采购热线 400-661-9010
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18502Q5BT
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€156W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：33nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5070pF@20V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2.3mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：322，"20+"：136250，"21+"：25400，"MI+"：1600}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRL3103STRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：94W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1650pF@25V
连续漏极电流：64A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@34A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLR2908TRPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：120W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：33nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1890pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@23A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：2265，"22+"：1930，"23+"：25244}
销售单位：个
规格型号(MPN)：AUIRL7732S2TR
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.2W€41W
阈值电压：2.5V@50µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2020pF@25V
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：6.6mΩ@35A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STS10P3LLH6
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.7W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：33nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3350pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：P沟道
导通电阻：12mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLR2908TRPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：120W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1890pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@23A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD35NF06LT4
工作温度：-55℃~175℃
功率：80W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：33nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1700pF@25V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：17mΩ@17.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLR2908TRPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：120W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1890pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@23A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：60000，"MI+"：5000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：PHK31NQ03LT，518
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.9W
阈值电压：2.15V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4235pF@12V
连续漏极电流：30.4A
类型：N沟道
导通电阻：4.4mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18502Q5BT
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€156W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5070pF@20V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2.3mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLR2908TRPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：120W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1890pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@23A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD35NF06LT4
工作温度：-55℃~175℃
功率：80W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：33nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1700pF@25V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：17mΩ@17.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLR2908TRPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：120W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1890pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@23A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18502Q5BT
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€156W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：33nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5070pF@20V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2.3mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD35NF06LT4
工作温度：-55℃~175℃
功率：80W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：33nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1700pF@25V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：17mΩ@17.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J132TU，LF
工作温度：150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2700pF@10V
连续漏极电流：5.4A
类型：P沟道
导通电阻：17mΩ@5A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD35NF06LT4
工作温度：-55℃~175℃
功率：80W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：33nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1700pF@25V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：17mΩ@17.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J132TU，LF
工作温度：150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2700pF@10V
连续漏极电流：5.4A
类型：P沟道
导通电阻：17mΩ@5A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18502Q5BT
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€156W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5070pF@20V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2.3mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J132TU，LF
工作温度：150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2700pF@10V
连续漏极电流：5.4A
类型：P沟道
导通电阻：17mΩ@5A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD35NF06LT4
工作温度：-55℃~175℃
功率：80W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：33nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1700pF@25V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：17mΩ@17.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J132TU，LF
工作温度：150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@1mA
栅极电荷：33nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2700pF@10V
连续漏极电流：5.4A
类型：P沟道
导通电阻：17mΩ@5A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：60000，"MI+"：5000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：PHK31NQ03LT，518
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.9W
阈值电压：2.15V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4235pF@12V
连续漏极电流：30.4A
类型：N沟道
导通电阻：4.4mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD35NF06LT4
工作温度：-55℃~175℃
功率：80W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：33nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1700pF@25V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：17mΩ@17.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：2265，"22+"：1930，"23+"：25244}
销售单位：个
规格型号(MPN)：AUIRL7732S2TR
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.2W€41W
阈值电压：2.5V@50µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2020pF@25V
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：6.6mΩ@35A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J132TU，LF
工作温度：150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2700pF@10V
连续漏极电流：5.4A
类型：P沟道
导通电阻：17mΩ@5A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD35NF06LT4
工作温度：-55℃~175℃
功率：80W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：33nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1700pF@25V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：17mΩ@17.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J132TU，LF
工作温度：150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2700pF@10V
连续漏极电流：5.4A
类型：P沟道
导通电阻：17mΩ@5A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18502Q5BT
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€156W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5070pF@20V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2.3mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J132TU，LF
工作温度：150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@1mA
栅极电荷：33nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2700pF@10V
连续漏极电流：5.4A
类型：P沟道
导通电阻：17mΩ@5A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
