品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ0500NSIATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W€69W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3400pF@15V
连续漏极电流:30A€40A
类型:N沟道
导通电阻:1.5mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIZ340DT-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:16.7W€31W
阈值电压:2.4V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:760pF@15V
连续漏极电流:30A€40A
类型:2个N通道(半桥)
导通电阻:9.5mΩ@15.6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIZ340DT-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:16.7W€31W
阈值电压:2.4V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:760pF@15V
连续漏极电流:30A€40A
类型:2个N通道(半桥)
导通电阻:9.5mΩ@15.6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIZ320DT-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:16.7W€31W
阈值电压:2.4V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:660pF@12.5V€1370pF@12.5V
连续漏极电流:30A€40A
类型:2N沟道(双)
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIZ320DT-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:16.7W€31W
阈值电压:2.4V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:660pF@12.5V€1370pF@12.5V
连续漏极电流:30A€40A
类型:2N沟道(双)
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIZ340DT-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:16.7W€31W
阈值电压:2.4V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:760pF@15V
连续漏极电流:30A€40A
类型:2个N通道(半桥)
导通电阻:9.5mΩ@15.6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIZ340DT-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:16.7W€31W
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:760pF@15V
连续漏极电流:30A€40A
类型:2个N通道(半桥)
导通电阻:9.5mΩ@15.6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIZ340DT-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:16.7W€31W
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:760pF@15V
连续漏极电流:30A€40A
类型:2个N通道(半桥)
导通电阻:9.5mΩ@15.6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ0500NSIATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W€69W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3400pF@15V
连续漏极电流:30A€40A
类型:N沟道
导通电阻:1.5mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ0500NSIATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W€69W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3400pF@15V
连续漏极电流:30A€40A
类型:N沟道
导通电阻:1.5mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIZ340DT-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:16.7W€31W
阈值电压:2.4V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:760pF@15V
连续漏极电流:30A€40A
类型:2个N通道(半桥)
导通电阻:9.5mΩ@15.6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIZ340DT-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:16.7W€31W
阈值电压:2.4V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:760pF@15V
连续漏极电流:30A€40A
类型:2个N通道(半桥)
导通电阻:9.5mΩ@15.6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ0500NSIATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W€69W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3400pF@15V
连续漏极电流:30A€40A
类型:N沟道
导通电阻:1.5mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ0500NSIATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W€69W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3400pF@15V
连续漏极电流:30A€40A
类型:N沟道
导通电阻:1.5mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIZ340DT-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:16.7W€31W
阈值电压:2.4V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:760pF@15V
连续漏极电流:30A€40A
类型:2个N通道(半桥)
导通电阻:9.5mΩ@15.6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ0500NSIATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W€69W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3400pF@15V
连续漏极电流:30A€40A
类型:N沟道
导通电阻:1.5mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIZ340DT-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:16.7W€31W
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:760pF@15V
连续漏极电流:30A€40A
类型:2个N通道(半桥)
导通电阻:9.5mΩ@15.6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIZ320DT-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:16.7W€31W
阈值电压:2.4V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:660pF@12.5V€1370pF@12.5V
连续漏极电流:30A€40A
类型:2N沟道(双)
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIZ320DT-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:16.7W€31W
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:660pF@12.5V€1370pF@12.5V
连续漏极电流:30A€40A
类型:2N沟道(双)
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ0500NSIATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W€69W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3400pF@15V
连续漏极电流:30A€40A
类型:N沟道
导通电阻:1.5mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIZ320DT-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:16.7W€31W
阈值电压:2.4V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:660pF@12.5V€1370pF@12.5V
连续漏极电流:30A€40A
类型:2N沟道(双)
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIZ320DT-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:16.7W€31W
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:660pF@12.5V€1370pF@12.5V
连续漏极电流:30A€40A
类型:2N沟道(双)
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIZ320DT-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:16.7W€31W
阈值电压:2.4V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:660pF@12.5V€1370pF@12.5V
连续漏极电流:30A€40A
类型:2N沟道(双)
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ0500NSIATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W€69W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3400pF@15V
连续漏极电流:30A€40A
类型:N沟道
导通电阻:1.5mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIZ320DT-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:16.7W€31W
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:660pF@12.5V€1370pF@12.5V
连续漏极电流:30A€40A
类型:2N沟道(双)
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIZ320DT-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:16.7W€31W
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:660pF@12.5V€1370pF@12.5V
连续漏极电流:30A€40A
类型:2N沟道(双)
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ0500NSIATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W€69W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3400pF@15V
连续漏极电流:30A€40A
类型:N沟道
导通电阻:1.5mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIZ340DT-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:16.7W€31W
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:760pF@15V
连续漏极电流:30A€40A
类型:2个N通道(半桥)
导通电阻:9.5mΩ@15.6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIZ320DT-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:16.7W€31W
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:660pF@12.5V€1370pF@12.5V
连续漏极电流:30A€40A
类型:2N沟道(双)
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIZ340DT-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:16.7W€31W
阈值电压:2.4V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:760pF@15V
连续漏极电流:30A€40A
类型:2个N通道(半桥)
导通电阻:9.5mΩ@15.6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: