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    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMZB950UPELYL
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMZB950UPELYL

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMZB950UPELYL

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:360mW

    阈值电压:950mV@250µA

    栅极电荷:2.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:43pF@10V

    连续漏极电流:500mA

    类型:P沟道

    导通电阻:1.4Ω@500mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:7
    onsemi Mosfet场效应管 NTA4151PT1G
    onsemi Mosfet场效应管 NTA4151PT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTA4151PT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:301mW

    阈值电压:1.2V@250µA

    栅极电荷:2.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:156pF@5V

    连续漏极电流:760mA

    类型:P沟道

    导通电阻:360mΩ@350mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:58
    onsemi Mosfet场效应管 NTA4151PT1G 起订65个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTA4151PT1G 起订65个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTA4151PT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:301mW

    阈值电压:1.2V@250µA

    栅极电荷:2.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:156pF@5V

    连续漏极电流:760mA

    类型:P沟道

    导通电阻:360mΩ@350mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMZ950UPEYL 起订54个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMZ950UPEYL 起订54个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMZ950UPEYL

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:360mW€2.7W

    阈值电压:950mV@250µA

    栅极电荷:2.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:43pF@10V

    连续漏极电流:500mA

    类型:P沟道

    导通电阻:1.4Ω@500mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMZ950UPEYL
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMZ950UPEYL

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMZ950UPEYL

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:360mW€2.7W

    阈值电压:950mV@250µA

    栅极电荷:2.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:43pF@10V

    连续漏极电流:500mA

    类型:P沟道

    导通电阻:1.4Ω@500mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10000
    加购:10000
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMX100UNEZ
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMX100UNEZ

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMX100UNEZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300mW€4.7W

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:2.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:123pF@10V

    连续漏极电流:1.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:160mΩ@1A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:11
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMZB950UPEYL
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMZB950UPEYL

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMZB950UPEYL

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:360mW€2.7W

    阈值电压:950mV@250µA

    栅极电荷:2.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:43pF@10V

    连续漏极电流:500mA

    类型:P沟道

    导通电阻:1.4Ω@500mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:7
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2200UDW-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2200UDW-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2200UDW-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:600mW

    阈值电压:1.2V@250µA

    栅极电荷:2.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:184pF@10V

    连续漏极电流:900mA

    导通电阻:260mΩ

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:21
    onsemi Mosfet场效应管 NTE4151PT1G
    onsemi Mosfet场效应管 NTE4151PT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTE4151PT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:313mW

    阈值电压:1.2V@250µA

    栅极电荷:2.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:156pF@5V

    连续漏极电流:760mA

    类型:P沟道

    导通电阻:360mΩ@350mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:61
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMX100UNEZ
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMX100UNEZ

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMX100UNEZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300mW€4.7W

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:2.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:123pF@10V

    连续漏极电流:1.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:160mΩ@1A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:11
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMZB950UPEYL
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMZB950UPEYL

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"17+":48970}

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMZB950UPEYL

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:360mW€2.7W

    阈值电压:950mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:2.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:43pF@10V

    连续漏极电流:500mA

    类型:P沟道

    导通电阻:1.4Ω@500mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:7669
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMZ950UPEYL
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMZ950UPEYL

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMZ950UPEYL

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:360mW€2.7W

    阈值电压:950mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:2.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:43pF@10V

    连续漏极电流:500mA

    类型:P沟道

    导通电阻:1.4Ω@500mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:9
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2200UDW-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2200UDW-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2200UDW-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:600mW

    阈值电压:1.2V@250µA

    栅极电荷:2.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:184pF@10V

    连续漏极电流:900mA

    导通电阻:260mΩ

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2200UDW-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2200UDW-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2200UDW-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:600mW

    阈值电压:1.2V@250µA

    栅极电荷:2.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:184pF@10V

    连续漏极电流:900mA

    导通电阻:260mΩ

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMX100UNEZ
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMX100UNEZ

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMX100UNEZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300mW€4.7W

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:2.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:123pF@10V

    连续漏极电流:1.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:160mΩ@1A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    onsemi Mosfet场效应管 NTA4151PT1G
    onsemi Mosfet场效应管 NTA4151PT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTA4151PT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:301mW

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:2.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:156pF@5V

