品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB03N03LB G
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:2V@100µA
栅极电荷:59nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7624pF@15V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:2.8mΩ@55A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB03N03LB G
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:2V@100µA
栅极电荷:59nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7624pF@15V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:2.8mΩ@55A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3J374R,LF
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:2V@100µA
栅极电荷:5.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:280pF@15V
连续漏极电流:4A
类型:P沟道
导通电阻:71mΩ@3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6J808R,LF
工作温度:150℃
功率:1.5W
阈值电压:2V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1020pF@10V
连续漏极电流:7A
类型:P沟道
导通电阻:35mΩ@2.5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6J808R,LXHF
工作温度:150℃
功率:1.5W
阈值电压:2V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1020pF@10V
连续漏极电流:7A
类型:P沟道
导通电阻:35mΩ@2.5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3J374R,LF
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:2V@100µA
栅极电荷:5.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:280pF@15V
连续漏极电流:4A
类型:P沟道
导通电阻:71mΩ@3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3J374R,LF
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:2V@100µA
栅极电荷:5.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:280pF@15V
连续漏极电流:4A
类型:P沟道
导通电阻:71mΩ@3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"10+":863,"11+":2500,"14+":49000}
销售单位:个
规格型号(MPN):BSO303SPNTMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.35W
阈值电压:2V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:69nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1754pF@25V
连续漏极电流:8.9A
类型:P沟道
导通电阻:21mΩ@8.9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3J374R,LF
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:2V@100µA
栅极电荷:5.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:280pF@15V
连续漏极电流:4A
类型:P沟道
导通电阻:71mΩ@3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3J374R,LF
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:2V@100µA
栅极电荷:5.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:280pF@15V
连续漏极电流:4A
类型:P沟道
导通电阻:71mΩ@3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3J374R,LF
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:2V@100µA
栅极电荷:5.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:280pF@15V
连续漏极电流:4A
类型:P沟道
导通电阻:71mΩ@3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3J374R,LF
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:2V@100µA
栅极电荷:5.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:280pF@15V
连续漏极电流:4A
类型:P沟道
导通电阻:71mΩ@3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6J808R,LXHF
工作温度:150℃
功率:1.5W
阈值电压:2V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1020pF@10V
连续漏极电流:7A
类型:P沟道
导通电阻:35mΩ@2.5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6J808R,LF
工作温度:150℃
功率:1.5W
阈值电压:2V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1020pF@10V
连续漏极电流:7A
类型:P沟道
导通电阻:35mΩ@2.5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3J334R,LF
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:2V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:280pF@15V
连续漏极电流:4A
类型:P沟道
导通电阻:71mΩ@3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6J808R,LXHF
工作温度:150℃
功率:1.5W
阈值电压:2V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1020pF@10V
连续漏极电流:7A
类型:P沟道
导通电阻:35mΩ@2.5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB03N03LB G
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:2V@100µA
栅极电荷:59nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7624pF@15V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:2.8mΩ@55A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3J334R,LF
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:2V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:280pF@15V
连续漏极电流:4A
类型:P沟道
导通电阻:71mΩ@3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6J808R,LXHF
工作温度:150℃
功率:1.5W
阈值电压:2V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1020pF@10V
连续漏极电流:7A
类型:P沟道
导通电阻:35mΩ@2.5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6J808R,LXHF
工作温度:150℃
功率:1.5W
阈值电压:2V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1020pF@10V
连续漏极电流:7A
类型:P沟道
导通电阻:35mΩ@2.5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3J334R,LF
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:2V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:280pF@15V
连续漏极电流:4A
类型:P沟道
导通电阻:71mΩ@3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6J808R,LXHF
工作温度:150℃
功率:1.5W
阈值电压:2V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1020pF@10V
连续漏极电流:7A
类型:P沟道
导通电阻:35mΩ@2.5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB03N03LB G
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:2V@100µA
栅极电荷:59nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7624pF@15V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:2.8mΩ@55A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3J334R,LF
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:2V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:280pF@15V
连续漏极电流:4A
类型:P沟道
导通电阻:71mΩ@3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3J334R,LF
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:2V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:280pF@15V
连续漏极电流:4A
类型:P沟道
导通电阻:71mΩ@3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6J808R,LXHF
工作温度:150℃
功率:1.5W
阈值电压:2V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1020pF@10V
连续漏极电流:7A
类型:P沟道
导通电阻:35mΩ@2.5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6J808R,LF
工作温度:150℃
功率:1.5W
阈值电压:2V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1020pF@10V
连续漏极电流:7A
类型:P沟道
导通电阻:35mΩ@2.5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"10+":863,"11+":2500,"14+":49000}
销售单位:个
规格型号(MPN):BSO303SPNTMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.35W
阈值电压:2V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:69nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1754pF@25V
连续漏极电流:8.9A
类型:P沟道
导通电阻:21mΩ@8.9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6J808R,LXHF
工作温度:150℃
功率:1.5W
阈值电压:2V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1020pF@10V
连续漏极电流:7A
类型:P沟道
导通电阻:35mΩ@2.5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"03+":5000}
销售单位:个
规格型号(MPN):SPD100N03S2L-04
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:2V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:89.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3320pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4.2mΩ@50A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: