采购热线 400-661-9010
销售单位：个
规格型号(MPN)：STL140N6F7
工作温度：175℃
功率：4.8W€125W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2700pF@25V
连续漏极电流：145A
类型：N沟道
导通电阻：2.5mΩ@16A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBG015N065SC1
工作温度：-55℃~175℃
功率：500W
阈值电压：4.3V@25mA
栅极电荷：283nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4689pF@325V
连续漏极电流：145A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@75A，18V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STL140N6F7
工作温度：175℃
功率：4.8W€125W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2700pF@25V
连续漏极电流：145A
类型：N沟道
导通电阻：2.5mΩ@16A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8444
工作温度：-55℃~175℃
功率：153W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：116nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6195pF@25V
连续漏极电流：145A
类型：N沟道
导通电阻：5.2mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STL140N6F7
工作温度：175℃
功率：4.8W€125W
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输入电容：2700pF@25V
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类型：N沟道
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FDD8444
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功率：153W
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ECCN：EAR99
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类型：N沟道
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包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBG015N065SC1
工作温度：-55℃~175℃
功率：500W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：283nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4689pF@325V
连续漏极电流：145A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@75A，18V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
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销售单位：个
规格型号(MPN)：STL140N6F7
工作温度：175℃
功率：4.8W€125W
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栅极电荷：40nC@10V
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输入电容：2700pF@25V
连续漏极电流：145A
类型：N沟道
导通电阻：2.5mΩ@16A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBG015N065SC1
工作温度：-55℃~175℃
功率：500W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：283nC@18V
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连续漏极电流：145A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@75A，18V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBG015N065SC1
工作温度：-55℃~175℃
功率：500W
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类型：N沟道
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品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：STL140N6F7
工作温度：175℃
功率：4.8W€125W
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类型：N沟道
导通电阻：2.5mΩ@16A，10V
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8444
工作温度：-55℃~175℃
功率：153W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：116nC@10V
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输入电容：6195pF@25V
连续漏极电流：145A
类型：N沟道
导通电阻：5.2mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STL140N6F7
工作温度：175℃
功率：4.8W€125W
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连续漏极电流：145A
类型：N沟道
导通电阻：2.5mΩ@16A，10V
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FDD8444
工作温度：-55℃~175℃
功率：153W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：116nC@10V
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连续漏极电流：145A
类型：N沟道
导通电阻：5.2mΩ@50A，10V
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBG015N065SC1
工作温度：-55℃~175℃
功率：500W
阈值电压：4.3V@25mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：283nC@18V
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输入电容：4689pF@325V
连续漏极电流：145A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@75A，18V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBG015N065SC1
工作温度：-55℃~175℃
功率：500W
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连续漏极电流：145A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@75A，18V
漏源电压：650V
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBG015N065SC1
工作温度：-55℃~175℃
功率：500W
阈值电压：4.3V@25mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：283nC@18V
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连续漏极电流：145A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@75A，18V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBG015N065SC1
工作温度：-55℃~175℃
功率：500W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：283nC@18V
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连续漏极电流：145A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@75A，18V
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包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STL140N6F7
工作温度：175℃
功率：4.8W€125W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2700pF@25V
连续漏极电流：145A
类型：N沟道
导通电阻：2.5mΩ@16A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8444
工作温度：-55℃~175℃
功率：153W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：116nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6195pF@25V
连续漏极电流：145A
类型：N沟道
导通电阻：5.2mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBG015N065SC1
工作温度：-55℃~175℃
功率：500W
阈值电压：4.3V@25mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：283nC@18V
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输入电容：4689pF@325V
连续漏极电流：145A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@75A，18V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8444
工作温度：-55℃~175℃
功率：153W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：116nC@10V
包装方式：卷带（TR）
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连续漏极电流：145A
类型：N沟道
导通电阻：5.2mΩ@50A，10V
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包装清单：商品主体 * 1
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销售单位：个
规格型号(MPN)：STL140N6F7
工作温度：175℃
功率：4.8W€125W
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栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2700pF@25V
连续漏极电流：145A
类型：N沟道
导通电阻：2.5mΩ@16A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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销售单位：个
规格型号(MPN)：STL140N6F7
工作温度：175℃
功率：4.8W€125W
阈值电压：4V@1mA
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输入电容：2700pF@25V
连续漏极电流：145A
类型：N沟道
导通电阻：2.5mΩ@16A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：800psc
规格型号(MPN)：NTBG015N065SC1
阈值电压：4.3V@25mA
包装方式：卷带（TR）
类型：N沟道
连续漏极电流：145A
工作温度：-55℃~175℃
漏源电压：650V
栅极电荷：283nC@18V
导通电阻：18mΩ@75A，18V
功率：500W
输入电容：4689pF@325V
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8444
包装方式：卷带（TR）
功率：153W
漏源电压：40V
类型：N沟道
输入电容：6195pF@25V
连续漏极电流：145A
工作温度：-55℃~175℃
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
导通电阻：5.2mΩ@50A，10V
栅极电荷：116nC@10V
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8444
工作温度：-55℃~175℃
功率：153W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：116nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6195pF@25V
连续漏极电流：145A
类型：N沟道
导通电阻：5.2mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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销售单位：个
规格型号(MPN)：STL140N6F7
工作温度：175℃
功率：4.8W€125W
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连续漏极电流：145A
类型：N沟道
导通电阻：2.5mΩ@16A，10V
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8444
工作温度：-55℃~175℃
功率：153W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：116nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6195pF@25V
连续漏极电流：145A
类型：N沟道
导通电阻：5.2mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STL140N6F7
工作温度：175℃
功率：4.8W€125W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2700pF@25V
连续漏极电流：145A
类型：N沟道
导通电阻：2.5mΩ@16A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
