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    包装方式: 卷带(TR)
    行业应用: 工业
    类型: N沟道
    漏源电压: 250V
    当前匹配商品:1100+
    商品信息
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    INFINEON Mosfet场效应管 BSC430N25NSFDATMA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC430N25NSFDATMA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC430N25NSFDATMA1

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:36A

    类型:N沟道

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB17N25S3100ATMA1 起订1000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB17N25S3100ATMA1 起订1000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB17N25S3100ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:107W

    阈值电压:4V@54µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:19nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1500pF@25V

    连续漏极电流:17A

    类型:N沟道

    导通电阻:100mΩ@17A,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD600N25N3GATMA1 起订286个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD600N25N3GATMA1 起订286个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD600N25N3GATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:136W

    阈值电压:4V@90µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:29nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2350pF@100V

    连续漏极电流:25A

    类型:N沟道

    导通电阻:60mΩ@25A,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Microchip Mosfet场效应管 DN2625K4-G 起订2个装
    Microchip Mosfet场效应管 DN2625K4-G 起订2个装

    品牌:Microchip

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DN2625K4-G

    工作温度:-55℃~150℃

    栅极电荷:7.04nC@1.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1000pF@25V

    连续漏极电流:1.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.5Ω@1A,0V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD10950E_GE3 起订2000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD10950E_GE3 起订2000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQD10950E_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:62W

    阈值电压:3.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:785pF@25V

    连续漏极电流:11.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:162mΩ@12A,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4434ADY-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4434ADY-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4434ADY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.9W€6W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:16.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:600pF@125V

    连续漏极电流:2.8A€4.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:150mΩ@2.8A,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4434DY-T1-E3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4434DY-T1-E3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4434DY-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.56W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:2.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:155mΩ@3A,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFS4229TRLPBF 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFS4229TRLPBF 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFS4229TRLPBF

    工作温度:-40℃~175℃

    功率:330W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4560pF@25V

    连续漏极电流:45A

    类型:N沟道

    导通电阻:48mΩ@26A,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD10950E_GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD10950E_GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQD10950E_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:62W

    阈值电压:3.5V@250µA

    栅极电荷:16nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:785pF@25V

    连续漏极电流:11.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:162mΩ@12A,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSP126,115 起订12个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSP126,115 起订12个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSP126,115

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:2V@1mA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:120pF@25V

    连续漏极电流:375mA

    类型:N沟道

    导通电阻:5Ω@300mA,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF644STRRPBF 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF644STRRPBF 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF644STRRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€125W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:68nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1300pF@25V

    连续漏极电流:14A

    类型:N沟道

    导通电阻:280mΩ@8.4A,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7434ADP-T1-RE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7434ADP-T1-RE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7434ADP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€54.3W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:16.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:600pF@125V

    连续漏极电流:3.7A€12.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:150mΩ@3.7A,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPH2010FNH,L1Q 起订2个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPH2010FNH,L1Q 起订2个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TPH2010FNH,L1Q

    工作温度:150℃

    功率:1.6W€42W

    阈值电压:4V@200µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:600pF@100V

    连续漏极电流:5.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:198mΩ@2.8A,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDB33N25TM 起订800个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDB33N25TM 起订800个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB33N25TM

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:235W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:48nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2135pF@25V

    连续漏极电流:33A

    类型:N沟道

    导通电阻:94mΩ@16.5A,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPN2010FNH,L1Q 起订2个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPN2010FNH,L1Q 起订2个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TPN2010FNH,L1Q

    工作温度:150℃

    功率:700mW€39W

    阈值电压:4V@200µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:600pF@100V

    连续漏极电流:5.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:198mΩ@2.8A,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR224TRPBF 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR224TRPBF 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFR224TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€42W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:14nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:260pF@25V

    连续漏极电流:3.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.1Ω@2.3A,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC16DN25NS3GATMA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC16DN25NS3GATMA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC16DN25NS3GATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:62.5W

    阈值电压:4V@32µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:920pF@100V

    连续漏极电流:10.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:165mΩ@5.5A,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPTG210N25NM3FDATMA1 起订77个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPTG210N25NM3FDATMA1 起订77个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":630,"24+":1800}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPTG210N25NM3FDATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.8W€375W

    阈值电压:4V@267µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:81nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7000pF@125V

    连续漏极电流:7.7A€77A

    类型:N沟道

    导通电阻:21mΩ@69A,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS92DN-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS92DN-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISS92DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.1W€65.8W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:350pF@125V

    连续漏极电流:3.4A€12.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:173mΩ@3.6A,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RCJ220N25TL 起订1个装
    ROHM Mosfet场效应管 RCJ220N25TL 起订1个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RCJ220N25TL

    工作温度:150℃

    功率:1.56W€40W

    阈值电压:5V@1mA

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3200pF@25V

    连续漏极电流:22A

    类型:N沟道

    导通电阻:140mΩ@11A,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR692DP-T1-RE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR692DP-T1-RE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR692DP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:104W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:30nC@7.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1405pF@125V

    连续漏极电流:24.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:63mΩ@10A,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7434ADP-T1-RE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7434ADP-T1-RE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7434ADP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€54.3W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:16.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:600pF@125V

    连续漏极电流:3.7A€12.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:150mΩ@3.7A,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB17N25S3100ATMA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB17N25S3100ATMA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB17N25S3100ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:107W

    阈值电压:4V@54µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:19nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1500pF@25V

    连续漏极电流:17A

    类型:N沟道

    导通电阻:100mΩ@17A,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZVN4525GTA 起订5个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZVN4525GTA 起订5个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZVN4525GTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:1.8V@1mA

    栅极电荷:3.65nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:72pF@25V

    连续漏极电流:310mA

    类型:N沟道

    导通电阻:8.5Ω@500mA,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB17N25S3100ATMA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB17N25S3100ATMA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB17N25S3100ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:107W

    阈值电压:4V@54µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:19nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1500pF@25V

    连续漏极电流:17A

    类型:N沟道

    导通电阻:100mΩ@17A,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SUM45N25-58-E3 起订800个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SUM45N25-58-E3 起订800个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SUM45N25-58-E3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.75W€375W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:140nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5000pF@25V

    连续漏极电流:45A

    类型:N沟道

    导通电阻:58mΩ@20A,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ42DN25NS3GATMA1 起订4个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ42DN25NS3GATMA1 起订4个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSZ42DN25NS3GATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:33.8W

    阈值电压:4V@13µA

    栅极电荷:5.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:430pF@100V

    连续漏极电流:5A

    类型:N沟道

    导通电阻:425mΩ@2.5A,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC16DN25NS3GATMA1 起订5个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC16DN25NS3GATMA1 起订5个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC16DN25NS3GATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:62.5W

    阈值电压:4V@32µA

    栅极电荷:11.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:920pF@100V

    连续漏极电流:10.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:165mΩ@5.5A,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB64N25S320ATMA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB64N25S320ATMA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB64N25S320ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:300W

    阈值电压:4V@270µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:89nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7000pF@25V

    连续漏极电流:64A

    类型:N沟道

    导通电阻:20mΩ@64A,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSS139H6327XTSA1 起订3000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSS139H6327XTSA1 起订3000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS139H6327XTSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:360mW

    阈值电压:1V@56µA

    栅极电荷:3.5nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:76pF@25V

    连续漏极电流:100mA

    类型:N沟道

    导通电阻:14Ω@100µA,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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