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品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD75301W1015
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：195pF@10V
连续漏极电流：1.2A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：100mΩ@1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSP296NH6433XTMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：1.8V@100µA
栅极电荷：6.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：152.7pF@25V
连续漏极电流：1.2A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@1.2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMZB290UNE2YL
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW€5.43W
阈值电压：950mV@250µA
栅极电荷：1.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：46pF@10V
连续漏极电流：1.2A
类型：N沟道
导通电阻：320mΩ@1.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMZB290UNE2YL
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW€5.43W
阈值电压：950mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：46pF@10V
连续漏极电流：1.2A
类型：N沟道
导通电阻：320mΩ@1.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSP296NH6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：1.8V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：152.7pF@25V
连续漏极电流：1.2A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@1.2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN6A07FQTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：625mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：3.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：166pF@40V
连续漏极电流：1.2A
类型：N沟道
导通电阻：250mΩ@1.8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLML2402TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：540mW
阈值电压：700mV@250µA
栅极电荷：3.9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：110pF@15V
连续漏极电流：1.2A
类型：N沟道
导通电阻：250mΩ@930mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN6A07FTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：625mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：3.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：166pF@40V
连续漏极电流：1.2A
类型：N沟道
导通电阻：250mΩ@1.8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3731UFB4-7B
工作温度：-55℃~150℃
功率：520mW
阈值电压：950mV@250µA
栅极电荷：5.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：73pF@25V
连续漏极电流：1.2A
类型：N沟道
导通电阻：460mΩ@200mA，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN6A07FTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：625mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：3.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：166pF@40V
连续漏极电流：1.2A
类型：N沟道
导通电阻：250mΩ@1.8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMZB290UNE2YL
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW€5.43W
阈值电压：950mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：46pF@10V
连续漏极电流：1.2A
类型：N沟道
导通电阻：320mΩ@1.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3440DV-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.14W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：1.2A
类型：N沟道
导通电阻：375mΩ@1.5A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLML2060TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：2.5V@25µA
栅极电荷：0.67nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：64pF@25V
连续漏极电流：1.2A
类型：N沟道
导通电阻：480mΩ@1.2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMZ290UNE2YL
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW€5.43W
阈值电压：950mV@250µA
栅极电荷：1.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：46pF@10V
连续漏极电流：1.2A
类型：N沟道
导通电阻：320mΩ@1.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTS4173PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：290mW
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：10.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：430pF@15V
连续漏极电流：1.2A
类型：P沟道
导通电阻：150mΩ@1.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：1841
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3440DV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.14W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：1.2A
类型：N沟道
导通电阻：375mΩ@1.5A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSP296NH6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：1.8V@100µA
栅极电荷：6.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：152.7pF@25V
连续漏极电流：1.2A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@1.2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTS4173PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：290mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：430pF@15V
连续漏极电流：1.2A
类型：P沟道
导通电阻：150mΩ@1.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMZB290UNE2YL
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW€5.43W
阈值电压：950mV@250µA
栅极电荷：1.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：46pF@10V
连续漏极电流：1.2A
类型：N沟道
导通电阻：320mΩ@1.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLML2803TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：540mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：85pF@25V
连续漏极电流：1.2A
类型：N沟道
导通电阻：250mΩ@910mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDG1024NZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@10V
连续漏极电流：1.2A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：175mΩ@1.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMZB290UNE2YL
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW€5.43W
阈值电压：950mV@250µA
栅极电荷：1.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：46pF@10V
连续漏极电流：1.2A
类型：N沟道
导通电阻：320mΩ@1.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLML2402TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：540mW
阈值电压：700mV@250µA
栅极电荷：3.9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：110pF@15V
连续漏极电流：1.2A
类型：N沟道
导通电阻：250mΩ@930mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMZB290UNE2YL
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW€5.43W
阈值电压：950mV@250µA
栅极电荷：1.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：46pF@10V
连续漏极电流：1.2A
类型：N沟道
导通电阻：320mΩ@1.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTS4173PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：290mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：430pF@15V
连续漏极电流：1.2A
类型：P沟道
导通电阻：150mΩ@1.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3440DV-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.14W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：1.2A
类型：N沟道
导通电阻：375mΩ@1.5A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3440DV-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.14W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：1.2A
类型：N沟道
导通电阻：375mΩ@1.5A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDG1024NZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@10V
连续漏极电流：1.2A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：175mΩ@1.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLML2060TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：2.5V@25µA
栅极电荷：0.67nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：64pF@25V
连续漏极电流：1.2A
类型：N沟道
导通电阻：480mΩ@1.2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3440DV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.14W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：1.2A
类型：N沟道
导通电阻：375mΩ@1.5A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
