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    包装方式: 卷带(TR)
    行业应用: 工业
    集射极击穿电压(Vceo): 50V
    功率: 338mW
    输入电阻: 10kΩ
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    onsemi 数字晶体管 MUN2215T1G 起订13889个装
    onsemi 数字晶体管 MUN2215T1G 起订13889个装

    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    生产批次:{"06+":52320,"07+":18000,"08+":3000,"10+":72000,"13+":186000,"15+":108000,"16+":108000,"MI+":18000}

    销售单位:

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@1mA,10mA

    集电集截止电流(Icbo):500nA

    包装方式:卷带(TR)

    ECCN:EAR99

    直流增益(hFE@Ic,Vce):160@5mA,10V

    集电极电流(Ic):100mA

    输入电阻:10kΩ

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    功率:338mW

    晶体管类型:NPN-预偏压

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi 数字晶体管 MUN2215T1G 起订500个装
    onsemi 数字晶体管 MUN2215T1G 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@1mA,10mA

    集电集截止电流(Icbo):500nA

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    功率:338mW

    晶体管类型:NPN-预偏压

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi 数字晶体管 MUN2215T1G 起订1000个装
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    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@1mA,10mA

    集电集截止电流(Icbo):500nA

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    功率:338mW

    晶体管类型:NPN-预偏压

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi 数字晶体管 MUN2215T1G 起订1000个装
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    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@1mA,10mA

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    晶体管类型:NPN-预偏压

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi 数字晶体管 MUN2215T1G 起订22个装
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    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@1mA,10mA

    集电集截止电流(Icbo):500nA

    包装方式:卷带(TR)

    ECCN:EAR99

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    功率:338mW

    晶体管类型:NPN-预偏压

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi 数字晶体管 MUN2215T1G 起订9000个装
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    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@1mA,10mA

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    功率:338mW

    晶体管类型:NPN-预偏压

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi 数字晶体管 MUN2215T1G 起订300个装
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    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@1mA,10mA

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    功率:338mW

    晶体管类型:NPN-预偏压

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi 数字晶体管 MUN2215T1G 起订13889个装
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    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

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    晶体管类型:NPN-预偏压

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi 数字晶体管 MUN2215T1G 起订59个装
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    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

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    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@1mA,10mA

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    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi 数字晶体管 MUN2215T1G 起订3000个装
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    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

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    销售单位:

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@1mA,10mA

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    包装清单:商品主体 * 1

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    - +
    onsemi 数字晶体管 MUN2215T1G 起订41个装
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    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@1mA,10mA

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    包装方式:卷带(TR)

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    晶体管类型:NPN-预偏压

    包装清单:商品主体 * 1

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    - +
    onsemi 数字晶体管 MUN2215T1G 起订22个装
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    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@1mA,10mA

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    - +
    onsemi 数字晶体管 MUN2215T1G 起订500个装
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    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@1mA,10mA

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    onsemi 数字晶体管 MUN2215T1G 起订100个装
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    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

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    销售单位:

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@1mA,10mA

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    包装清单:商品主体 * 1

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    - +
    onsemi 数字晶体管 MUN2215T1G 起订24000个装
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    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@1mA,10mA

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    晶体管类型:NPN-预偏压

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi 数字晶体管 MUN2215T1G 起订100个装
    onsemi 数字晶体管 MUN2215T1G 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@1mA,10mA

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    包装清单:商品主体 * 1

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    - +
    onsemi 数字晶体管 MUN2215T1G 起订9000个装
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    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@1mA,10mA

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    - +
    onsemi 数字晶体管 MUN2215T1G 起订600个装
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    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

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    晶体管类型:NPN-预偏压

    包装清单:商品主体 * 1

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    - +
    onsemi 数字晶体管 MUN2215T1G 起订51个装
    onsemi 数字晶体管 MUN2215T1G 起订51个装

    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@1mA,10mA

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    晶体管类型:NPN-预偏压

    包装清单:商品主体 * 1

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    - +
    onsemi 数字晶体管 MUN2215T1G 起订13个装
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    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@1mA,10mA

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    晶体管类型:NPN-预偏压

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    - +
    onsemi 数字晶体管 MUN2215T1G 起订41个装
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    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    输入电阻:10kΩ

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    包装方式:卷带(TR)

    集电极电流(Ic):100mA

    包装清单:商品主体 * 1

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    - +
    onsemi 数字晶体管 MUN2215T1G 起订24000个装
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    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    输入电阻:10kΩ

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@1mA,10mA

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    晶体管类型:NPN-预偏压

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    包装方式:卷带(TR)

    集电极电流(Ic):100mA

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    库存:

    - +
    onsemi 数字晶体管 MUN2215T1G 起订300个装
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    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    输入电阻:10kΩ

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@1mA,10mA

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    晶体管类型:NPN-预偏压

    集电集截止电流(Icbo):500nA

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    包装方式:卷带(TR)

    集电极电流(Ic):100mA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi 数字晶体管 MUN2215T1G 起订600个装
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    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    输入电阻:10kΩ

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@1mA,10mA

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    晶体管类型:NPN-预偏压

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    包装清单:商品主体 * 1

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    - +
    onsemi 数字晶体管 MUN2215T1G 起订59个装
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    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    输入电阻:10kΩ

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@1mA,10mA

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    晶体管类型:NPN-预偏压

    集电集截止电流(Icbo):500nA

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    包装方式:卷带(TR)

    集电极电流(Ic):100mA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi 数字晶体管 MUN2215T1G 起订13个装
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    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@1mA,10mA

    集电集截止电流(Icbo):500nA

    包装方式:卷带(TR)

    ECCN:EAR99

    直流增益(hFE@Ic,Vce):160@5mA,10V

    集电极电流(Ic):100mA

    输入电阻:10kΩ

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    功率:338mW

    晶体管类型:NPN-预偏压

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi 数字晶体管 MUN2215T1G 起订3000个装
    onsemi 数字晶体管 MUN2215T1G 起订3000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@1mA,10mA

    集电集截止电流(Icbo):500nA

    包装方式:卷带(TR)

    直流增益(hFE@Ic,Vce):160@5mA,10V

    集电极电流(Ic):100mA

    输入电阻:10kΩ

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    功率:338mW

    晶体管类型:NPN-预偏压

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi 数字晶体管 MUN2215T1G 起订45000个装
    onsemi 数字晶体管 MUN2215T1G 起订45000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@1mA,10mA

    集电集截止电流(Icbo):500nA

    包装方式:卷带(TR)

    直流增益(hFE@Ic,Vce):160@5mA,10V

    集电极电流(Ic):100mA

    输入电阻:10kΩ

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    功率:338mW

    晶体管类型:NPN-预偏压

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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