品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR4602LDP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.6W€43W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:29nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1185pF@30V
连续漏极电流:15.2A€52.1A
类型:N沟道
导通电阻:8.8mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD600N25N3GATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
阈值电压:4V@90µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:29nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2350pF@100V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:60mΩ@25A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RMW200N03TB
工作温度:150℃
功率:3W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:29nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1780pF@15V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:4.2mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN5R0-30YL,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:61W
阈值电压:2.15V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:29nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1760pF@12V
连续漏极电流:91A
类型:N沟道
导通电阻:5mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC072N08NS5ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€69W
阈值电压:3.8V@36µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:29nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2100pF@40V
连续漏极电流:74A
类型:N沟道
导通电阻:7.2mΩ@37A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR4602LDP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.6W€43W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:29nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1185pF@30V
连续漏极电流:15.2A€52.1A
类型:N沟道
导通电阻:8.8mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSL307SPH6327XTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:2V@40µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:29nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:805pF@25V
连续漏极电流:5.5A
类型:P沟道
导通电阻:43mΩ@5.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MCU60N04-TP
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:29nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1800pF@20V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:13mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":1847}
销售单位:个
规格型号(MPN):BSL307SPH6327XTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:2V@40µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:29nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:805pF@25V
连续漏极电流:5.5A
类型:P沟道
导通电阻:43mΩ@5.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:2202
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC072N08NS5ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€69W
阈值电压:3.8V@36µA
栅极电荷:29nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2100pF@40V
连续漏极电流:74A
类型:N沟道
导通电阻:7.2mΩ@37A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STB24N60M2
工作温度:-55℃~150℃
功率:150W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:29nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1060pF@100V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:190mΩ@9A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF9630STRLPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W€74W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:29nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:700pF@25V
连续漏极电流:6.5A
类型:P沟道
导通电阻:800mΩ@3.9A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD320N20N3GATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
阈值电压:4V@90µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:29nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2350pF@100V
连续漏极电流:34A
类型:N沟道
导通电阻:32mΩ@34A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISHA14DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.57W€26.5W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:29nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1450pF@15V
连续漏极电流:19.7A€20A
类型:N沟道
导通电阻:5.1mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN5R0-40MSHX
工作温度:-55℃~175℃
功率:83W
阈值电压:3.6V@1mA
栅极电荷:29nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2010pF@20V
连续漏极电流:85A
类型:N沟道
导通电阻:5mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN5R0-30YL,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:61W
阈值电压:2.15V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:29nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1760pF@12V
连续漏极电流:91A
类型:N沟道
导通电阻:5mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SVD5865NLT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€71W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:29nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1400pF@25V
连续漏极电流:10A€46A
类型:N沟道
导通电阻:16mΩ@19A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD320N20N3GATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
阈值电压:4V@90µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:29nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2350pF@100V
连续漏极电流:34A
类型:N沟道
导通电阻:32mΩ@34A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSL307SPH6327XTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:2V@40µA
栅极电荷:29nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:805pF@25V
连续漏极电流:5.5A
类型:P沟道
导通电阻:43mΩ@5.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF9630STRLPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W€74W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:29nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:700pF@25V
连续漏极电流:6.5A
类型:P沟道
导通电阻:800mΩ@3.9A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"14+":666789}
销售单位:个
规格型号(MPN):BSL307SPL6327HTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:2V@40µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:29nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:805pF@25V
连续漏极电流:5.5A
类型:P沟道
导通电阻:43mΩ@5.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STL24N65M2
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:29nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1060pF@100V
连续漏极电流:14A
类型:N沟道
导通电阻:250mΩ@7A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN5R0-30YL,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:61W
阈值电压:2.15V@1mA
栅极电荷:29nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1760pF@12V
连续漏极电流:91A
类型:N沟道
导通电阻:5mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB13AN06A0
工作温度:-55℃~175℃
功率:115W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:29nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1350pF@25V
连续漏极电流:10.9A€62A
类型:N沟道
导通电阻:13.5mΩ@62A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB13AN06A0
工作温度:-55℃~175℃
功率:115W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:29nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1350pF@25V
连续漏极电流:10.9A€62A
类型:N沟道
导通电阻:13.5mΩ@62A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS890DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.7W€52W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:29nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:802pF@50V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:23.5mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN5R0-40MSHX
工作温度:-55℃~175℃
功率:83W
阈值电压:3.6V@1mA
栅极电荷:29nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2010pF@20V
连续漏极电流:85A
类型:N沟道
导通电阻:5mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SVD5865NLT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€71W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:29nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1400pF@25V
连续漏极电流:10A€46A
类型:N沟道
导通电阻:16mΩ@19A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STB24N60DM2
工作温度:-55℃~150℃
功率:150W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:29nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1055pF@100V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:200mΩ@9A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD600N25N3GATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
阈值电压:4V@90µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:29nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2350pF@100V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:60mΩ@25A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存: