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    AOS Mosfet场效应管 AOD4185L 起订8个装
    AOS Mosfet场效应管 AOD4185L 起订8个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOD4185L

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:62.5W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:55nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2550pF@20V

    连续漏极电流:40A

    类型:P沟道

    导通电阻:15mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IQE013N04LM6ATMA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IQE013N04LM6ATMA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IQE013N04LM6ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.5W€107W

    阈值电压:2V@51µA

    栅极电荷:55nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3900pF@20V

    连续漏极电流:31A€205A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.35mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN8R2-80YS,115 起订2个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN8R2-80YS,115 起订2个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN8R2-80YS,115

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:130W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:55nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3640pF@40V

    连续漏极电流:82A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.5mΩ@15A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ142ELP-T1_GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ142ELP-T1_GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ142ELP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:190W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:55nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3015pF@25V

    连续漏极电流:175A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.8mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86322 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86322 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS86322

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€104W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:55nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3000pF@50V

    连续漏极电流:13A€60A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.65mΩ@13A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM085P03CV RGG 起订5000个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM085P03CV RGG 起订5000个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM085P03CV RGG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:50W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:55nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3234pF@15V

    连续漏极电流:64A

    类型:P沟道

    导通电阻:8.5mΩ@14A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 ISC019N04NM5ATMA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 ISC019N04NM5ATMA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ISC019N04NM5ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W€100W

    阈值电压:3.4V@50µA

    栅极电荷:55nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3900pF@20V

    连续漏极电流:29A€170A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.9mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7113DN-T1-E3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7113DN-T1-E3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7113DN-T1-E3

    工作温度:-50℃~150℃

    功率:3.7W€52W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:55nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1480pF@50V

    连续漏极电流:13.2A

    类型:P沟道

    导通电阻:134mΩ@4A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ860EP-T1_GE3 起订5个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ860EP-T1_GE3 起订5个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ860EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:48W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:55nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2700pF@25V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:6mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD082N10N3GATMA1 起订5个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD082N10N3GATMA1 起订5个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD082N10N3GATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:125W

    阈值电压:3.5V@75µA

    栅极电荷:55nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3980pF@50V

    连续漏极电流:80A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.2mΩ@73A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD50P03P4L11ATMA2 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD50P03P4L11ATMA2 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD50P03P4L11ATMA2

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:58W

    阈值电压:2V@85µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:55nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3770pF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:P沟道

    导通电阻:10.5mΩ@50A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IQE013N04LM6CGATMA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IQE013N04LM6CGATMA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IQE013N04LM6CGATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.5W€107W

    阈值电压:2V@51µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:55nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3900pF@20V

    连续漏极电流:31A€205A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.35mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ858AEP-T1_BE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ858AEP-T1_BE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ858AEP-T1_BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:48W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:55nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2450pF@20V

    连续漏极电流:58A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.3mΩ@14A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STD25NF10T4 起订8个装
    ST Mosfet场效应管 STD25NF10T4 起订8个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD25NF10T4

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:100W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:55nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1550pF@25V

    连续漏极电流:25A

    类型:N沟道

    导通电阻:38mΩ@12.5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GOOD-ARK Mosfet场效应管 GSGP03150 起订2个装
    GOOD-ARK Mosfet场效应管 GSGP03150 起订2个装

    品牌:GOOD-ARK

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):GSGP03150

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:85W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:55nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3372pF@15V

    连续漏极电流:150A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.9mΩ@75A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF6643TRPBF 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF6643TRPBF 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF6643TRPBF

    工作温度:-40℃~150℃

    功率:2.8W€89W

    阈值电压:4.9V@150µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:55nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2340pF@25V

    连续漏极电流:6.2A€35A

    类型:N沟道

    导通电阻:34.5mΩ@7.6A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDMS86101 起订1个装
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDMS86101 起订1个装

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS86101

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€104W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:55nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3000pF@50V

    连续漏极电流:12.4A€60A

    类型:N沟道

    导通电阻:8mΩ@13A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD50P03P4L11ATMA2 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD50P03P4L11ATMA2 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD50P03P4L11ATMA2

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:58W

    阈值电压:2V@85µA

    栅极电荷:55nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3770pF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:P沟道

    导通电阻:10.5mΩ@50A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDMS86101 起订1个装
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDMS86101 起订1个装

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS86101

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€104W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:55nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3000pF@50V

    连续漏极电流:12.4A€60A

    类型:N沟道

    导通电阻:8mΩ@13A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD082N10N3GATMA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD082N10N3GATMA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD082N10N3GATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:125W

    阈值电压:3.5V@75µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:55nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3980pF@50V

    连续漏极电流:80A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.2mΩ@73A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN2R2-30YLC,115 起订1500个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN2R2-30YLC,115 起订1500个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN2R2-30YLC,115

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:141W

    阈值电压:1.95V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:55nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3310pF@15V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.15mΩ@25A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IQE013N04LM6CGATMA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IQE013N04LM6CGATMA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IQE013N04LM6CGATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.5W€107W

    阈值电压:2V@51µA

    栅极电荷:55nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3900pF@20V

    连续漏极电流:31A€205A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.35mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GOOD-ARK Mosfet场效应管 GSGP03150 起订2个装
    GOOD-ARK Mosfet场效应管 GSGP03150 起订2个装

    品牌:GOOD-ARK

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):GSGP03150

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:85W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:55nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3372pF@15V

    连续漏极电流:150A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.9mΩ@75A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STD20NF10T4 起订2个装
    ST Mosfet场效应管 STD20NF10T4 起订2个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD20NF10T4

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:85W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:55nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1200pF@25V

    连续漏极电流:25A

    类型:N沟道

    导通电阻:45mΩ@15A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD50P03P4L11ATMA2 起订2500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD50P03P4L11ATMA2 起订2500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD50P03P4L11ATMA2

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:58W

    阈值电压:2V@85µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:55nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3770pF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:P沟道

    导通电阻:10.5mΩ@50A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB083N10N3GATMA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB083N10N3GATMA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB083N10N3GATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:125W

    阈值电压:3.5V@75µA

    栅极电荷:55nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3980pF@50V

    连续漏极电流:80A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.3mΩ@73A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPC100N04S5L2R6ATMA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPC100N04S5L2R6ATMA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPC100N04S5L2R6ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:75W

    阈值电压:2V@30µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:55nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2925pF@25V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.6mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN8R2-80YS,115 起订2个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN8R2-80YS,115 起订2个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN8R2-80YS,115

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:130W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:55nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3640pF@40V

    连续漏极电流:82A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.5mΩ@15A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC030N03LSGATMA1 起订5个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC030N03LSGATMA1 起订5个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC030N03LSGATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€69W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:55nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4300pF@15V

    连续漏极电流:23A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:3mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ142ELP-T1_GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ142ELP-T1_GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ142ELP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:190W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:55nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3015pF@25V

    连续漏极电流:175A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.8mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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