品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7456CDP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€35.7W
阈值电压:2.8V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:730pF@50V
连续漏极电流:27.5A
类型:N沟道
导通电阻:23.5mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7456DDP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€35.7W
阈值电压:2.8V@250µA
栅极电荷:29.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:900pF@50V
连续漏极电流:27.8A
类型:N沟道
导通电阻:23mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT10H072LFV-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:2.8V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:228pF@50V
连续漏极电流:4.7A€20A
类型:N沟道
导通电阻:62mΩ@4.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4056DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€5.7W
阈值电压:2.8V@250µA
栅极电荷:29.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:900pF@50V
连续漏极电流:11.1A
类型:N沟道
导通电阻:23mΩ@15A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AON2290
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.8W
阈值电压:2.8V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:415pF@50V
连续漏极电流:4.5A
类型:N沟道
导通电阻:72mΩ@4.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR882ADP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.4W€83W
阈值电压:2.8V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1975pF@50V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:8.7mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS123-TP
工作温度:-55℃~150℃
功率:350mW
阈值电压:2.8V@250µA
栅极电荷:2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:60pF@25V
类型:N沟道
导通电阻:6Ω@170mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO4892
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:2.8V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:415pF@50V
连续漏极电流:4A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:68mΩ@4A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDT1600N10ALZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:10.42W
阈值电压:2.8V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.77nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:225pF@50V
连续漏极电流:5.6A
类型:N沟道
导通电阻:160mΩ@2.8A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDT1600N10ALZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:10.42W
阈值电压:2.8V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.77nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:225pF@50V
连续漏极电流:5.6A
类型:N沟道
导通电阻:160mΩ@2.8A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN30H4D0LFDE-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:630mW
阈值电压:2.8V@250µA
栅极电荷:7.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:187.3pF@25V
连续漏极电流:550mA
类型:N沟道
导通电阻:4Ω@300mA,10V
漏源电压:300V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDT1600N10ALZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:10.42W
阈值电压:2.8V@250µA
栅极电荷:3.77nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:225pF@50V
连续漏极电流:5.6A
类型:N沟道
导通电阻:160mΩ@2.8A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT10H010LSS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:2.8V@250µA
栅极电荷:71nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3000pF@50V
连续漏极电流:11.5A€29.5A
类型:N沟道
导通电阻:9.5mΩ@13A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4491EDY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€6.9W
阈值电压:2.8V@250µA
栅极电荷:153nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4620pF@15V
连续漏极电流:17.3A
类型:P沟道
导通电阻:6.5mΩ@13A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR403EDP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€56.8W
阈值电压:2.8V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:153nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4620pF@15V
连续漏极电流:40A
类型:P沟道
导通电阻:6.5mΩ@13A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7456DDP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€35.7W
阈值电压:2.8V@250µA
栅极电荷:29.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:900pF@50V
连续漏极电流:27.8A
类型:N沟道
导通电阻:23mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC8030
工作温度:-55℃~150℃
功率:800mW
阈值电压:2.8V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1975pF@20V
连续漏极电流:12A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:10mΩ@12A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR403EDP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€56.8W
阈值电压:2.8V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:153nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4620pF@15V
连续漏极电流:40A
类型:P沟道
导通电阻:6.5mΩ@13A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):Si4178DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.4W€5W
阈值电压:2.8V@250µA
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:405pF@15V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:21mΩ@8.4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STN4NF06L
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.3W
阈值电压:2.8V@250µA
栅极电荷:9nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:340pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:100mΩ@1.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4456DY-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W€7.8W
阈值电压:2.8V@250µA
栅极电荷:122nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5670pF@20V
连续漏极电流:33A
类型:N沟道
导通电阻:3.8mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AON2290
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.8W
阈值电压:2.8V@250µA
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:415pF@50V
连续漏极电流:4.5A
类型:N沟道
导通电阻:72mΩ@4.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AOD256
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.5W€83W
阈值电压:2.8V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1165pF@75V
连续漏极电流:3A€19A
类型:N沟道
导通电阻:85mΩ@10A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR826DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€104W
阈值电压:2.8V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:90nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2900pF@40V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:4.8mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4056DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€5.7W
阈值电压:2.8V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:29.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:900pF@50V
连续漏极电流:11.1A
类型:N沟道
导通电阻:23mΩ@15A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AOD4130
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.5W€52W
阈值电压:2.8V@250µA
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1900pF@30V
连续漏极电流:6.5A€30A
类型:N沟道
导通电阻:24mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STN3NF06L
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.3W
阈值电压:2.8V@250µA
栅极电荷:9nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:340pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:100mΩ@1.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO4805
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:2.8V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2600pF@15V
连续漏极电流:9A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:19mΩ@8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7288DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:15.6W
阈值电压:2.8V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:565pF@20V
连续漏极电流:20A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:19mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISH129DN-T1-GE3
工作温度:-50℃~150℃
功率:3.8W€52.1W
阈值电压:2.8V@250µA
栅极电荷:71nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3345pF@15V
连续漏极电流:14.4A€35A
类型:P沟道
导通电阻:11.4mΩ@14.4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: