采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS8026S
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.5W（Ta），41W（Tc）
阈值电压：3V @ 1mA
栅极电荷：37 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2280 pF @ 15 V
连续漏极电流：19A（Ta），22A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：4.3 毫欧 @ 19A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS8026S
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.5W（Ta），41W（Tc）
阈值电压：3V @ 1mA
栅极电荷：37 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2280 pF @ 15 V
连续漏极电流：19A（Ta），22A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：4.3 毫欧 @ 19A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS8026S
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.5W（Ta），41W（Tc）
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栅极电荷：37 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2280 pF @ 15 V
连续漏极电流：19A（Ta），22A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：4.3 毫欧 @ 19A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS8026S
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.5W（Ta），41W（Tc）
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：2280 pF @ 15 V
连续漏极电流：19A（Ta），22A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：4.3 毫欧 @ 19A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS8026S
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.5W（Ta），41W（Tc）
阈值电压：3V @ 1mA
栅极电荷：37 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2280 pF @ 15 V
连续漏极电流：19A（Ta），22A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：4.3 毫欧 @ 19A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS8025S
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.5W（Ta），50W（Tc）
阈值电压：3V @ 1mA
栅极电荷：47 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3000 pF @ 15 V
连续漏极电流：24A（Ta），49A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：2.8 毫欧 @ 24A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS8026S
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.5W（Ta），41W（Tc）
阈值电压：3V @ 1mA
栅极电荷：37 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2280 pF @ 15 V
连续漏极电流：19A（Ta），22A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：4.3 毫欧 @ 19A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FDMS8026S
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.5W（Ta），41W（Tc）
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输入电容：2280 pF @ 15 V
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类型：N 通道
导通电阻：4.3 毫欧 @ 19A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS8025S
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.5W（Ta），50W（Tc）
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：3000 pF @ 15 V
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类型：N 通道
导通电阻：2.8 毫欧 @ 24A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：3000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS8026S
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.5W（Ta），41W（Tc）
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ECCN：EAR99
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输入电容：2280 pF @ 15 V
连续漏极电流：19A（Ta），22A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：4.3 毫欧 @ 19A，10V
漏源电压：30V
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FDMS8025S
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.5W（Ta），50W（Tc）
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连续漏极电流：24A（Ta），49A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：2.8 毫欧 @ 24A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：3000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS8026S
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.5W（Ta），41W（Tc）
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ECCN：EAR99
栅极电荷：37 nC @ 10 V
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输入电容：2280 pF @ 15 V
连续漏极电流：19A（Ta），22A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：4.3 毫欧 @ 19A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS8026S
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.5W（Ta），41W（Tc）
阈值电压：3V @ 1mA
栅极电荷：37 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2280 pF @ 15 V
连续漏极电流：19A（Ta），22A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：4.3 毫欧 @ 19A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS8025S
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.5W（Ta），50W（Tc）
阈值电压：3V @ 1mA
栅极电荷：47 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3000 pF @ 15 V
连续漏极电流：24A（Ta），49A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：2.8 毫欧 @ 24A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS8026S
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.5W（Ta），41W（Tc）
阈值电压：3V @ 1mA
栅极电荷：37 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2280 pF @ 15 V
连续漏极电流：19A（Ta），22A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：4.3 毫欧 @ 19A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS8026S
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.5W（Ta），41W（Tc）
阈值电压：3V @ 1mA
栅极电荷：37 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2280 pF @ 15 V
连续漏极电流：19A（Ta），22A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：4.3 毫欧 @ 19A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS8025S
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.5W（Ta），50W（Tc）
阈值电压：3V @ 1mA
栅极电荷：47 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3000 pF @ 15 V
连续漏极电流：24A（Ta），49A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：2.8 毫欧 @ 24A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS8025S
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.5W（Ta），50W（Tc）
阈值电压：3V @ 1mA
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：3000 pF @ 15 V
连续漏极电流：24A（Ta），49A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：2.8 毫欧 @ 24A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS8026S
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.5W（Ta），41W（Tc）
阈值电压：3V @ 1mA
栅极电荷：37 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2280 pF @ 15 V
连续漏极电流：19A（Ta），22A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：4.3 毫欧 @ 19A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS8025S
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.5W（Ta），50W（Tc）
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类型：N 通道
导通电阻：2.8 毫欧 @ 24A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS8025S
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
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类型：N 通道
导通电阻：2.8 毫欧 @ 24A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS8025S
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.5W（Ta），50W（Tc）
阈值电压：3V @ 1mA
栅极电荷：47 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3000 pF @ 15 V
连续漏极电流：24A（Ta），49A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：2.8 毫欧 @ 24A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS8025S
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.5W（Ta），50W（Tc）
阈值电压：3V @ 1mA
栅极电荷：47 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3000 pF @ 15 V
连续漏极电流：24A（Ta），49A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：2.8 毫欧 @ 24A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{"18+"：3000}
规格型号(MPN)：FDMS8026S
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
导通电阻：4.3 毫欧 @ 19A，10V
连续漏极电流：19A（Ta），22A（Tc）
阈值电压：3V @ 1mA
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
输入电容：2280 pF @ 15 V
类型：N 通道
栅极电荷：37 nC @ 10 V
功率：2.5W（Ta），41W（Tc）
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS8026S
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
导通电阻：4.3 毫欧 @ 19A，10V
连续漏极电流：19A（Ta），22A（Tc）
阈值电压：3V @ 1mA
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
输入电容：2280 pF @ 15 V
类型：N 通道
栅极电荷：37 nC @ 10 V
功率：2.5W（Ta），41W（Tc）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS8026S
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
导通电阻：4.3 毫欧 @ 19A，10V
连续漏极电流：19A（Ta），22A（Tc）
阈值电压：3V @ 1mA
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
输入电容：2280 pF @ 15 V
类型：N 通道
栅极电荷：37 nC @ 10 V
功率：2.5W（Ta），41W（Tc）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS8026S
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
导通电阻：4.3 毫欧 @ 19A，10V
连续漏极电流：19A（Ta），22A（Tc）
阈值电压：3V @ 1mA
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
输入电容：2280 pF @ 15 V
类型：N 通道
栅极电荷：37 nC @ 10 V
功率：2.5W（Ta），41W（Tc）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS8026S
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.5W（Ta），41W（Tc）
阈值电压：3V @ 1mA
栅极电荷：37 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2280 pF @ 15 V
连续漏极电流：19A（Ta），22A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：4.3 毫欧 @ 19A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS8026S
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.5W（Ta），41W（Tc）
阈值电压：3V @ 1mA
栅极电荷：37 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2280 pF @ 15 V
连续漏极电流：19A（Ta），22A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：4.3 毫欧 @ 19A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS7656AS
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.5W（Ta），96W（Tc）
阈值电压：3V @ 1mA
栅极电荷：133 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8705 pF @ 15 V
连续漏极电流：31A（Ta），49A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：1.8 毫欧 @ 30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
