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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ4153EY-T1_BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：7.1W
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：151nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11000pF@6V
连续漏极电流：25A
类型：P沟道
导通电阻：8.32mΩ@14A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
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功率：7.1W
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：151nC@4.5V
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输入电容：11000pF@6V
连续漏极电流：25A
类型：P沟道
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栅极电荷：151nC@4.5V
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连续漏极电流：25A
类型：P沟道
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类型：P沟道
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阈值电压：900mV@250µA
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连续漏极电流：25A
类型：P沟道
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功率：7.1W
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：151nC@4.5V
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输入电容：11000pF@6V
连续漏极电流：25A
类型：P沟道
导通电阻：8.32mΩ@14A，4.5V
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功率：7.1W
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：151nC@4.5V
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输入电容：11000pF@6V
连续漏极电流：25A
类型：P沟道
导通电阻：8.32mΩ@14A，4.5V
漏源电压：12V
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阈值电压：900mV@250µA
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输入电容：11000pF@6V
连续漏极电流：25A
类型：P沟道
导通电阻：8.32mΩ@14A，4.5V
漏源电压：12V
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规格型号(MPN)：SQ4153EY-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：7.1W
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：151nC@4.5V
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输入电容：11000pF@6V
连续漏极电流：25A
类型：P沟道
导通电阻：8.32mΩ@14A，4.5V
漏源电压：12V
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功率：7.1W
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：151nC@4.5V
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输入电容：11000pF@6V
连续漏极电流：25A
类型：P沟道
导通电阻：8.32mΩ@14A，4.5V
漏源电压：12V
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功率：7.1W
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：151nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11000pF@6V
连续漏极电流：25A
类型：P沟道
导通电阻：8.32mΩ@14A，4.5V
漏源电压：12V
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功率：7.1W
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：151nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11000pF@6V
连续漏极电流：25A
类型：P沟道
导通电阻：8.32mΩ@14A，4.5V
漏源电压：12V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SQ4153EY-T1_BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：7.1W
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：151nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11000pF@6V
连续漏极电流：25A
类型：P沟道
导通电阻：8.32mΩ@14A，4.5V
漏源电压：12V
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规格型号(MPN)：SQ4153EY-T1_BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：7.1W
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：151nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11000pF@6V
连续漏极电流：25A
类型：P沟道
导通电阻：8.32mΩ@14A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ4153EY-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：7.1W
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：151nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11000pF@6V
连续漏极电流：25A
类型：P沟道
导通电阻：8.32mΩ@14A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ4153EY-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：7.1W
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：151nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11000pF@6V
连续漏极电流：25A
类型：P沟道
导通电阻：8.32mΩ@14A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ4153EY-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：7.1W
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：151nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11000pF@6V
连续漏极电流：25A
类型：P沟道
导通电阻：8.32mΩ@14A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ4153EY-T1_GE3
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：8.32mΩ@14A，4.5V
阈值电压：900mV@250µA
工作温度：-55℃~175℃
栅极电荷：151nC@4.5V
连续漏极电流：25A
类型：P沟道
漏源电压：12V
输入电容：11000pF@6V
功率：7.1W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ4153EY-T1_BE3
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：8.32mΩ@14A，4.5V
阈值电压：900mV@250µA
工作温度：-55℃~175℃
栅极电荷：151nC@4.5V
连续漏极电流：25A
类型：P沟道
漏源电压：12V
输入电容：11000pF@6V
功率：7.1W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI5411EDU-T1-GE3
工作温度：-50℃~150℃
功率：3.1W€31W
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：105nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4100pF@6V
连续漏极电流：25A
类型：P沟道
导通电阻：8.2mΩ@6A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ4153EY-T1_GE3
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：8.32mΩ@14A，4.5V
阈值电压：900mV@250µA
工作温度：-55℃~175℃
栅极电荷：151nC@4.5V
连续漏极电流：25A
类型：P沟道
漏源电压：12V
输入电容：11000pF@6V
功率：7.1W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOC3860C
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：1.1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：25A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：3.5mΩ@5A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ4153EY-T1_BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：7.1W
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：151nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11000pF@6V
连续漏极电流：25A
类型：P沟道
导通电阻：8.32mΩ@14A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI5411EDU-T1-GE3
工作温度：-50℃~150℃
功率：3.1W€31W
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：105nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4100pF@6V
连续漏极电流：25A
类型：P沟道
导通电阻：8.2mΩ@6A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ4153EY-T1_BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：7.1W
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：151nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11000pF@6V
连续漏极电流：25A
类型：P沟道
导通电阻：8.32mΩ@14A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ4153EY-T1_BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：7.1W
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：151nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11000pF@6V
连续漏极电流：25A
类型：P沟道
导通电阻：8.32mΩ@14A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI5411EDU-T1-GE3
工作温度：-50℃~150℃
功率：3.1W€31W
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：105nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4100pF@6V
连续漏极电流：25A
类型：P沟道
导通电阻：8.2mΩ@6A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
