€90A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.5mΩ@80A,10V

    漏源电压:75V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1600
    加购:800
    onsemi Mosfet场效应管 FDB3632
    onsemi Mosfet场效应管 FDB3632

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB3632

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:310W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6000pF@25V

    连续漏极电流:12A€80A

    类型:N沟道

    导通电阻:9mΩ@80A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2400
    加购:800
    onsemi Mosfet场效应管 FDB3632
    onsemi Mosfet场效应管 FDB3632

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB3632

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:310W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6000pF@25V

    连续漏极电流:12A€80A

    类型:N沟道

    导通电阻:9mΩ@80A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDB2532
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDB2532

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB2532

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:310W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:107nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5870pF@25V

    连续漏极电流:8A€79A

    类型:N沟道

    导通电阻:16mΩ@33A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    ST Mosfet场效应管 STB140NF75T4
    ST Mosfet场效应管 STB140NF75T4

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STB140NF75T4

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:310W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:218nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5000pF@25V

    连续漏极电流:120A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.5mΩ@70A,10V

    漏源电压:75V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    ST Mosfet场效应管 STB140NF75T4
    ST Mosfet场效应管 STB140NF75T4

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STB140NF75T4

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:310W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:218nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5000pF@25V

    连续漏极电流:120A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.5mΩ@70A,10V

    漏源电压:75V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2000
    onsemi Mosfet场效应管 FDB3632
    onsemi Mosfet场效应管 FDB3632

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB3632

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:310W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6000pF@25V

    连续漏极电流:12A€80A

    类型:N沟道

    导通电阻:9mΩ@80A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2400
    加购:800
    ST Mosfet场效应管 STB140NF75T4
    ST Mosfet场效应管 STB140NF75T4

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STB140NF75T4

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:310W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:218nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5000pF@25V

    连续漏极电流:120A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.5mΩ@70A,10V

    漏源电压:75V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    onsemi Mosfet场效应管 FDB3632-F085 起订300个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDB3632-F085 起订300个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB3632-F085

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:310W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6000pF@25V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:9mΩ@80A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:300
    onsemi Mosfet场效应管 FDB2532 起订6400个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDB2532 起订6400个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB2532

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:310W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:107nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5870pF@25V

    连续漏极电流:8A€79A

    类型:N沟道

    导通电阻:16mΩ@33A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:6400
    加购:800
    onsemi Mosfet场效应管 FDB2532-F085 起订300个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDB2532-F085 起订300个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB2532-F085

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:310W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:107nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5870pF@25V

    连续漏极电流:79A

    类型:N沟道

    导通电阻:16mΩ@33A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:300
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