采购热线 400-661-9010
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS84AKVL
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.35nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：36pF@25V
连续漏极电流：180mA
类型：P沟道
导通电阻：7.5Ω@100mA，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISS55EP06LMXTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：400mW
阈值电压：2V@11µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.59nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：18pF@30V
连续漏极电流：180mA
类型：P沟道
导通电阻：5.5Ω@180mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002AQ-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：370mW
阈值电压：2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：23pF@25V
连续漏极电流：180mA
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@115mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISS55EP06LMXTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：400mW
阈值电压：2V@11µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.59nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：18pF@30V
连续漏极电流：180mA
类型：P沟道
导通电阻：5.5Ω@180mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP610DL-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：310mW
阈值电压：2V@1mA
栅极电荷：0.56nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：24.6pF@25V
连续漏极电流：180mA
类型：P沟道
导通电阻：10Ω@100mA，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN65D8LDWQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：22pF@25V
连续漏极电流：180mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：6Ω@115mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NX3020NAKW，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：260mW€1.1W
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：0.44nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：13pF@10V
连续漏极电流：180mA
类型：N沟道
导通电阻：4.5Ω@100mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP58D0LFB-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：470mW
阈值电压：2.1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：27pF@25V
连续漏极电流：180mA
类型：P沟道
导通电阻：8Ω@100mA，5V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP510DL-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：310mW
阈值电压：2V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：24.6pF@25V
连续漏极电流：180mA
类型：P沟道
导通电阻：10Ω@100mA，5V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NX3020NAKS，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：375mW
阈值电压：1.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：13pF@10V
连续漏极电流：180mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：4.5Ω@100mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NX3020NAKW，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：260mW€1.1W
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：0.44nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：13pF@10V
连续漏极电流：180mA
类型：N沟道
导通电阻：4.5Ω@100mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP510DL-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：310mW
阈值电压：2V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：24.6pF@25V
连续漏极电流：180mA
类型：P沟道
导通电阻：10Ω@100mA，5V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002A-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：370mW
阈值电压：2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：23pF@25V
连续漏极电流：180mA
类型：N沟道
导通电阻：6Ω@115mA，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002AQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：370mW
阈值电压：2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：23pF@25V
连续漏极电流：180mA
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@115mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP510DL-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：310mW
阈值电压：2V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：24.6pF@25V
连续漏极电流：180mA
类型：P沟道
导通电阻：10Ω@100mA，5V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN65D8LDW-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：22pF@25V
连续漏极电流：180mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：6Ω@115mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS84AK，215
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW€1.14W
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：0.35nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：36pF@25V
连续漏极电流：180mA
类型：P沟道
导通电阻：7.5Ω@100mA，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP610DL-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：310mW
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.56nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：24.6pF@25V
连续漏极电流：180mA
类型：P沟道
导通电阻：10Ω@100mA，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002AQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：370mW
阈值电压：2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：23pF@25V
连续漏极电流：180mA
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@115mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDS0605
工作温度：-55℃~+150℃
功率：360mW
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：2.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：79pF@25V
连续漏极电流：180mA
类型：1个P沟道
导通电阻：5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP58D0LFB-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：470mW
阈值电压：2.1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：27pF@25V
连续漏极电流：180mA
类型：P沟道
导通电阻：8Ω@100mA，5V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RV2C002UNT2L
工作温度：150℃
功率：100mW
阈值电压：1V@100µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12pF@10V
连续漏极电流：180mA
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@150mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN65D8LDW-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：22pF@25V
连续漏极电流：180mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：6Ω@115mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K35CT，L3F
工作温度：150℃
功率：100mW
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9.5pF@3V
连续漏极电流：180mA
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@50mA，4V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NX3020NAKS，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：375mW
阈值电压：1.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：13pF@10V
连续漏极电流：180mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：4.5Ω@100mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NX3020NAKS，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：375mW
阈值电压：1.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：13pF@10V
连续漏极电流：180mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：4.5Ω@100mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NX3020NAKS，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：375mW
阈值电压：1.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：13pF@10V
连续漏极电流：180mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：4.5Ω@100mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002AQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：370mW
阈值电压：2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：23pF@25V
连续漏极电流：180mA
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@115mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002AQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：370mW
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：23pF@25V
连续漏极电流：180mA
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@115mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RV2C002UNT2L
工作温度：150℃
功率：100mW
阈值电压：1V@100µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12pF@10V
连续漏极电流：180mA
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@150mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
