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    包装方式: 卷带(TR)
    行业应用: 工业
    功率: 200mW
    类型: 1个P沟道
    当前匹配商品:4
    商品信息
    参数
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    DIODES Mosfet场效应管 BSS8402DWQ-7 起订30个装
    DIODES Mosfet场效应管 BSS8402DWQ-7 起订30个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS8402DWQ-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:200mW

    阈值电压:2.5V@250μA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@25V

    连续漏极电流:115mA€130mA

    类型:1个P沟道

    导通电阻:13.5Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V€50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RSU002P03T106 起订500个装
    ROHM Mosfet场效应管 RSU002P03T106 起订500个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RSU002P03T106

    功率:200mW

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:30pF@10V

    连续漏极电流:200mA

    类型:1个P沟道

    反向传输电容:5pF@10V

    导通电阻:900mΩ@10V,200mA

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RSU002P03T106 起订1000个装
    ROHM Mosfet场效应管 RSU002P03T106 起订1000个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RSU002P03T106

    功率:200mW

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:30pF@10V

    连续漏极电流:200mA

    类型:1个P沟道

    反向传输电容:5pF@10V

    导通电阻:900mΩ@10V,200mA

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RSU002P03T106 起订1个装
    ROHM Mosfet场效应管 RSU002P03T106 起订1个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RSU002P03T106

    功率:200mW

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:30pF@10V

    连续漏极电流:200mA

    类型:1个P沟道

    反向传输电容:5pF@10V

    导通电阻:900mΩ@10V,200mA

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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