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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV65XP，215
工作温度：-55℃~150℃
功率：480mW
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：7.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：744pF@20V
连续漏极电流：2.8A
类型：P沟道
导通电阻：74mΩ@2.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV65XP，215
工作温度：-55℃~150℃
功率：480mW
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：7.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：744pF@20V
连续漏极电流：2.8A
类型：P沟道
导通电阻：74mΩ@2.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV65XP，215
工作温度：-55℃~150℃
功率：480mW
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：7.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：744pF@20V
连续漏极电流：2.8A
类型：P沟道
导通电阻：74mΩ@2.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV65XP，215
工作温度：-55℃~150℃
功率：480mW
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：7.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：744pF@20V
连续漏极电流：2.8A
类型：P沟道
导通电阻：74mΩ@2.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM090N03ECP ROG
工作温度：150℃
功率：40W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：680pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@16A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV65XP，215
工作温度：-55℃~150℃
功率：480mW
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：7.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：744pF@20V
连续漏极电流：2.8A
类型：P沟道
导通电阻：74mΩ@2.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM090N03ECP ROG
工作温度：150℃
功率：40W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：680pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@16A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV65XP，215
工作温度：-55℃~150℃
功率：480mW
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：7.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：744pF@20V
连续漏极电流：2.8A
类型：P沟道
导通电阻：74mΩ@2.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM090N03ECP ROG
工作温度：150℃
功率：40W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：680pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@16A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV65XP，215
工作温度：-55℃~150℃
功率：480mW
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：744pF@20V
连续漏极电流：2.8A
类型：P沟道
导通电阻：74mΩ@2.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV65XP，215
工作温度：-55℃~150℃
功率：480mW
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：744pF@20V
连续漏极电流：2.8A
类型：P沟道
导通电阻：74mΩ@2.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM250N02CX RFG
工作温度：150℃
功率：1.56W
阈值电压：800mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：535pF@10V
连续漏极电流：5.8A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM250N02CX RFG
工作温度：150℃
功率：1.56W
阈值电压：800mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：535pF@10V
连续漏极电流：5.8A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV65XP，215
工作温度：-55℃~150℃
功率：480mW
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：7.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：744pF@20V
连续漏极电流：2.8A
类型：P沟道
导通电阻：74mΩ@2.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV65XP，215
工作温度：-55℃~150℃
功率：480mW
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：744pF@20V
连续漏极电流：2.8A
类型：P沟道
导通电阻：74mΩ@2.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV65XP，215
工作温度：-55℃~150℃
功率：480mW
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：744pF@20V
连续漏极电流：2.8A
类型：P沟道
导通电阻：74mΩ@2.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM250N02CX RFG
工作温度：150℃
功率：1.56W
阈值电压：800mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：535pF@10V
连续漏极电流：5.8A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM250N02CX RFG
工作温度：150℃
功率：1.56W
阈值电压：800mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：535pF@10V
连续漏极电流：5.8A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV65XP，215
工作温度：-55℃~150℃
功率：480mW
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：7.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：744pF@20V
连续漏极电流：2.8A
类型：P沟道
导通电阻：74mΩ@2.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV65XP，215
工作温度：-55℃~150℃
功率：480mW
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：7.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：744pF@20V
连续漏极电流：2.8A
类型：P沟道
导通电阻：74mΩ@2.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV65XP，215
工作温度：-55℃~150℃
功率：480mW
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：7.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：744pF@20V
连续漏极电流：2.8A
类型：P沟道
导通电阻：74mΩ@2.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV65XP，215
工作温度：-55℃~150℃
功率：480mW
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：7.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：744pF@20V
连续漏极电流：2.8A
类型：P沟道
导通电阻：74mΩ@2.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV65XP，215
工作温度：-55℃~150℃
功率：480mW
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：7.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：744pF@20V
连续漏极电流：2.8A
类型：P沟道
导通电阻：74mΩ@2.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV65XP，215
工作温度：-55℃~150℃
功率：480mW
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：7.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：744pF@20V
连续漏极电流：2.8A
类型：P沟道
导通电阻：74mΩ@2.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"10+"：24036}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMS4800NR2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：940pF@25V
连续漏极电流：4.9A
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@7.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM250N02CX RFG
工作温度：150℃
功率：1.56W
阈值电压：800mV@250µA
栅极电荷：7.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：535pF@10V
连续漏极电流：5.8A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM090N03ECP ROG
工作温度：150℃
功率：40W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：680pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@16A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV65XP，215
工作温度：-55℃~150℃
功率：480mW
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：7.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：744pF@20V
连续漏极电流：2.8A
类型：P沟道
导通电阻：74mΩ@2.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV65XP，215
工作温度：-55℃~150℃
功率：480mW
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：744pF@20V
连续漏极电流：2.8A
类型：P沟道
导通电阻：74mΩ@2.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV65XP，215
工作温度：-55℃~150℃
功率：480mW
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：744pF@20V
连续漏极电流：2.8A
类型：P沟道
导通电阻：74mΩ@2.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
