品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMCM6501UNEZ
工作温度:150℃
功率:400mW
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:6.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1050pF@10V
连续漏极电流:8.7A
类型:N沟道
导通电阻:21mΩ@3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ5H030TNTL
工作温度:150℃
功率:700mW
阈值电压:1.5V@1mA
栅极电荷:6.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:510pF@10V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:67mΩ@3A,4.5V
漏源电压:45V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMCM4401UNEZ
工作温度:150℃
功率:400mW
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:5.4A
类型:N沟道
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMCM6501UNEZ
工作温度:150℃
功率:400mW
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:6.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1050pF@10V
连续漏极电流:8.7A
类型:N沟道
导通电阻:21mΩ@3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":6007}
销售单位:个
规格型号(MPN):PMCM4402UPEZ
工作温度:150℃
功率:400mW
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:4.2A
类型:P沟道
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMCM4401UNEZ
工作温度:150℃
功率:400mW
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:5.4A
类型:N沟道
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ5H030TNTL
工作温度:150℃
功率:700mW
阈值电压:1.5V@1mA
栅极电荷:6.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:510pF@10V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:67mΩ@3A,4.5V
漏源电压:45V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ5H030TNTL
工作温度:150℃
功率:700mW
阈值电压:1.5V@1mA
栅极电荷:6.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:510pF@10V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:67mΩ@3A,4.5V
漏源电压:45V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ5H030TNTL
工作温度:150℃
功率:700mW
阈值电压:1.5V@1mA
栅极电荷:6.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:510pF@10V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:67mΩ@3A,4.5V
漏源电压:45V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ5H030TNTL
工作温度:150℃
功率:700mW
阈值电压:1.5V@1mA
栅极电荷:6.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:510pF@10V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:67mΩ@3A,4.5V
漏源电压:45V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ5H030TNTL
工作温度:150℃
功率:700mW
阈值电压:1.5V@1mA
栅极电荷:6.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:510pF@10V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:67mΩ@3A,4.5V
漏源电压:45V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3J340R,LF
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:492pF@10V
连续漏极电流:4A
类型:P沟道
导通电阻:45mΩ@4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RTR030N05TL
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:1.5V@1mA
栅极电荷:6.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:510pF@10V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:67mΩ@3A,4.5V
漏源电压:45V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RTR030N05HZGTL
工作温度:150℃
功率:700mW
阈值电压:1.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:510pF@10V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:67mΩ@3A,4.5V
漏源电压:45V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RTR030N05HZGTL
工作温度:150℃
功率:700mW
阈值电压:1.5V@1mA
栅极电荷:6.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:510pF@10V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:67mΩ@3A,4.5V
漏源电压:45V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMCM6501UNEZ
工作温度:150℃
功率:400mW
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:6.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1050pF@10V
连续漏极电流:8.7A
类型:N沟道
导通电阻:21mΩ@3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RTR030N05HZGTL
工作温度:150℃
功率:700mW
阈值电压:1.5V@1mA
栅极电荷:6.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:510pF@10V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:67mΩ@3A,4.5V
漏源电压:45V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMCM4401UNEZ
工作温度:150℃
功率:400mW
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:5.4A
类型:N沟道
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3J340R,LF
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:492pF@10V
连续漏极电流:4A
类型:P沟道
导通电阻:45mΩ@4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMCM6501UNEZ
工作温度:150℃
功率:400mW
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:6.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1050pF@10V
连续漏极电流:8.7A
类型:N沟道
导通电阻:21mΩ@3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RTR030N05HZGTL
工作温度:150℃
功率:700mW
阈值电压:1.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:510pF@10V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:67mΩ@3A,4.5V
漏源电压:45V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMCM4401UNEZ
工作温度:150℃
功率:400mW
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:5.4A
类型:N沟道
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMCM4401UNEZ
工作温度:150℃
功率:400mW
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:5.4A
类型:N沟道
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMCM4401UNEZ
工作温度:150℃
功率:400mW
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:5.4A
类型:N沟道
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3J340R,LF
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:492pF@10V
连续漏极电流:4A
类型:P沟道
导通电阻:45mΩ@4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMCM4401UNEZ
工作温度:150℃
功率:400mW
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:5.4A
类型:N沟道
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RTR030N05HZGTL
工作温度:150℃
功率:700mW
阈值电压:1.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:510pF@10V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:67mΩ@3A,4.5V
漏源电压:45V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RTR030N05HZGTL
工作温度:150℃
功率:700mW
阈值电压:1.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:510pF@10V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:67mΩ@3A,4.5V
漏源电压:45V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3J340R,LF
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:492pF@10V
连续漏极电流:4A
类型:P沟道
导通电阻:45mΩ@4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RTR030N05HZGTL
工作温度:150℃
功率:700mW
阈值电压:1.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:510pF@10V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:67mΩ@3A,4.5V
漏源电压:45V
包装清单:商品主体 * 1
库存: