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    包装方式: 卷带(TR)
    行业应用: 工业
    漏源电压: 30V
    连续漏极电流: 7.5A
    工作温度: -55℃~150℃
    当前匹配商品:100+
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    DIODES Mosfet场效应管 DMG4800LSD-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMG4800LSD-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG4800LSD-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.17W

    阈值电压:1.6V@250µA

    栅极电荷:8.56nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:798pF@10V

    连续漏极电流:7.5A

    类型:N-Channel

    导通电阻:16mΩ@9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:11
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3025LFG-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3025LFG-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3025LFG-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:605pF@15V

    连续漏极电流:7.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:18mΩ@7.8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:4
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3025LFG-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3025LFG-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3025LFG-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:11.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:605pF@15V

    连续漏极电流:7.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:18mΩ@7.8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:16
    onsemi Mosfet场效应管 NTMS4801NR2G
    onsemi Mosfet场效应管 NTMS4801NR2G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"10+":284431,"11+":2622,"12+":12500,"16+":144}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMS4801NR2G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:800mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2201pF@25V

    连续漏极电流:7.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:9mΩ@12A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:556
    ROHM Mosfet场效应管 RQ3E075ATTB
    ROHM Mosfet场效应管 RQ3E075ATTB

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RQ3E075ATTB

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:15W

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:10.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:930pF@15V

    连续漏极电流:7.5A

    类型:P-Channel

    导通电阻:23mΩ@7.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:20
    ROHM Mosfet场效应管 RQ3E075ATTB
    ROHM Mosfet场效应管 RQ3E075ATTB

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RQ3E075ATTB

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:15W

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:10.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:930pF@15V

    连续漏极电流:7.5A

    类型:P-Channel

    导通电阻:23mΩ@7.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    ROHM Mosfet场效应管 RQ3E075ATTB
    ROHM Mosfet场效应管 RQ3E075ATTB

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RQ3E075ATTB

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:15W

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:10.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:930pF@15V

    连续漏极电流:7.5A

    类型:P-Channel

    导通电阻:23mΩ@7.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3025LFG-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3025LFG-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3025LFG-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:605pF@15V

    连续漏极电流:7.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:18mΩ@7.8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    AOS Mosfet场效应管 AO6402A
    AOS Mosfet场效应管 AO6402A

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO6402A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:820pF@15V

    连续漏极电流:7.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:27mΩ@7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:11
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP3A16GTA
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP3A16GTA

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMP3A16GTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:29.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1022pF@15V

    连续漏极电流:7.5A

    类型:P-Channel

    导通电阻:45mΩ@4.2A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    DIODES Mosfet场效应管 DMG4800LSD-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMG4800LSD-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG4800LSD-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.17W

    阈值电压:1.6V@250µA

    栅极电荷:8.56nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:798pF@10V

    连续漏极电流:7.5A

    类型:N-Channel

    导通电阻:16mΩ@9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    加购:5
    DIODES Mosfet场效应管 DMG4800LSD-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMG4800LSD-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG4800LSD-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.17W

    阈值电压:1.6V@250µA

    栅极电荷:8.56nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:798pF@10V

    连续漏极电流:7.5A

    类型:N-Channel

    导通电阻:16mΩ@9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5
    ROHM Mosfet场效应管 RQ3E075ATTB
    ROHM Mosfet场效应管 RQ3E075ATTB

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RQ3E075ATTB

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:15W

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:10.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:930pF@15V

    连续漏极电流:7.5A

    类型:P-Channel

    导通电阻:23mΩ@7.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    DIODES Mosfet场效应管 DMG4800LSD-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMG4800LSD-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG4800LSD-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.17W

    阈值电压:1.6V@250µA

    栅极电荷:8.56nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:798pF@10V

    连续漏极电流:7.5A

    类型:N-Channel

    导通电阻:16mΩ@9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:50
    加购:5
    ROHM Mosfet场效应管 RQ3E075ATTB
    ROHM Mosfet场效应管 RQ3E075ATTB

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RQ3E075ATTB

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:15W

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:10.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:930pF@15V

    连续漏极电流:7.5A

    类型:P-Channel

    导通电阻:23mΩ@7.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:20
    AOS Mosfet场效应管 AO6402A 起订1500个装
    AOS Mosfet场效应管 AO6402A 起订1500个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO6402A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:820pF@15V

    连续漏极电流:7.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:27mΩ@7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1500
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3025LFG-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3025LFG-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3025LFG-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:11.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:605pF@15V

    连续漏极电流:7.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:18mΩ@7.8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:200
    DIODES Mosfet场效应管 DMG4800LSD-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMG4800LSD-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG4800LSD-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.17W

    阈值电压:1.6V@250µA

    栅极电荷:8.56nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:798pF@10V

    连续漏极电流:7.5A

    类型:N-Channel

    导通电阻:16mΩ@9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    onsemi Mosfet场效应管 NTMS4801NR2G
    onsemi Mosfet场效应管 NTMS4801NR2G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"10+":284431,"11+":2622,"12+":12500,"16+":144}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMS4801NR2G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:800mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2201pF@25V

    连续漏极电流:7.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:9mΩ@12A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    DIODES Mosfet场效应管 DMG4800LSD-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMG4800LSD-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG4800LSD-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.17W

    阈值电压:1.6V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8.56nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:798pF@10V

    连续漏极电流:7.5A

    类型:N-Channel

    导通电阻:16mΩ@9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMPB16EPX
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMPB16EPX

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMPB16EPX

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W€12.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:44nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1418pF@15V

    连续漏极电流:7.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:20mΩ@7.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    加购:5
    DIODES Mosfet场效应管 DMG4800LSD-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMG4800LSD-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG4800LSD-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.17W

    阈值电压:1.6V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8.56nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:798pF@10V

    连续漏极电流:7.5A

    类型:N-Channel

    导通电阻:16mΩ@9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3025LFG-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3025LFG-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3025LFG-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:11.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:605pF@15V

    连续漏极电流:7.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:18mΩ@7.8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    加购:5
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3024SFG-13 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3024SFG-13 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3024SFG-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:900mW

    阈值电压:2.4V@250µA

    栅极电荷:10.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:479pF@15V

    连续漏极电流:7.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:23mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    onsemi Mosfet场效应管 FDS6910
    onsemi Mosfet场效应管 FDS6910

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"23+":1000,"24+":600,"MI+":0}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS6910

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:900mW

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1130pF@15V

    连续漏极电流:7.5A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:13mΩ@7.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5000
    ROHM Mosfet场效应管 RQ3E075ATTB
    ROHM Mosfet场效应管 RQ3E075ATTB

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RQ3E075ATTB

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:15W

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:10.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:930pF@15V

    连续漏极电流:7.5A

    类型:P-Channel

    导通电阻:23mΩ@7.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3024SFG-7 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3024SFG-7 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3024SFG-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:900mW

    阈值电压:2.4V@250µA

    栅极电荷:10.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:479pF@15V

    连续漏极电流:7.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:23mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RQ3E075ATTB
    ROHM Mosfet场效应管 RQ3E075ATTB

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RQ3E075ATTB

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:15W

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:10.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:930pF@15V

    连续漏极电流:7.5A

    类型:P-Channel

    导通电阻:23mΩ@7.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3025LFG-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3025LFG-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3025LFG-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:11.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:605pF@15V

    连续漏极电流:7.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:18mΩ@7.8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    加购:5
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP3A16GTA
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP3A16GTA

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMP3A16GTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:29.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1022pF@15V

    连续漏极电流:7.5A

    类型:P-Channel

    导通电阻:45mΩ@4.2A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:4000
    加购:1000
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