采购热线 400-661-9010
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2025UFDB-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：700mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：12.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：486pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：2个N沟道
导通电阻：25mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN31D5UDJ-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：350mW
阈值电压：1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：380pC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：22.6pF@15V
连续漏极电流：220mA
类型：2个N沟道
导通电阻：1.5Ω@100mA，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN31D5UDJ-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：350mW
阈值电压：1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：380pC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：22.6pF@15V
连续漏极电流：220mA
类型：2个N沟道
导通电阻：1.5Ω@100mA，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN31D5UDJ-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：350mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：380pC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：22.6pF@15V
连续漏极电流：220mA
类型：2个N沟道
导通电阻：1.5Ω@100mA，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN31D5UDJ-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：350mW
阈值电压：1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：380pC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：22.6pF@15V
连续漏极电流：220mA
类型：2个N沟道
导通电阻：1.5Ω@100mA，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN31D5UDJ-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：350mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：380pC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：22.6pF@15V
连续漏极电流：220mA
类型：2个N沟道
导通电阻：1.5Ω@100mA，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2025UFDB-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：700mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：12.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：486pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：2个N沟道
导通电阻：25mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN31D5UDJ-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：350mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：380pC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：22.6pF@15V
连续漏极电流：220mA
类型：2个N沟道
导通电阻：1.5Ω@100mA，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2025UFDB-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：700mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：12.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：486pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：2个N沟道
导通电阻：25mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN31D5UDJ-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：350mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：380pC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：22.6pF@15V
连续漏极电流：220mA
类型：2个N沟道
导通电阻：1.5Ω@100mA，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN31D5UDJ-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：350mW
阈值电压：1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：380pC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：22.6pF@15V
连续漏极电流：220mA
类型：2个N沟道
导通电阻：1.5Ω@100mA，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2025UFDB-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：700mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：12.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：486pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：2个N沟道
导通电阻：25mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN31D5UDJ-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：350mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：380pC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：22.6pF@15V
连续漏极电流：220mA
类型：2个N沟道
导通电阻：1.5Ω@100mA，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2025UFDB-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：700mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：12.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：486pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：2个N沟道
导通电阻：25mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN31D5UDJ-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：350mW
阈值电压：1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：380pC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：22.6pF@15V
连续漏极电流：220mA
类型：2个N沟道
导通电阻：1.5Ω@100mA，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN31D5UDJ-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：350mW
阈值电压：1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：380pC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：22.6pF@15V
连续漏极电流：220mA
类型：2个N沟道
导通电阻：1.5Ω@100mA，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN31D5UDJ-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：350mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：380pC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：22.6pF@15V
连续漏极电流：220mA
类型：2个N沟道
导通电阻：1.5Ω@100mA，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN31D5UDJ-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：350mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：380pC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：22.6pF@15V
连续漏极电流：220mA
类型：2个N沟道
导通电阻：1.5Ω@100mA，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN31D5UDJ-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：350mW
阈值电压：1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：380pC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：22.6pF@15V
连续漏极电流：220mA
类型：2个N沟道
导通电阻：1.5Ω@100mA，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Central
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CMLDM3737 TR PBFREE
工作温度：-65℃~+150℃
功率：350mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：1.58nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@16V
连续漏极电流：540mA
类型：2个N沟道
导通电阻：550mΩ@540mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2025UFDB-7
栅极电荷：12.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
类型：2个N沟道
工作温度：-55℃~+150℃
阈值电压：1V@250μA
漏源电压：20V
连续漏极电流：6A
输入电容：486pF@10V
导通电阻：25mΩ@4A，4.5V
功率：700mW
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN31D5UDJ-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：350mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：380pC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：22.6pF@15V
连续漏极电流：220mA
类型：2个N沟道
导通电阻：1.5Ω@100mA，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STS10DN3LH5
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：4.6nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：475pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：2个N沟道
导通电阻：21mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STS10DN3LH5
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：4.6nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：475pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：2个N沟道
导通电阻：21mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STS10DN3LH5
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：4.6nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：475pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：2个N沟道
导通电阻：21mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN1029UFDB-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.4W
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：19.6nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：914pF@6V
连续漏极电流：5.6A
类型：2个N沟道
导通电阻：29mΩ@5A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2025UFDB-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：700mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：12.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：486pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：2个N沟道
导通电阻：25mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO8822
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.5W
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：780pF@10V
连续漏极电流：7A
类型：2个N沟道
导通电阻：18mΩ@10V，7A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN31D5UDJ-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：350mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：380pC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：22.6pF@15V
连续漏极电流：220mA
类型：2个N沟道
导通电阻：1.5Ω@100mA，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2025UFDB-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：700mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：12.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：486pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：2个N沟道
导通电阻：25mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
