品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ099N06LS5ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:36W
阈值电压:2.3V@14µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1300pF@30V
连续漏极电流:46A
类型:N沟道
导通电阻:9.9mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":10000,"24+":2160}
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUZ40N10S5L120ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:62W
阈值电压:2.2V@27µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1589pF@50V
连续漏极电流:46A
类型:N沟道
导通电阻:12mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC097N06NSATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€36W
阈值电压:3.3V@14µA
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1075pF@30V
连续漏极电流:46A
类型:N沟道
导通电阻:9.7mΩ@40A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9624-55A,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:105W
阈值电压:2V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1815pF@25V
连续漏极电流:46A
类型:N沟道
导通电阻:21.7mΩ@25A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB65R045C7ATMA2
工作温度:-55℃~150℃
功率:227W
阈值电压:4V@1.25mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:93nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4340pF@400V
连续漏极电流:46A
类型:N沟道
导通电阻:45mΩ@24.9A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9Y19-55B,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:85W
阈值电压:2V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1992pF@25V
连续漏极电流:46A
类型:N沟道
导通电阻:17.3mΩ@20A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9Y19-55B,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:85W
阈值电压:2V@1mA
栅极电荷:18nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1992pF@25V
连续漏极电流:46A
类型:N沟道
导通电阻:17.3mΩ@20A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJA94EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:55W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2000pF@25V
连续漏极电流:46A
类型:N沟道
导通电阻:13.5mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN014-40YS,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:56W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:702pF@20V
连续漏极电流:46A
类型:N沟道
导通电阻:14mΩ@5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7463ADP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€39W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:144nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4150pF@20V
连续漏极电流:46A
类型:P沟道
导通电阻:10mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJA84EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:55W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2100pF@25V
连续漏极电流:46A
类型:N沟道
导通电阻:12.5mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7463ADP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€39W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:144nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4150pF@20V
连续漏极电流:46A
类型:P沟道
导通电阻:10mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN014-40YS,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:56W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:702pF@20V
连续漏极电流:46A
类型:N沟道
导通电阻:14mΩ@5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJA81EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5900pF@25V
连续漏极电流:46A
类型:P沟道
导通电阻:17.3mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":110,"22+":4000}
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9629-100B,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:157W
阈值电压:2V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:33nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4360pF@25V
连续漏极电流:46A
类型:N沟道
导通电阻:27mΩ@25A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9Y19-55B,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:85W
阈值电压:2V@1mA
栅极电荷:18nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1992pF@25V
连续漏极电流:46A
类型:N沟道
导通电阻:17.3mΩ@20A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC007N30D
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.9W€2.5W
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1110pF@15V€2360pF@15V
连续漏极电流:46A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:11.6mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD5865NLT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:71W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:29nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1400pF@25V
连续漏极电流:46A
类型:N沟道
导通电阻:16mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9Y19-55B,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:85W
阈值电压:2V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1992pF@25V
连续漏极电流:46A
类型:N沟道
导通电阻:17.3mΩ@20A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK6R7P06PL,RQ
工作温度:175℃
功率:66W
阈值电压:2.5V@300µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1990pF@30V
连续漏极电流:46A
类型:N沟道
导通电阻:6.7mΩ@23A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4136DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W€7.8W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4560pF@10V
连续漏极电流:46A
类型:N沟道
导通电阻:2mΩ@15A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ099N06LS5ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:36W
阈值电压:2.3V@14µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1300pF@30V
连续漏极电流:46A
类型:N沟道
导通电阻:9.9mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9Y19-55B,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:85W
阈值电压:2V@1mA
栅极电荷:18nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1992pF@25V
连续漏极电流:46A
类型:N沟道
导通电阻:17.3mΩ@20A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC097N06NSATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€36W
阈值电压:3.3V@14µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1075pF@30V
连续漏极电流:46A
类型:N沟道
导通电阻:9.7mΩ@40A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7463ADP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€39W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:144nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4150pF@20V
连续漏极电流:46A
类型:P沟道
导通电阻:10mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7463ADP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€39W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:144nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4150pF@20V
连续漏极电流:46A
类型:P沟道
导通电阻:10mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD46P4LLF6
工作温度:175℃
功率:70W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:34nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3525pF@25V
连续漏极电流:46A
类型:P沟道
导通电阻:15mΩ@23A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9Y19-55B,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:85W
阈值电压:2V@1mA
栅极电荷:18nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1992pF@25V
连续漏极电流:46A
类型:N沟道
导通电阻:17.3mΩ@20A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STL60N10F7
工作温度:-55℃~175℃
功率:5W€72W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1640pF@50V
连续漏极电流:46A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@6A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJA81EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5900pF@25V
连续漏极电流:46A
类型:P沟道
导通电阻:17.3mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存: