销售单位：个

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@5mA，10V

集电极电流(Ic)：100mA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：150mW

晶体管类型：2个PNP-预偏置

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@5mA，10V

集电极电流(Ic)：100mA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：150mW

晶体管类型：2个PNP-预偏置

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@5mA，10V

集电极电流(Ic)：100mA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：150mW

晶体管类型：2个PNP-预偏置

包装清单：商品主体 * 1

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包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@5mA，10V

集电极电流(Ic)：100mA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：150mW

晶体管类型：2个PNP-预偏置

包装清单：商品主体 * 1

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直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@5mA，10V

集电极电流(Ic)：100mA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：150mW

晶体管类型：2个PNP-预偏置

包装清单：商品主体 * 1

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直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@5mA，10V

集电极电流(Ic)：100mA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：150mW

晶体管类型：2个PNP-预偏置

包装清单：商品主体 * 1