品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS8402DWQ-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:200mW
阈值电压:2.5V@250μA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:115mA€130mA
类型:1个P沟道
导通电阻:13.5Ω@500mA,10V
漏源电压:60V€50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RSU002P03T106
功率:200mW
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:30pF@10V
连续漏极电流:200mA
类型:1个P沟道
反向传输电容:5pF@10V
导通电阻:900mΩ@10V,200mA
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RSU002P03T106
功率:200mW
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:30pF@10V
连续漏极电流:200mA
类型:1个P沟道
反向传输电容:5pF@10V
导通电阻:900mΩ@10V,200mA
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RSU002P03T106
功率:200mW
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:30pF@10V
连续漏极电流:200mA
类型:1个P沟道
反向传输电容:5pF@10V
导通电阻:900mΩ@10V,200mA
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: