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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6006PND3FRATL
功率：87W
阈值电压：4.5V@1mA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：460pF@25V
连续漏极电流：6A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.2Ω@3A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6006PND3FRATL
功率：87W
阈值电压：4.5V@1mA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：460pF@25V
连续漏极电流：6A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.2Ω@3A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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功率：87W
阈值电压：4.5V@1mA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：460pF@25V
连续漏极电流：6A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.2Ω@3A，10V
漏源电压：600V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：R6006PND3FRATL
功率：87W
阈值电压：4.5V@1mA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：460pF@25V
连续漏极电流：6A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.2Ω@3A，10V
漏源电压：600V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：R6006PND3FRATL
功率：87W
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栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：460pF@25V
连续漏极电流：6A
类型：1个N沟道
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分类：Mosfet场效应管
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规格型号(MPN)：R6006PND3FRATL
功率：87W
阈值电压：4.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：460pF@25V
连续漏极电流：6A
类型：1个N沟道
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：R6006PND3FRATL
功率：87W
阈值电压：4.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
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输入电容：460pF@25V
连续漏极电流：6A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.2Ω@3A，10V
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功率：87W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：460pF@25V
连续漏极电流：6A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.2Ω@3A，10V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：R6006PND3FRATL
功率：87W
阈值电压：4.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：460pF@25V
连续漏极电流：6A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.2Ω@3A，10V
漏源电压：600V
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：R6006PND3FRATL
功率：87W
阈值电压：4.5V@1mA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：460pF@25V
连续漏极电流：6A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.2Ω@3A，10V
漏源电压：600V
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6006PND3FRATL
功率：87W
阈值电压：4.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：460pF@25V
连续漏极电流：6A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.2Ω@3A，10V
漏源电压：600V
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6006PND3FRATL
功率：87W
阈值电压：4.5V@1mA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：460pF@25V
连续漏极电流：6A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.2Ω@3A，10V
漏源电压：600V
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6006PND3FRATL
功率：87W
阈值电压：4.5V@1mA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：460pF@25V
连续漏极电流：6A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.2Ω@3A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6006PND3FRATL
功率：87W
阈值电压：4.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：460pF@25V
连续漏极电流：6A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.2Ω@3A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6006PND3FRATL
功率：87W
阈值电压：4.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：460pF@25V
连续漏极电流：6A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.2Ω@3A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6006PND3FRATL
功率：87W
阈值电压：4.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：460pF@25V
连续漏极电流：6A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.2Ω@3A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6006PND3FRATL
功率：87W
阈值电压：4.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
栅极电荷：15nC@10V
导通电阻：1.2Ω@3A，10V
类型：1个N沟道
漏源电压：600V
输入电容：460pF@25V
连续漏极电流：6A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6006PND3FRATL
包装方式：卷带（TR）
类型：1个N沟道
输入电容：460pF@25V
功率：87W
阈值电压：4.5V@1mA
栅极电荷：15nC@10V
导通电阻：1.2Ω@3A，10V
漏源电压：600V
连续漏极电流：6A
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6006PND3FRATL
功率：87W
阈值电压：4.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：460pF@25V
连续漏极电流：6A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.2Ω@3A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6006PND3FRATL
功率：87W
阈值电压：4.5V@1mA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：460pF@25V
连续漏极电流：6A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.2Ω@3A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AON2260
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.8W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：426pF@30V
连续漏极电流：6A
类型：1个N沟道
导通电阻：44mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4850EY-T1-E3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：1.7W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：6A
类型：1个N沟道
导通电阻：22mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4850EY-T1-GE3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：1.7W
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：6A
类型：1个N沟道
导通电阻：22mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4850EY-T1-GE3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：1.7W
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：6A
类型：1个N沟道
导通电阻：22mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV20ENR
工作温度：-55℃~+150℃
功率：510mW€6.94W
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：10.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：435pF@15V
连续漏极电流：6A
类型：1个N沟道
导通电阻：21mΩ@10V，6A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4850EY-T1-GE3
包装方式：卷带（TR）
类型：1个N沟道
栅极电荷：27nC@10V
漏源电压：60V
阈值电压：3V@250μA
工作温度：-55℃~+175℃
连续漏极电流：6A
ECCN：EAR99
导通电阻：22mΩ@6A，10V
功率：1.7W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
