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    包装方式: 卷带(TR)
    行业应用: 工业
    栅极电荷: 110nC@10V
    工作温度: -55℃~150℃
    当前匹配商品:300+
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    VISHAY Mosfet场效应管 SI8425DB-T1-E1 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8425DB-T1-E1 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI8425DB-T1-E1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.1W€2.7W

    阈值电压:900mV@250µA

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2800pF@10V

    连续漏极电流:5.9A

    类型:P沟道

    导通电阻:23mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS8460 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS8460 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS8460

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€104W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7205pF@20V

    连续漏极电流:25A€49A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.2mΩ@25A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFH5250TRPBF 起订508个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFH5250TRPBF 起订508个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":24000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFH5250TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.6W€160W

    阈值电压:2.35V@150µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7174pF@13V

    连续漏极电流:45A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.15mΩ@50A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR870BDP-T1-RE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR870BDP-T1-RE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR870BDP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.4W€100W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4870pF@50V

    连续漏极电流:18.8A€81A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.1mΩ@15A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR870BDP-T1-RE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR870BDP-T1-RE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR870BDP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.4W€100W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4870pF@50V

    连续漏极电流:18.8A€81A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.1mΩ@15A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF9540NSTRLPBF 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF9540NSTRLPBF 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF9540NSTRLPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€110W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1450pF@25V

    连续漏极电流:23A

    类型:P沟道

    导通电阻:117mΩ@14A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR104LDP-T1-RE3 起订5个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR104LDP-T1-RE3 起订5个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR104LDP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.4W€100W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4870pF@50V

    连续漏极电流:18.8A€81A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.1mΩ@15A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFH7545TRPBF 起订4000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFH7545TRPBF 起订4000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFH7545TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:83W

    阈值电压:3.7V@100µA

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3890pF@25V

    连续漏极电流:85A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.2mΩ@51A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7424TRPBF 起订4000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7424TRPBF 起订4000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF7424TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4030pF@25V

    连续漏极电流:11A

    类型:P沟道

    导通电阻:13.5mΩ@11A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8425DB-T1-E1 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8425DB-T1-E1 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI8425DB-T1-E1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.1W€2.7W

    阈值电压:900mV@250µA

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2800pF@10V

    连续漏极电流:5.9A

    类型:P沟道

    导通电阻:23mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8425DB-T1-E1 起订9个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8425DB-T1-E1 起订9个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI8425DB-T1-E1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.1W€2.7W

    阈值电压:900mV@250µA

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2800pF@10V

    连续漏极电流:5.9A

    类型:P沟道

    导通电阻:23mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR104LDP-T1-RE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR104LDP-T1-RE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR104LDP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.4W€100W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4870pF@50V

    连续漏极电流:18.8A€81A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.1mΩ@15A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTAT6H406NT4G 起订199个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTAT6H406NT4G 起订199个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"18+":3880}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTAT6H406NT4G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:90W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:8040pF@40V

    连续漏极电流:175A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.9mΩ@50A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS8460 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS8460 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS8460

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€104W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7205pF@20V

    连续漏极电流:25A€49A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.2mΩ@25A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7424TRPBF 起订2000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7424TRPBF 起订2000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF7424TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4030pF@25V

    连续漏极电流:11A

    类型:P沟道

    导通电阻:13.5mΩ@11A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF9540NSTRLPBF 起订4个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF9540NSTRLPBF 起订4个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF9540NSTRLPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€110W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1450pF@25V

    连续漏极电流:23A

    类型:P沟道

    导通电阻:117mΩ@14A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7424TRPBF 起订500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7424TRPBF 起订500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF7424TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4030pF@25V

    连续漏极电流:11A

    类型:P沟道

    导通电阻:13.5mΩ@11A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7424TRPBF 起订1000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7424TRPBF 起订1000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF7424TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4030pF@25V

    连续漏极电流:11A

    类型:P沟道

    导通电阻:13.5mΩ@11A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTAT6H406NT4G 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTAT6H406NT4G 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"18+":3880}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTAT6H406NT4G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:90W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:8040pF@40V

    连续漏极电流:175A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.9mΩ@50A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF9540NSTRLPBF 起订25个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF9540NSTRLPBF 起订25个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF9540NSTRLPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€110W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1450pF@25V

    连续漏极电流:23A

    类型:P沟道

    导通电阻:117mΩ@14A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8425DB-T1-E1 起订6000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8425DB-T1-E1 起订6000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI8425DB-T1-E1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.1W€2.7W

    阈值电压:900mV@250µA

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2800pF@10V

    连续漏极电流:5.9A

    类型:P沟道

    导通电阻:23mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF9540NSTRLPBF 起订6个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF9540NSTRLPBF 起订6个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF9540NSTRLPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€110W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1450pF@25V

    连续漏极电流:23A

    类型:P沟道

    导通电阻:117mΩ@14A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS413DN-T1-GE3 起订1500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS413DN-T1-GE3 起订1500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIS413DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.7W€52W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4280pF@15V

    连续漏极电流:18A

    类型:P沟道

    导通电阻:9.4mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF9540NSTRRPBF 起订500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF9540NSTRRPBF 起订500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:21+

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF9540NSTRRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€110W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1450pF@25V

    连续漏极电流:23A

    类型:P沟道

    导通电阻:117mΩ@14A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC012N03 起订300个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC012N03 起订300个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"20+":1602,"21+":4205,"22+":2178,"23+":18000,"24+":3000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC012N03

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.3W€64W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:8183pF@15V

    连续漏极电流:35A€185A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.23mΩ@35A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPT65R033G7XTMA1 起订300个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPT65R033G7XTMA1 起订300个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"19+":1}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPT65R033G7XTMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:391W

    阈值电压:4V@1.44mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5000pF@400V

    连续漏极电流:69A

    类型:N沟道

    导通电阻:33mΩ@28.9A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC012N03 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC012N03 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"20+":1602,"21+":4205,"22+":2178,"23+":18000,"24+":3000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC012N03

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.3W€64W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:8183pF@15V

    连续漏极电流:35A€185A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.23mΩ@35A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8425DB-T1-E1 起订9000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8425DB-T1-E1 起订9000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI8425DB-T1-E1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.1W€2.7W

    阈值电压:900mV@250µA

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2800pF@10V

    连续漏极电流:5.9A

    类型:P沟道

    导通电阻:23mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC012N03 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC012N03 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"20+":1602,"21+":4205,"22+":2178,"23+":18000,"24+":3000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC012N03

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.3W€64W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:8183pF@15V

    连续漏极电流:35A€185A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.23mΩ@35A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS8460 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS8460 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS8460

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€104W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7205pF@20V

    连续漏极电流:25A€49A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.2mΩ@25A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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