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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMS3014SFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：45.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4310pF@15V
连续漏极电流：9.5A
类型：N沟道
导通电阻：13mΩ@10.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
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阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：45.7nC@10V
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输入电容：4310pF@15V
连续漏极电流：9.5A
类型：N沟道
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功率：1W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：45.7nC@10V
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输入电容：4310pF@15V
连续漏极电流：9.5A
类型：N沟道
导通电阻：13mΩ@10.4A，10V
漏源电压：30V
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功率：1W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：45.7nC@10V
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功率：1W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：45.7nC@10V
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输入电容：4310pF@15V
连续漏极电流：9.5A
类型：N沟道
导通电阻：13mΩ@10.4A，10V
漏源电压：30V
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功率：1W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：45.7nC@10V
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连续漏极电流：9.5A
类型：N沟道
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMS3014SFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：45.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4310pF@15V
连续漏极电流：9.5A
类型：N沟道
导通电阻：13mΩ@10.4A，10V
漏源电压：30V
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工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：45.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4310pF@15V
连续漏极电流：9.5A
类型：N沟道
导通电阻：13mΩ@10.4A，10V
漏源电压：30V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMS3014SFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：45.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4310pF@15V
连续漏极电流：9.5A
类型：N沟道
导通电阻：13mΩ@10.4A，10V
漏源电压：30V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMS3014SFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：45.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4310pF@15V
连续漏极电流：9.5A
类型：N沟道
导通电阻：13mΩ@10.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMS3014SSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.55W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：45.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2296pF@15V
连续漏极电流：10.4A
类型：N沟道
导通电阻：13mΩ@10.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMS3014SFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：45.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4310pF@15V
连续漏极电流：9.5A
类型：N沟道
导通电阻：13mΩ@10.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMS3014SFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：45.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4310pF@15V
连续漏极电流：9.5A
类型：N沟道
导通电阻：13mΩ@10.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMS3014SFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：45.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4310pF@15V
连续漏极电流：9.5A
类型：N沟道
导通电阻：13mΩ@10.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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