采购热线 400-661-9010
销售单位：个
规格型号(MPN)：AON6354
工作温度：-55℃~150℃
功率：36W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1330pF@15V
连续漏极电流：83A
类型：N沟道
导通电阻：3.3mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP83P04PDG-E1-AY
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：200nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9820pF@10V
连续漏极电流：83A
类型：P沟道
导通电阻：5.3mΩ@41.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AON6354
工作温度：-55℃~150℃
功率：36W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1330pF@15V
连续漏极电流：83A
类型：N沟道
导通电阻：3.3mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP83P04PDG-E1-AY
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：200nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9820pF@10V
连续漏极电流：83A
类型：P沟道
导通电阻：5.3mΩ@41.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AON6354
工作温度：-55℃~150℃
功率：36W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1330pF@15V
连续漏极电流：83A
类型：N沟道
导通电阻：3.3mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP83P04PDG-E1-AY
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：200nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9820pF@10V
连续漏极电流：83A
类型：P沟道
导通电阻：5.3mΩ@41.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB108N15N3GATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：214W
阈值电压：4V@160µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3230pF@75V
连续漏极电流：83A
类型：N沟道
导通电阻：10.8mΩ@83A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB108N15N3GATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：214W
阈值电压：4V@160µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3230pF@75V
连续漏极电流：83A
类型：N沟道
导通电阻：10.8mΩ@83A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AON6354
工作温度：-55℃~150℃
功率：36W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1330pF@15V
连续漏极电流：83A
类型：N沟道
导通电阻：3.3mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB108N15N3GATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：214W
阈值电压：4V@160µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3230pF@75V
连续漏极电流：83A
类型：N沟道
导通电阻：10.8mΩ@83A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB108N15N3GATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：214W
阈值电压：4V@160µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3230pF@75V
连续漏极电流：83A
类型：N沟道
导通电阻：10.8mΩ@83A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB108N15N3GATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：214W
阈值电压：4V@160µA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3230pF@75V
连续漏极电流：83A
类型：N沟道
导通电阻：10.8mΩ@83A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB108N15N3GATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：214W
阈值电压：4V@160µA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3230pF@75V
连续漏极电流：83A
类型：N沟道
导通电阻：10.8mΩ@83A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP83P06PDG-E1-AY
工作温度：175℃
功率：1.8W€150W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：190nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10100pF@10V
连续漏极电流：83A
类型：P沟道
导通电阻：8.8mΩ@41.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB108N15N3GATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：214W
阈值电压：4V@160µA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3230pF@75V
连续漏极电流：83A
类型：N沟道
导通电阻：10.8mΩ@83A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB108N15N3GATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：214W
阈值电压：4V@160µA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3230pF@75V
连续漏极电流：83A
类型：N沟道
导通电阻：10.8mΩ@83A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB108N15N3GATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：214W
阈值电压：4V@160µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3230pF@75V
连续漏极电流：83A
类型：N沟道
导通电阻：10.8mΩ@83A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AON6354
工作温度：-55℃~150℃
功率：36W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1330pF@15V
连续漏极电流：83A
类型：N沟道
导通电阻：3.3mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB108N15N3GATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：214W
阈值电压：4V@160µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3230pF@75V
连续漏极电流：83A
类型：N沟道
导通电阻：10.8mΩ@83A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AON6354
工作温度：-55℃~150℃
功率：36W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1330pF@15V
连续漏极电流：83A
类型：N沟道
导通电阻：3.3mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AON6354
工作温度：-55℃~150℃
功率：36W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1330pF@15V
连续漏极电流：83A
类型：N沟道
导通电阻：3.3mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AON6354
工作温度：-55℃~150℃
功率：36W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1330pF@15V
连续漏极电流：83A
类型：N沟道
导通电阻：3.3mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP83P06PDG-E1-AY
工作温度：175℃
功率：1.8W€150W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：190nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10100pF@10V
连续漏极电流：83A
类型：P沟道
导通电阻：8.8mΩ@41.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB108N15N3GATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：214W
阈值电压：4V@160µA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3230pF@75V
连续漏极电流：83A
类型：N沟道
导通电阻：10.8mΩ@83A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP83P04PDG-E1-AY
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：200nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9820pF@10V
连续漏极电流：83A
类型：P沟道
导通电阻：5.3mΩ@41.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AON6354
工作温度：-55℃~150℃
功率：36W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1330pF@15V
连续漏极电流：83A
类型：N沟道
导通电阻：3.3mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB108N15N3GATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：214W
阈值电压：4V@160µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3230pF@75V
连续漏极电流：83A
类型：N沟道
导通电阻：10.8mΩ@83A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AON6354
工作温度：-55℃~150℃
功率：36W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1330pF@15V
连续漏极电流：83A
类型：N沟道
导通电阻：3.3mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB108N15N3GATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：214W
阈值电压：4V@160µA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3230pF@75V
连续漏极电流：83A
类型：N沟道
导通电阻：10.8mΩ@83A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB108N15N3GATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：214W
阈值电压：4V@160µA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3230pF@75V
连续漏极电流：83A
类型：N沟道
导通电阻：10.8mΩ@83A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
