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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：981，"9999"：637}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IST007N04NM6AUMA1
工作温度：-55℃~+175℃
功率：250W€3.8W
阈值电压：3.3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：152nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7.9nF@20V
连续漏极电流：54A€440A
类型：1个N沟道
导通电阻：700mΩ@100A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS4470
工作温度：-55℃~+175℃
功率：2.5W
阈值电压：5V@250μA
栅极电荷：63nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.659nF@20V
连续漏极电流：12.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：9mΩ@10V，12.5A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS4675
工作温度：-55℃~+175℃
功率：2.4W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：56nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4.35nF@20V
连续漏极电流：11A
类型：1个P沟道
导通电阻：13mΩ@11A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMYS1D3N04CTWG
工作温度：-55℃~+175℃
功率：3.9W€134W
阈值电压：3.5V@180μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：75nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4.855nF@25V
连续漏极电流：252A€43A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.15mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN1R5-40YSDX
工作温度：-55℃~+175℃
功率：238W
阈值电压：3.6V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：99nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7.752nF@20V
连续漏极电流：240A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.5mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN1R5-40YSDX
工作温度：-55℃~+175℃
功率：238W
阈值电压：3.6V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：99nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7.752nF@20V
连续漏极电流：240A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.5mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJD50N04-AU_L2_000A1
工作温度：-55℃~+175℃
功率：2.4W€64.9W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.258nF@25V
连续漏极电流：9.6A€50A
类型：1个N沟道
导通电阻：9.5mΩ@8A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS4675
工作温度：-55℃~+175℃
功率：2.4W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：56nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4.35nF@20V
连续漏极电流：11A
类型：1个P沟道
导通电阻：13mΩ@11A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN4R3-40MSHX
工作温度：-55℃~+175℃
功率：90W
阈值电压：3.6V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.338nF@25V
连续漏极电流：95A
类型：1个N沟道
导通电阻：4.3mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMYS1D3N04CTWG
工作温度：-55℃~+175℃
功率：3.9W€134W
阈值电压：3.5V@180μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：75nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4.855nF@25V
连续漏极电流：252A€43A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.15mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN4R3-40MSHX
工作温度：-55℃~+175℃
功率：90W
阈值电压：3.6V@1mA
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.338nF@25V
连续漏极电流：95A
类型：1个N沟道
导通电阻：4.3mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IST007N04NM6AUMA1
工作温度：-55℃~+175℃
功率：250W€3.8W
阈值电压：3.3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：152nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7.9nF@20V
连续漏极电流：54A€440A
类型：1个N沟道
导通电阻：700mΩ@100A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN1R5-40YSDX
工作温度：-55℃~+175℃
功率：238W
阈值电压：3.6V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：99nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7.752nF@20V
连续漏极电流：240A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.5mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN4R3-40MSHX
工作温度：-55℃~+175℃
功率：90W
阈值电压：3.6V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.338nF@25V
连续漏极电流：95A
类型：1个N沟道
导通电阻：4.3mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS4675
工作温度：-55℃~+175℃
功率：2.4W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：56nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4.35nF@20V
连续漏极电流：11A
类型：1个P沟道
导通电阻：13mΩ@11A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFWS2D3P04M8LT1G
工作温度：-55℃~+175℃
功率：3.8W€205W
阈值电压：2.4V@2.7mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：157nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5.985nF@20V
连续漏极电流：31A€222A
类型：1个P沟道
导通电阻：2.2mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN1R5-40YSDX
工作温度：-55℃~+175℃
功率：238W
阈值电压：3.6V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：99nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7.752nF@20V
连续漏极电流：240A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.5mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN4R3-40MSHX
工作温度：-55℃~+175℃
功率：90W
阈值电压：3.6V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.338nF@25V
连续漏极电流：95A
类型：1个N沟道
导通电阻：4.3mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUM40012EL-GE3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：150W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：195nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10.93nF@20V
连续漏极电流：150A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.67mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJD50N04-AU_L2_000A1
工作温度：-55℃~+175℃
功率：2.4W€64.9W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.258nF@25V
连续漏极电流：9.6A€50A
类型：1个N沟道
导通电阻：9.5mΩ@8A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJD50N04-AU_L2_000A1
工作温度：-55℃~+175℃
功率：2.4W€64.9W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.258nF@25V
连续漏极电流：9.6A€50A
类型：1个N沟道
导通电阻：9.5mΩ@8A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS4470
工作温度：-55℃~+175℃
功率：2.5W
阈值电压：5V@250μA
栅极电荷：63nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.659nF@20V
连续漏极电流：12.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：9mΩ@10V，12.5A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS4675
工作温度：-55℃~+175℃
功率：2.4W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：56nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4.35nF@20V
连续漏极电流：11A
类型：1个P沟道
导通电阻：13mΩ@11A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IST007N04NM6AUMA1
工作温度：-55℃~+175℃
功率：250W€3.8W
阈值电压：3.3V@250μA
栅极电荷：152nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7.9nF@20V
连续漏极电流：54A€440A
类型：1个N沟道
导通电阻：700mΩ@100A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS4470
工作温度：-55℃~+175℃
功率：2.5W
阈值电压：5V@250μA
栅极电荷：63nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.659nF@20V
连续漏极电流：12.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：9mΩ@10V，12.5A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS4470
工作温度：-55℃~+175℃
功率：2.5W
阈值电压：5V@250μA
栅极电荷：63nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.659nF@20V
连续漏极电流：12.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：9mΩ@10V，12.5A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：921，"23+"：1866}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IST007N04NM6AUMA1
工作温度：-55℃~+175℃
功率：250W€3.8W
阈值电压：3.3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：152nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7.9nF@20V
连续漏极电流：54A€440A
类型：1个N沟道
导通电阻：700mΩ@100A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS4675
工作温度：-55℃~+175℃
功率：2.4W
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：56nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4.35nF@20V
连续漏极电流：11A
类型：1个P沟道
导通电阻：13mΩ@11A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS4470
工作温度：-55℃~+175℃
功率：2.5W
阈值电压：5V@250μA
栅极电荷：63nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.659nF@20V
连续漏极电流：12.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：9mΩ@10V，12.5A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：981，"9999"：637}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IST007N04NM6AUMA1
工作温度：-55℃~+175℃
功率：250W€3.8W
阈值电压：3.3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：152nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7.9nF@20V
连续漏极电流：54A€440A
类型：1个N沟道
导通电阻：700mΩ@100A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
