采购热线 400-661-9010
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ423EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：68W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：130nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4500pF@25V
连续漏极电流：55A
类型：P沟道
导通电阻：14mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCG55P02A-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€38W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：149nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6358pF@10V
连续漏极电流：55A
类型：P沟道
导通电阻：8.3mΩ@15A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：2850}
销售单位：个
规格型号(MPN)：ATP103-TL-H
工作温度：150℃
功率：50W
ECCN：EAR99
栅极电荷：47nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2430pF@10V
连续漏极电流：55A
类型：P沟道
导通电阻：13mΩ@28A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCG55P02A-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€38W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：149nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6358pF@10V
连续漏极电流：55A
类型：P沟道
导通电阻：8.3mΩ@15A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ423EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：68W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：130nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4500pF@25V
连续漏极电流：55A
类型：P沟道
导通电阻：14mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMNH6021SPSQ-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.6W€53W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：19.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1016pF@30V
连续漏极电流：55A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@12A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ423EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：68W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：130nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4500pF@25V
连续漏极电流：55A
类型：P沟道
导通电阻：14mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK55S10N1，LQ
工作温度：175℃
功率：157W
阈值电压：4V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3280pF@10V
连续漏极电流：55A
类型：N沟道
导通电阻：6.5mΩ@27.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUM55P06-19L-E3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.75W€125W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：115nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3500pF@25V
连续漏极电流：55A
类型：P沟道
导通电阻：19mΩ@30A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUM55P06-19L-E3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.75W€125W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：115nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3500pF@25V
连续漏极电流：55A
类型：P沟道
导通电阻：19mΩ@30A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS8050
工作温度：-55℃~150℃
功率：156W
阈值电压：3V@750µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：285nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：22610pF@15V
连续漏极电流：55A
类型：N沟道
导通电阻：0.65mΩ@55A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMPH4013SK3-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.1W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：67nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4004pF@20V
连续漏极电流：55A
类型：P沟道
导通电阻：15mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMPH4013SK3-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.1W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：67nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4004pF@20V
连续漏极电流：55A
类型：P沟道
导通电阻：15mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUM55P06-19L-E3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.75W€125W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：115nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3500pF@25V
连续漏极电流：55A
类型：P沟道
导通电阻：19mΩ@30A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUM55P06-19L-E3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.75W€125W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：115nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3500pF@25V
连续漏极电流：55A
类型：P沟道
导通电阻：19mΩ@30A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ423EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：68W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：130nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4500pF@25V
连续漏极电流：55A
类型：P沟道
导通电阻：14mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF6668TRPBF
工作温度：-40℃~150℃
功率：2.8W€89W
阈值电压：4.9V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1320pF@25V
连续漏极电流：55A
类型：N沟道
导通电阻：15mΩ@12A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK55S10N1，LQ
工作温度：175℃
功率：157W
阈值电压：4V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3280pF@10V
连续漏极电流：55A
类型：N沟道
导通电阻：6.5mΩ@27.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ423EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：68W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：130nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4500pF@25V
连续漏极电流：55A
类型：P沟道
导通电阻：14mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：7176，"22+"：9457}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF6668TRPBF
工作温度：-40℃~150℃
功率：2.8W€89W
阈值电压：4.9V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1320pF@25V
连续漏极电流：55A
类型：N沟道
导通电阻：15mΩ@12A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK55S10N1，LQ
工作温度：175℃
功率：157W
阈值电压：4V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3280pF@10V
连续漏极电流：55A
类型：N沟道
导通电阻：6.5mΩ@27.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMPH4013SK3Q-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.1W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：67nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4004pF@20V
连续漏极电流：55A
类型：P沟道
导通电阻：15mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN9R0-25MLC，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：45W
阈值电压：1.95V@1mA
栅极电荷：11.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：705pF@12.5V
连续漏极电流：55A
类型：N沟道
导通电阻：8.65mΩ@15A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：46，"22+"：10000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK7219-55A，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：114W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2108pF@25V
连续漏极电流：55A
类型：N沟道
导通电阻：19mΩ@25A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ423EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：68W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：130nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4500pF@25V
连续漏极电流：55A
类型：P沟道
导通电阻：14mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUM55P06-19L-E3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.75W€125W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：115nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3500pF@25V
连续漏极电流：55A
类型：P沟道
导通电阻：19mΩ@30A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCG55P02A-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€38W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：149nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6358pF@10V
连续漏极电流：55A
类型：P沟道
导通电阻：8.3mΩ@15A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：2850}
销售单位：个
规格型号(MPN)：ATP103-TL-H
工作温度：150℃
功率：50W
ECCN：EAR99
栅极电荷：47nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2430pF@10V
连续漏极电流：55A
类型：P沟道
导通电阻：13mΩ@28A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF6668TRPBF
工作温度：-40℃~150℃
功率：2.8W€89W
阈值电压：4.9V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1320pF@25V
连续漏极电流：55A
类型：N沟道
导通电阻：15mΩ@12A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUM55P06-19L-E3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.75W€125W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：115nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3500pF@25V
连续漏极电流：55A
类型：P沟道
导通电阻：19mΩ@30A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
