品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NX2301P,215
工作温度:150℃
功率:400mW€2.8W
阈值电压:1.1V@250µA
栅极电荷:6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:380pF@6V
连续漏极电流:2A
类型:P沟道
导通电阻:120mΩ@1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GOOD-ARK
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSF8309S
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.56W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:665pF@15V
连续漏极电流:3.8A
类型:P沟道
导通电阻:75mΩ@3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTHD4P02FT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:300pF@10V
连续漏极电流:2.2A
类型:P沟道
导通电阻:155mΩ@2.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2110UW-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:490mW
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:443pF@6V
连续漏极电流:2A
类型:P沟道
导通电阻:100mΩ@1.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2110U-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:800mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:443pF@10V
连续漏极电流:3.5A
类型:P沟道
导通电阻:80mΩ@2.8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NX2301P,215
工作温度:150℃
功率:400mW€2.8W
阈值电压:1.1V@250µA
栅极电荷:6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:380pF@6V
连续漏极电流:2A
类型:P沟道
导通电阻:120mΩ@1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"09+":3000,"11+":1571}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTGS3441PT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:510mW
阈值电压:1.6V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:345pF@15V
连续漏极电流:1.8A
类型:P沟道
导通电阻:110mΩ@3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJA3441_R1_00001
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:505pF@20V
连续漏极电流:3.1A
类型:P沟道
导通电阻:88mΩ@3.1A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2110UW-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:490mW
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:443pF@6V
连续漏极电流:2A
类型:P沟道
导通电阻:100mΩ@1.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2110UW-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:490mW
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:443pF@6V
连续漏极电流:2A
类型:P沟道
导通电阻:100mΩ@1.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV100XPEAR
工作温度:-55℃~150℃
功率:463mW€1.9W
阈值电压:1.25V@250µA
栅极电荷:6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:386pF@10V
连续漏极电流:2.4A
类型:P沟道
导通电阻:128mΩ@2.4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NX2301P,215
工作温度:150℃
功率:400mW€2.8W
阈值电压:1.1V@250µA
栅极电荷:6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:380pF@6V
连续漏极电流:2A
类型:P沟道
导通电阻:120mΩ@1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2110UW-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:490mW
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:443pF@6V
连续漏极电流:2A
类型:P沟道
导通电阻:100mΩ@1.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"05+":30000,"06+":2633,"07+":1939,"08+":49666,"09+":235413,"10+":105000,"11+":30000,"13+":30000,"14+":54000,"MI+":9000}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTHD4P02FT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:300pF@10V
连续漏极电流:2.2A
类型:P沟道
导通电阻:155mΩ@2.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":606,"22+":21000,"23+":57000,"24+":358}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTHD4P02FT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:300pF@10V
连续漏极电流:2.2A
类型:P沟道
导通电阻:155mΩ@2.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJA3441_R1_00001
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:505pF@20V
连续漏极电流:3.1A
类型:P沟道
导通电阻:88mΩ@3.1A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJA3441_R1_00001
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:505pF@20V
连续漏极电流:3.1A
类型:P沟道
导通电阻:88mΩ@3.1A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NX2301P,215
工作温度:150℃
功率:400mW€2.8W
阈值电压:1.1V@250µA
栅极电荷:6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:380pF@6V
连续漏极电流:2A
类型:P沟道
导通电阻:120mΩ@1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO6415
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:1.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:620pF@10V
连续漏极电流:3.3A
类型:P沟道
导通电阻:75mΩ@3.3A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2110U-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:800mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:443pF@10V
连续漏极电流:3.5A
类型:P沟道
导通电阻:80mΩ@2.8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GOOD-ARK
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSF8309S
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.56W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:665pF@15V
连续漏极电流:3.8A
类型:P沟道
导通电阻:75mΩ@3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJA3441_R1_00001
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:505pF@20V
连续漏极电流:3.1A
类型:P沟道
导通电阻:88mΩ@3.1A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJA3441_R1_00001
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:505pF@20V
连续漏极电流:3.1A
类型:P沟道
导通电阻:88mΩ@3.1A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NX2301P,215
工作温度:150℃
功率:400mW€2.8W
阈值电压:1.1V@250µA
栅极电荷:6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:380pF@6V
连续漏极电流:2A
类型:P沟道
导通电阻:120mΩ@1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STS5P3LLH6
工作温度:150℃
功率:2.7W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:639pF@25V
连续漏极电流:5A
类型:P沟道
导通电阻:56mΩ@2.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJA3441_R1_00001
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:505pF@20V
连续漏极电流:3.1A
类型:P沟道
导通电阻:88mΩ@3.1A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV100XPEAR
工作温度:-55℃~150℃
功率:463mW€1.9W
阈值电压:1.25V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:386pF@10V
连续漏极电流:2.4A
类型:P沟道
导通电阻:128mΩ@2.4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NX2301P,215
工作温度:150℃
功率:400mW€2.8W
阈值电压:1.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:380pF@6V
连续漏极电流:2A
类型:P沟道
导通电阻:120mΩ@1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJA3441-AU_R1_000A1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:505pF@20V
连续漏极电流:3.1A
类型:P沟道
导通电阻:88mΩ@3.1A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJA3441_R1_00001
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:505pF@20V
连续漏极电流:3.1A
类型:P沟道
导通电阻:88mΩ@3.1A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存: