采购热线 400-661-9010
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK7Y1R7-40HX
工作温度：-55℃~175℃
功率：294W
阈值电压：3.6V@1mA
栅极电荷：96nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6142pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：1.7mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUM90140E-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：96nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4132pF@100V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：17mΩ@30A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB60R125C6ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：219W
阈值电压：3.5V@960µA
栅极电荷：96nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2127pF@100V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@14.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN1R8-40YLC，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：272W
阈值电压：1.95V@1mA
栅极电荷：96nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6680pF@20V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.8mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP74N04YUG-E1-AY
工作温度：175℃
功率：1W€120W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：96nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5430pF@25V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：5.5mΩ@37.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN1R4-40YLDX
工作温度：-55℃~175℃
功率：238W
阈值电压：2.2V@1mA
栅极电荷：96nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6661pF@20V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.4mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN1R4-40YLDX
工作温度：-55℃~175℃
功率：238W
阈值电压：2.2V@1mA
栅极电荷：96nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6661pF@20V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.4mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：3000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN1R4-40YLDX
工作温度：-55℃~175℃
功率：238W
阈值电压：2.2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：96nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6661pF@20V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.4mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI5471DC-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€6.3W
阈值电压：1.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：96nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2945pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：20mΩ@9.1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI5471DC-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€6.3W
阈值电压：1.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：96nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2945pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：20mΩ@9.1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK7Y1R7-40HX
工作温度：-55℃~175℃
功率：294W
阈值电压：3.6V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：96nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6142pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：1.7mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：3000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN1R4-40YLDX
工作温度：-55℃~175℃
功率：238W
阈值电压：2.2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：96nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6661pF@20V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.4mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：2000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB80N06S208ATMA2
工作温度：-55℃~175℃
功率：215W
阈值电压：4V@150µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：96nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2860pF@25V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：7.7mΩ@58A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS6679AZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：96nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3845pF@15V
连续漏极电流：13A
类型：P沟道
导通电阻：9.3mΩ@13A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN1R8-40YLC，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：272W
阈值电压：1.95V@1mA
栅极电荷：96nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6680pF@20V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.8mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN1R8-40YLC，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：272W
阈值电压：1.95V@1mA
栅极电荷：96nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6680pF@20V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.8mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：2000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB80N06S208ATMA2
工作温度：-55℃~175℃
功率：215W
阈值电压：4V@150µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：96nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2860pF@25V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：7.7mΩ@58A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS6679AZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：96nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3845pF@15V
连续漏极电流：13A
类型：P沟道
导通电阻：9.3mΩ@13A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN1R8-40YLC，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：272W
阈值电压：1.95V@1mA
栅极电荷：96nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6680pF@20V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.8mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB60R125C6ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：219W
阈值电压：3.5V@960µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：96nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2127pF@100V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@14.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN1R8-40YLC，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：272W
阈值电压：1.95V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：96nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6680pF@20V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.8mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUM90140E-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：96nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4132pF@100V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：17mΩ@30A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB60R125C6ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：219W
阈值电压：3.5V@960µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：96nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2127pF@100V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@14.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN057-200B，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：250W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：96nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3750pF@25V
连续漏极电流：39A
类型：N沟道
导通电阻：57mΩ@17A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN057-200B，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：250W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：96nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3750pF@25V
连续漏极电流：39A
类型：N沟道
导通电阻：57mΩ@17A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN1R8-40YLC，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：272W
阈值电压：1.95V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：96nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6680pF@20V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.8mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN1R4-40YLDX
工作温度：-55℃~175℃
功率：238W
阈值电压：2.2V@1mA
栅极电荷：96nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6661pF@20V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.4mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN1R4-40YLDX
工作温度：-55℃~175℃
功率：238W
阈值电压：2.2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：96nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6661pF@20V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.4mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS6679AZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：96nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3845pF@15V
连续漏极电流：13A
类型：P沟道
导通电阻：9.3mΩ@13A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN1R4-40YLDX
工作温度：-55℃~175℃
功率：238W
阈值电压：2.2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：96nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6661pF@20V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.4mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
