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    包装方式: 卷带(TR)
    行业应用: 工业
    漏源电压: 60V
    连续漏极电流: 35A
    当前匹配商品:200+
    商品信息
    参数
    库存/批次
    价格
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    操作
    DIODES Mosfet场效应管 DMPH6023SK3Q-13 起订5个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMPH6023SK3Q-13 起订5个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMPH6023SK3Q-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.2W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:53.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2569pF@30V

    连续漏极电流:35A

    类型:P沟道

    导通电阻:33mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    RENESAS Mosfet场效应管 RJK0655DPB-00#J5 起订1个装
    RENESAS Mosfet场效应管 RJK0655DPB-00#J5 起订1个装

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RJK0655DPB-00#J5

    工作温度:150℃

    功率:60W

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2550pF@10V

    连续漏极电流:35A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.7mΩ@17.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 GT110N06D3 起订19个装
    谷峰 Mosfet场效应管 GT110N06D3 起订19个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):GT110N06D3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:25W

    阈值电压:2.4V@250µA

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1059pF@30V

    连续漏极电流:35A

    类型:N沟道

    导通电阻:11mΩ@14A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9K12-60EX 起订10个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9K12-60EX 起订10个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK9K12-60EX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:68W

    阈值电压:2.1V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3470pF@25V

    连续漏极电流:35A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:10.7mΩ@15A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STD35NF06T4 起订3个装
    ST Mosfet场效应管 STD35NF06T4 起订3个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD35NF06T4

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:80W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1300pF@25V

    连续漏极电流:35A

    类型:N沟道

    导通电阻:20mΩ@17.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RD3L03BATTL1 起订300个装
    ROHM Mosfet场效应管 RD3L03BATTL1 起订300个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RD3L03BATTL1

    工作温度:150℃

    功率:56W

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:37nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1930pF@30V

    连续漏极电流:35A

    类型:P沟道

    导通电阻:41mΩ@35A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9K12-60EX 起订500个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9K12-60EX 起订500个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK9K12-60EX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:68W

    阈值电压:2.1V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3470pF@25V

    连续漏极电流:35A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:10.7mΩ@15A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STD35NF06LT4 起订2个装
    ST Mosfet场效应管 STD35NF06LT4 起订2个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD35NF06LT4

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:80W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:33nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1700pF@25V

    连续漏极电流:35A

    类型:N沟道

    导通电阻:17mΩ@17.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD380P06NMATMA1 起订10个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD380P06NMATMA1 起订10个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD380P06NMATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:125W

    阈值电压:4V@1.7mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:63nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2500pF@30V

    连续漏极电流:35A

    类型:P沟道

    导通电阻:38mΩ@35A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STD35P6LLF6 起订2500个装
    ST Mosfet场效应管 STD35P6LLF6 起订2500个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD35P6LLF6

    工作温度:175℃

    功率:70W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:30nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3780pF@25V

    连续漏极电流:35A

    类型:P沟道

    导通电阻:28mΩ@17.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RD3L03BATTL1 起订20个装
    ROHM Mosfet场效应管 RD3L03BATTL1 起订20个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RD3L03BATTL1

    工作温度:150℃

    功率:56W

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:37nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1930pF@30V

    连续漏极电流:35A

    类型:P沟道

    导通电阻:41mΩ@35A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STD35P6LLF6 起订1000个装
    ST Mosfet场效应管 STD35P6LLF6 起订1000个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD35P6LLF6

    工作温度:175℃

    功率:70W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:30nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3780pF@25V

    连续漏极电流:35A

    类型:P沟道

    导通电阻:28mΩ@17.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STD35P6LLF6 起订100个装
    ST Mosfet场效应管 STD35P6LLF6 起订100个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD35P6LLF6

    工作温度:175℃

    功率:70W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:30nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3780pF@25V

    连续漏极电流:35A

    类型:P沟道

    导通电阻:28mΩ@17.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STD30NF06LT4 起订10个装
    ST Mosfet场效应管 STD30NF06LT4 起订10个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD30NF06LT4

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:70W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:31nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1600pF@25V

    连续漏极电流:35A

    类型:N沟道

    导通电阻:28mΩ@18A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMPH6023SK3Q-13 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMPH6023SK3Q-13 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMPH6023SK3Q-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.2W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:53.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2569pF@30V

