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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQS944ENW-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：27.8W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：615pF@25V
连续漏极电流：6A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：25mΩ@1.25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS5116PLWFTWG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.2W€21W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1258pF@25V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：52mΩ@7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV19XNEAR
工作温度：-55℃~175℃
功率：610mW€8.3W
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：18.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1150pF@15V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@6A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK6D43-40PX
工作温度：-55℃~175℃
功率：15W
阈值电压：2.7V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1260pF@20V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：43mΩ@6A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4850EY-T1-E3
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.7W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4850EY-T1-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.7W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK6D43-40PX
工作温度：-55℃~175℃
功率：15W
阈值电压：2.7V@250µA
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1260pF@20V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：43mΩ@6A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQS966ENW-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：27.8W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：572pF@25V
连续漏极电流：6A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：36mΩ@1.25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMBG65R260M1HXTMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：65W
阈值电压：5.7V@1.1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：201pF@400V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：346mΩ@3.6A，18V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK6D43-40PX
工作温度：-55℃~175℃
功率：15W
阈值电压：2.7V@250µA
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1260pF@20V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：43mΩ@6A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV19XNEAR
工作温度：-55℃~175℃
功率：610mW€8.3W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1150pF@15V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@6A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS5116PLTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.2W€21W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1258pF@25V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：52mΩ@7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQS944ENW-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：27.8W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：615pF@25V
连续漏极电流：6A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：25mΩ@1.25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQS944ENW-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：27.8W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：615pF@25V
连续漏极电流：6A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：25mΩ@1.25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV19XNEAR
工作温度：-55℃~175℃
功率：610mW€8.3W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1150pF@15V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@6A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQS966ENW-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：27.8W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：572pF@25V
连续漏极电流：6A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：36mΩ@1.25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV19XNEAR
工作温度：-55℃~175℃
功率：610mW€8.3W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1150pF@15V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@6A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4850EY-T1-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.7W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS5116PLWFTWG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.2W€21W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1258pF@25V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：52mΩ@7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK6D43-40PX
工作温度：-55℃~175℃
功率：15W
阈值电压：2.7V@250µA
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1260pF@20V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：43mΩ@6A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS5116PLWFTWG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.2W€21W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1258pF@25V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：52mΩ@7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK6D43-40PX
工作温度：-55℃~175℃
功率：15W
阈值电压：2.7V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1260pF@20V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：43mΩ@6A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMBG65R260M1HXTMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：65W
阈值电压：5.7V@1.1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：201pF@400V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：346mΩ@3.6A，18V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS5116PLTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.2W€21W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1258pF@25V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：52mΩ@7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV19XNEAR
工作温度：-55℃~175℃
功率：610mW€8.3W
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：18.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1150pF@15V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@6A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS5116PLTWG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.2W€21W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1258pF@25V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：52mΩ@7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK6D43-40PX
工作温度：-55℃~175℃
功率：15W
阈值电压：2.7V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1260pF@20V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：43mΩ@6A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ2310ES-T1_BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：2W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：485pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：30mΩ@5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4850EY-T1-E3
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.7W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4850EY-T1-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.7W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
