品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):UM6K1NTN
功率:150mW
阈值电压:1.5V@100μA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:13pF@5V
连续漏极电流:100mA
类型:2个N沟道
导通电阻:8Ω@4V,10mA
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):UM6K1NTN
功率:150mW
阈值电压:1.5V@100μA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:13pF@5V
连续漏极电流:100mA
类型:2个N沟道
导通电阻:8Ω@4V,10mA
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):UM6K1NTN
功率:150mW
阈值电压:1.5V@100μA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:13pF@5V
连续漏极电流:100mA
类型:2个N沟道
导通电阻:8Ω@4V,10mA
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):UM6K1NTN
功率:150mW
阈值电压:1.5V@100μA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:13pF@5V
连续漏极电流:100mA
类型:2个N沟道
导通电阻:8Ω@4V,10mA
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3K15AFU,LF
功率:150mW
阈值电压:1.5V@100μA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:13.5pF@3V
连续漏极电流:100mA
类型:1个N沟道
导通电阻:3.6Ω@4V,10mA
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6N44FE,LM
功率:150mW
阈值电压:1.5V@100μA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8.5pF@3V
连续漏极电流:100mA
类型:2个N沟道
导通电阻:4Ω@10mA,4V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):UM6K1NTN
功率:150mW
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
阈值电压:1.5V@100μA
导通电阻:8Ω@4V,10mA
输入电容:13pF@5V
ECCN:EAR99
连续漏极电流:100mA
类型:2个N沟道
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):UM6K1NTN
功率:150mW
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
阈值电压:1.5V@100μA
导通电阻:8Ω@4V,10mA
输入电容:13pF@5V
ECCN:EAR99
连续漏极电流:100mA
类型:2个N沟道
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6N44FE,LM
功率:150mW
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8.5pF@3V
漏源电压:30V
阈值电压:1.5V@100μA
连续漏极电流:100mA
导通电阻:4Ω@10mA,4V
类型:2个N沟道
包装清单:商品主体 * 1
库存: