采购热线 400-661-9010
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP10A13FTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：625mW
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：3.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：141pF@50V
连续漏极电流：600mA
类型：P沟道
导通电阻：1Ω@600mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP10A13FTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：625mW
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：3.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：141pF@50V
连续漏极电流：600mA
类型：P沟道
导通电阻：1Ω@600mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP10A13FTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：625mW
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：141pF@50V
连续漏极电流：600mA
类型：P沟道
导通电阻：1Ω@600mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT458P
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：3.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：205pF@15V
连续漏极电流：3.4A
类型：P沟道
导通电阻：130mΩ@3.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT458P
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：3.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：205pF@15V
连续漏极电流：3.4A
类型：P沟道
导通电阻：130mΩ@3.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：UT6KB5TCR
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@20V
连续漏极电流：5A
类型：2个N沟道
导通电阻：48mΩ@5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT458P
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：205pF@15V
连续漏极电流：3.4A
类型：P沟道
导通电阻：130mΩ@3.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT458P
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：205pF@15V
连续漏极电流：3.4A
类型：P沟道
导通电阻：130mΩ@3.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT458P
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：205pF@15V
连续漏极电流：3.4A
类型：P沟道
导通电阻：130mΩ@3.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP10A13FTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：625mW
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：3.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：141pF@50V
连续漏极电流：600mA
类型：P沟道
导通电阻：1Ω@600mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP10A13FTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：625mW
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：141pF@50V
连续漏极电流：600mA
类型：P沟道
导通电阻：1Ω@600mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP10A13FTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：625mW
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：141pF@50V
连续漏极电流：600mA
类型：P沟道
导通电阻：1Ω@600mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP10A13FTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：625mW
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：3.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：141pF@50V
连续漏极电流：600mA
类型：P沟道
导通电阻：1Ω@600mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：UT6KB5TCR
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：3.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@20V
连续漏极电流：5A
类型：2个N沟道
导通电阻：48mΩ@5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：UT6KB5TCR
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：3.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@20V
连续漏极电流：5A
类型：2个N沟道
导通电阻：48mΩ@5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP10A13FTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：625mW
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：3.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：141pF@50V
连续漏极电流：600mA
类型：P沟道
导通电阻：1Ω@600mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT458P
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：205pF@15V
连续漏极电流：3.4A
类型：P沟道
导通电阻：130mΩ@3.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT458P
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：3.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：205pF@15V
连续漏极电流：3.4A
类型：P沟道
导通电阻：130mΩ@3.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP10A13FTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：625mW
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：3.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：141pF@50V
连续漏极电流：600mA
类型：P沟道
导通电阻：1Ω@600mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP10A13FTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：625mW
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：3.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：141pF@50V
连续漏极电流：600mA
类型：P沟道
导通电阻：1Ω@600mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP10A13FTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：625mW
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：3.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：141pF@50V
连续漏极电流：600mA
类型：P沟道
导通电阻：1Ω@600mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：UT6KB5TCR
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@20V
连续漏极电流：5A
类型：2个N沟道
导通电阻：48mΩ@5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RDR005N25TL
工作温度：150℃
功率：540mW
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：70pF@25V
连续漏极电流：500mA
类型：N沟道
导通电阻：8.8Ω@250mA，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP10A13FTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：625mW
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：3.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：141pF@50V
连续漏极电流：600mA
类型：P沟道
导通电阻：1Ω@600mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP10A13FTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：625mW
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：3.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：141pF@50V
连续漏极电流：600mA
类型：P沟道
导通电阻：1Ω@600mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：UT6KB5TCR
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：3.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@20V
连续漏极电流：5A
类型：2个N沟道
导通电阻：48mΩ@5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RDR005N25TL
工作温度：150℃
功率：540mW
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：70pF@25V
连续漏极电流：500mA
类型：N沟道
导通电阻：8.8Ω@250mA，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：UT6KB5TCR
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：3.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@20V
连续漏极电流：5A
类型：2个N沟道
导通电阻：48mΩ@5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RDR005N25TL
工作温度：150℃
功率：540mW
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：70pF@25V
连续漏极电流：500mA
类型：N沟道
导通电阻：8.8Ω@250mA，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT458P
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：205pF@15V
连续漏极电流：3.4A
类型：P沟道
导通电阻：130mΩ@3.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