    连续漏极电流:760mA

    类型:P沟道

    导通电阻:360mΩ@350mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    onsemi Mosfet场效应管 NTA4151PT1G 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTA4151PT1G 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTA4151PT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:301mW

    阈值电压:1.2V@250µA

    栅极电荷:2.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:156pF@5V

    连续漏极电流:760mA

    类型:P沟道

    导通电阻:360mΩ@350mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    加购:5
    onsemi Mosfet场效应管 NTA4151PT1G 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTA4151PT1G 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTA4151PT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:301mW

    阈值电压:1.2V@250µA

    栅极电荷:2.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:156pF@5V

    连续漏极电流:760mA

    类型:P沟道

    导通电阻:360mΩ@350mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    加购:5
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2200UDW-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2200UDW-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2200UDW-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:450mW

    阈值电压:1.2V@250µA

    栅极电荷:2.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:184pF@10V

    连续漏极电流:0.9A

    类型:P-Channel

    导通电阻:260mΩ@880mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1500
    onsemi Mosfet场效应管 NTA4151PT1G 起订24000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTA4151PT1G 起订24000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTA4151PT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:301mW

    阈值电压:1.2V@250µA

    栅极电荷:2.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:156pF@5V

    连续漏极电流:760mA

    类型:P沟道

    导通电阻:360mΩ@350mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:24000
    加购:5
    onsemi Mosfet场效应管 NTA4151PT1G
    onsemi Mosfet场效应管 NTA4151PT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTA4151PT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:301mW

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:2.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:156pF@5V

    连续漏极电流:760mA

    类型:P沟道

    导通电阻:360mΩ@350mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:13
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMZB950UPELYL 起订2000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMZB950UPELYL 起订2000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMZB950UPELYL

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:360mW

    阈值电压:950mV@250µA

    栅极电荷:2.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:43pF@10V

    连续漏极电流:500mA

    类型:P沟道

    导通电阻:1.4Ω@500mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2000
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMZB950UPELYL
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMZB950UPELYL

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMZB950UPELYL

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:360mW

    阈值电压:950mV@250µA

    栅极电荷:2.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:43pF@10V

    连续漏极电流:500mA

    类型:P沟道

    导通电阻:1.4Ω@500mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:11
    加购:5
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMZB950UPEYL
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMZB950UPEYL

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMZB950UPEYL

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:360mW€2.7W

    阈值电压:950mV@250µA

    栅极电荷:2.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:43pF@10V

    连续漏极电流:500mA

    类型:P沟道

    导通电阻:1.4Ω@500mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2200UDW-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2200UDW-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2200UDW-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:600mW

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:2.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:184pF@10V

    连续漏极电流:900mA

    导通电阻:260mΩ

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMZ950UPELYL
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMZ950UPELYL

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMZ950UPELYL

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:360mW€2.7W

    阈值电压:950mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:2.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:43pF@10V

    连续漏极电流:500mA

    类型:P沟道

    导通电阻:1.4Ω@500mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2000
    onsemi Mosfet场效应管 NTA4151PT1G
    onsemi Mosfet场效应管 NTA4151PT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTA4151PT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:301mW

    阈值电压:1.2V@250µA

    栅极电荷:2.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:156pF@5V

    连续漏极电流:760mA

    类型:P沟道

    导通电阻:360mΩ@350mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:12000
    加购:3000
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMZB950UPELYL 起订100个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMZB950UPELYL 起订100个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMZB950UPELYL

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:360mW

    阈值电压:950mV@250µA

    栅极电荷:2.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:43pF@10V

    连续漏极电流:500mA

    类型:P沟道

    导通电阻:1.4Ω@500mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMZ950UPELYL
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMZ950UPELYL

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMZ950UPELYL

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:360mW€2.7W

    阈值电压:950mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:2.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:43pF@10V

    连续漏极电流:500mA

    类型:P沟道

    导通电阻:1.4Ω@500mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:13
    onsemi Mosfet场效应管 NTA4151PT1G
    onsemi Mosfet场效应管 NTA4151PT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTA4151PT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:301mW

    阈值电压:1.2V@250µA

    栅极电荷:2.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:156pF@5V

    连续漏极电流:760mA

    类型:P沟道

    导通电阻:360mΩ@350mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:600
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