    连续漏极电流:35A

    类型:P沟道

    导通电阻:33mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RD3L03BATTL1 起订10个装
    ROHM Mosfet场效应管 RD3L03BATTL1 起订10个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RD3L03BATTL1

    工作温度:150℃

    功率:56W

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:37nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1930pF@30V

    连续漏极电流:35A

    类型:P沟道

    导通电阻:41mΩ@35A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STD35NF06LT4 起订2500个装
    ST Mosfet场效应管 STD35NF06LT4 起订2500个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD35NF06LT4

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:80W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:33nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1700pF@25V

    连续漏极电流:35A

    类型:N沟道

    导通电阻:17mΩ@17.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMPH6023SK3Q-13 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMPH6023SK3Q-13 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMPH6023SK3Q-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.2W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:53.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2569pF@30V

    连续漏极电流:35A

    类型:P沟道

    导通电阻:33mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMPH6023SK3Q-13 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMPH6023SK3Q-13 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMPH6023SK3Q-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.2W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:53.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2569pF@30V

    连续漏极电流:35A

    类型:P沟道

    导通电阻:33mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9K12-60EX 起订1000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9K12-60EX 起订1000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":62975,"MI+":1500}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK9K12-60EX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:68W

    阈值电压:2.1V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3470pF@25V

    连续漏极电流:35A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:10.7mΩ@15A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STD35P6LLF6 起订30个装
    ST Mosfet场效应管 STD35P6LLF6 起订30个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD35P6LLF6

    工作温度:175℃

    功率:70W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:30nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3780pF@25V

    连续漏极电流:35A

    类型:P沟道

    导通电阻:28mΩ@17.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 GT110N06D3 起订10个装
    谷峰 Mosfet场效应管 GT110N06D3 起订10个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):GT110N06D3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:25W

    阈值电压:2.4V@250µA

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1059pF@30V

    连续漏极电流:35A

    类型:N沟道

    导通电阻:11mΩ@14A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 GT110N06D3 起订1000个装
    谷峰 Mosfet场效应管 GT110N06D3 起订1000个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):GT110N06D3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:25W

    阈值电压:2.4V@250µA

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1059pF@30V

    连续漏极电流:35A

    类型:N沟道

    导通电阻:11mΩ@14A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STD35NF06LT4 起订10个装
    ST Mosfet场效应管 STD35NF06LT4 起订10个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD35NF06LT4

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:80W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:33nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1700pF@25V

    连续漏极电流:35A

    类型:N沟道

    导通电阻:17mΩ@17.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD380P06NMATMA1 起订100个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD380P06NMATMA1 起订100个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD380P06NMATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:125W

    阈值电压:4V@1.7mA

    栅极电荷:63nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2500pF@30V

    连续漏极电流:35A

    类型:P沟道

    导通电阻:38mΩ@35A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    RENESAS Mosfet场效应管 RJK0652DPB-00#J5 起订500个装
    RENESAS Mosfet场效应管 RJK0652DPB-00#J5 起订500个装

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RJK0652DPB-00#J5

    工作温度:150℃

    功率:55W

    栅极电荷:29nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4100pF@10V

    连续漏极电流:35A

    类型:N沟道

    导通电阻:7mΩ@17.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 ATP113-TL-H 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 ATP113-TL-H 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ATP113-TL-H

    工作温度:150℃

    功率:50W

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:55nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2400pF@20V

    连续漏极电流:35A

    类型:P沟道

    导通电阻:29.5mΩ@18A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 ATP113-TL-H 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 ATP113-TL-H 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ATP113-TL-H

    工作温度:150℃

    功率:50W

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:55nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2400pF@20V

    连续漏极电流:35A

    类型:P沟道

    导通电阻:29.5mΩ@18A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STD35NF06LT4 起订250个装
    ST Mosfet场效应管 STD35NF06LT4 起订250个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD35NF06LT4

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:80W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:33nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1700pF@25V

    连续漏极电流:35A

    类型:N沟道

    导通电阻:17mΩ@17.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 ATP113-TL-H 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 ATP113-TL-H 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ATP113-TL-H

    工作温度:150℃

    功率:50W

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:55nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2400pF@20V

    连续漏极电流:35A

    类型:P沟道

    导通电阻:29.5mΩ@18A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

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