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    包装方式: 卷带(TR)
    行业应用: 工业
    类型: N沟道
    阈值电压: 3V@250µA
    工作温度: -55℃~175℃
    当前匹配商品:700+
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    UMW Mosfet场效应管 15N10
    UMW Mosfet场效应管 15N10

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):15N10

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:55W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:19.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:632pF@50V

    连续漏极电流:15A

    类型:N沟道

    导通电阻:110mΩ@10A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:18
    UMW Mosfet场效应管 15N10
    UMW Mosfet场效应管 15N10

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):15N10

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:55W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:19.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:632pF@50V

    连续漏极电流:15A

    类型:N沟道

    导通电阻:110mΩ@10A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:504
    UMW Mosfet场效应管 15N10
    UMW Mosfet场效应管 15N10

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):15N10

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:55W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:19.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:632pF@50V

    连续漏极电流:15A

    类型:N沟道

    导通电阻:110mΩ@10A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    UMW Mosfet场效应管 15N10 起订1000个装
    UMW Mosfet场效应管 15N10 起订1000个装

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):15N10

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:55W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:19.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:632pF@50V

    连续漏极电流:15A

    类型:N沟道

    导通电阻:110mΩ@10A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    UMW Mosfet场效应管 15N10 起订30个装
    UMW Mosfet场效应管 15N10 起订30个装

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):15N10

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:55W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:19.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:632pF@50V

    连续漏极电流:15A

    类型:N沟道

    导通电阻:110mΩ@10A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    UMW Mosfet场效应管 15N10
    UMW Mosfet场效应管 15N10

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):15N10

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:55W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:19.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:632pF@50V

    连续漏极电流:15A

    类型:N沟道

    导通电阻:110mΩ@10A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    UMW Mosfet场效应管 15N10
    UMW Mosfet场效应管 15N10

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):15N10

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:55W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:19.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:632pF@50V

    连续漏极电流:15A

    类型:N沟道

    导通电阻:110mΩ@10A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    UMW Mosfet场效应管 15N10
    UMW Mosfet场效应管 15N10

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):15N10

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:55W

    阈值电压:3V@250µA

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    类型:N沟道

    导通电阻:110mΩ@10A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    UMW Mosfet场效应管 15N10
    UMW Mosfet场效应管 15N10

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):15N10

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:55W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:19.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:632pF@50V

    连续漏极电流:15A

    类型:N沟道

    导通电阻:110mΩ@10A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    UMW Mosfet场效应管 15N10 起订100个装
    UMW Mosfet场效应管 15N10 起订100个装

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):15N10

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:55W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:19.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:632pF@50V

    连续漏极电流:15A

    类型:N沟道

    导通电阻:110mΩ@10A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    UMW Mosfet场效应管 15N10 起订24个装
    UMW Mosfet场效应管 15N10 起订24个装

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):15N10

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:55W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:19.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:632pF@50V

    连续漏极电流:15A

    类型:N沟道

    导通电阻:110mΩ@10A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    UMW Mosfet场效应管 15N10 起订500个装
    UMW Mosfet场效应管 15N10 起订500个装

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):15N10

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:55W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:19.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:632pF@50V

    连续漏极电流:15A

    类型:N沟道

    导通电阻:110mΩ@10A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    UMW Mosfet场效应管 15N10
    UMW Mosfet场效应管 15N10

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):15N10

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:55W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:19.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:632pF@50V

    连续漏极电流:15A

    类型:N沟道

    导通电阻:110mΩ@10A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    UMW Mosfet场效应管 15N10 起订500个装
    UMW Mosfet场效应管 15N10 起订500个装

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):15N10

    包装方式:卷带(TR)

    类型:N沟道

    工作温度:-55℃~175℃

    输入电容:632pF@50V

    连续漏极电流:15A

    功率:55W

    栅极电荷:19.2nC@10V

    导通电阻:110mΩ@10A,10V

    阈值电压:3V@250µA

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    UMW Mosfet场效应管 15N10 起订30个装
    UMW Mosfet场效应管 15N10 起订30个装

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):15N10

    包装方式:卷带(TR)

    类型:N沟道

    工作温度:-55℃~175℃

    输入电容:632pF@50V

    连续漏极电流:15A

    功率:55W

    栅极电荷:19.2nC@10V

    导通电阻:110mΩ@10A,10V

    阈值电压:3V@250µA

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AOD4132
    AOS Mosfet场效应管 AOD4132

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOD4132

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.5W€100W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:76nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4400pF@15V

    连续漏极电流:85A

    类型:N沟道

    导通电阻:4mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:6
    onsemi Mosfet场效应管 FDD8444L-F085
    onsemi Mosfet场效应管 FDD8444L-F085

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":4213}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD8444L-F085

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:153W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:60nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5530pF@25V

    连续漏极电流:16A€50A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.2mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:373
    onsemi Mosfet场效应管 FDBL9403L-F085
    onsemi Mosfet场效应管 FDBL9403L-F085

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDBL9403L-F085

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.5W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:203nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:14100pF@20V

    连续漏极电流:53.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:0.72mΩ@80A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH8012LK3-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH8012LK3-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH8012LK3-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.6W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1949pF@40V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:16mΩ@12A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH4008LPSQ-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH4008LPSQ-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH4008LPSQ-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.99W€55.5W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:15.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1088pF@20V

    连续漏极电流:14.4A€64.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.8mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH6004LPSQ-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH6004LPSQ-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH6004LPSQ-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.6W€138W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:47.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4515pF@30V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.1mΩ@25A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH6002LPSWQ-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH6002LPSWQ-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH6002LPSWQ-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W€167W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:131nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:8289pF@30V

    连续漏极电流:205A

    类型:N沟道

    导通电阻:2mΩ@30A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH8012LK3-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH8012LK3-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH8012LK3-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.6W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1949pF@40V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:16mΩ@12A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH4014LFVWQ-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH4014LFVWQ-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH4014LFVWQ-7

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.1W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:750pF@20V

    连续漏极电流:11.5A€49.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:13.7mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH10H025LK3Q-13 起订4个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH10H025LK3Q-13 起订4个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH10H025LK3Q-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.1W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:21nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1477pF@50V

    连续漏极电流:51.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:22mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:4
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH4008LFDFWQ-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH4008LFDFWQ-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH4008LFDFWQ-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:990mW

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:14.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1030pF@20V

    连续漏极电流:11.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:11.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    onsemi Mosfet场效应管 HUF76429S3ST 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 HUF76429S3ST 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):HUF76429S3ST

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:110W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:46nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1480pF@25V

    连续漏极电流:47A

    类型:N沟道

    导通电阻:22mΩ@47A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH6016LFDFWQ-7R 起订6个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH6016LFDFWQ-7R 起订6个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH6016LFDFWQ-7R

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.06W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:15.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:925pF@30V

    连续漏极电流:9.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:18mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:6
    AOS Mosfet场效应管 AOD4132
    AOS Mosfet场效应管 AOD4132

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOD4132

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.5W€100W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:76nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4400pF@15V

    连续漏极电流:85A

    类型:N沟道

    导通电阻:4mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH6005LK3Q-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH6005LK3Q-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH6005LK3Q-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.1W€100W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:47.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2962pF@30V

    连续漏极电流:90A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.6mΩ@50A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    起购:4
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