采购热线 400-661-9010
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3036SSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：16.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1931pF@15V
连续漏极电流：19.5A
类型：P沟道
导通电阻：20mΩ@9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3036SSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：16.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1931pF@15V
连续漏极电流：19.5A
类型：P沟道
导通电阻：20mΩ@9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3036SSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1931pF@15V
连续漏极电流：19.5A
类型：P沟道
导通电阻：20mΩ@9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3036SSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1931pF@15V
连续漏极电流：19.5A
类型：P沟道
导通电阻：20mΩ@9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：3600}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBG160N120SC1
工作温度：-55℃~175℃
功率：136W
ECCN：EAR99
栅极电荷：33.8nC@20V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：678pF@800V
连续漏极电流：19.5A
类型：N沟道
导通电阻：224mΩ@12A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3036SSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：16.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1931pF@15V
连续漏极电流：19.5A
类型：P沟道
导通电阻：20mΩ@9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBG160N120SC1
工作温度：-55℃~175℃
功率：136W
ECCN：EAR99
栅极电荷：33.8nC@20V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：678pF@800V
连续漏极电流：19.5A
类型：N沟道
导通电阻：224mΩ@12A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：3600}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBG160N120SC1
工作温度：-55℃~175℃
功率：136W
ECCN：EAR99
栅极电荷：33.8nC@20V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：678pF@800V
连续漏极电流：19.5A
类型：N沟道
导通电阻：224mΩ@12A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3036SSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1931pF@15V
连续漏极电流：19.5A
类型：P沟道
导通电阻：20mΩ@9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB25N80K5
工作温度：-55℃~150℃
功率：250W
阈值电压：5V@100µA
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1600pF@100V
连续漏极电流：19.5A
类型：N沟道
导通电阻：260mΩ@19.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3036SSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：16.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1931pF@15V
连续漏极电流：19.5A
类型：P沟道
导通电阻：20mΩ@9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3036SSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：16.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1931pF@15V
连续漏极电流：19.5A
类型：P沟道
导通电阻：20mΩ@9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVBG160N120SC1
工作温度：-55℃~175℃
功率：136W
栅极电荷：33.8nC@20V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：678pF@800V
连续漏极电流：19.5A
类型：N沟道
导通电阻：224mΩ@12A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"MI+"：460}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBG160N120SC1
工作温度：-55℃~175℃
功率：136W
ECCN：EAR99
栅极电荷：33.8nC@20V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：678pF@800V
连续漏极电流：19.5A
类型：N沟道
导通电阻：224mΩ@12A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVBG160N120SC1
工作温度：-55℃~175℃
功率：136W
栅极电荷：33.8nC@20V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：678pF@800V
连续漏极电流：19.5A
类型：N沟道
导通电阻：224mΩ@12A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBG160N120SC1
工作温度：-55℃~175℃
功率：136W
栅极电荷：33.8nC@20V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：678pF@800V
连续漏极电流：19.5A
类型：N沟道
导通电阻：224mΩ@12A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVBG160N120SC1
工作温度：-55℃~175℃
功率：136W
栅极电荷：33.8nC@20V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：678pF@800V
连续漏极电流：19.5A
类型：N沟道
导通电阻：224mΩ@12A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBG160N120SC1
工作温度：-55℃~175℃
功率：136W
栅极电荷：33.8nC@20V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：678pF@800V
连续漏极电流：19.5A
类型：N沟道
导通电阻：224mΩ@12A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBG160N120SC1
工作温度：-55℃~175℃
功率：136W
ECCN：EAR99
栅极电荷：33.8nC@20V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：678pF@800V
连续漏极电流：19.5A
类型：N沟道
导通电阻：224mΩ@12A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVBG160N120SC1
工作温度：-55℃~175℃
功率：136W
栅极电荷：33.8nC@20V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：678pF@800V
连续漏极电流：19.5A
类型：N沟道
导通电阻：224mΩ@12A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3036SSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：16.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1931pF@15V
连续漏极电流：19.5A
类型：P沟道
导通电阻：20mΩ@9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB25N80K5
工作温度：-55℃~150℃
功率：250W
阈值电压：5V@100µA
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1600pF@100V
连续漏极电流：19.5A
类型：N沟道
导通电阻：260mΩ@19.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3036SSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1931pF@15V
连续漏极电流：19.5A
类型：P沟道
导通电阻：20mΩ@9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBG160N120SC1
工作温度：-55℃~175℃
功率：136W
ECCN：EAR99
栅极电荷：33.8nC@20V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：678pF@800V
连续漏极电流：19.5A
类型：N沟道
导通电阻：224mΩ@12A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVBG160N120SC1
工作温度：-55℃~175℃
功率：136W
ECCN：EAR99
栅极电荷：33.8nC@20V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：678pF@800V
连续漏极电流：19.5A
类型：N沟道
导通电阻：224mΩ@12A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBG160N120SC1
工作温度：-55℃~175℃
功率：136W
栅极电荷：33.8nC@20V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：678pF@800V
连续漏极电流：19.5A
类型：N沟道
导通电阻：224mΩ@12A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3036SSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1931pF@15V
连续漏极电流：19.5A
类型：P沟道
导通电阻：20mΩ@9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3036SSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1931pF@15V
连续漏极电流：19.5A
类型：P沟道
导通电阻：20mΩ@9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3036SSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1931pF@15V
连续漏极电流：19.5A
类型：P沟道
导通电阻：20mΩ@9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVBG160N120SC1
工作温度：-55℃~175℃
功率：136W
ECCN：EAR99
栅极电荷：33.8nC@20V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：678pF@800V
连续漏极电流：19.5A
类型：N沟道
导通电阻：224mΩ@12A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
