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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K72KFS，LXHF
工作温度：150℃
功率：150mW
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：40pF@10V
连续漏极电流：300mA
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@100mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GIGADEVICE
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K72KFS，LF
工作温度：150℃
功率：150mW
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：40pF@10V
连续漏极电流：300mA
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@100mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN601TK-7
工作温度：-65℃~150℃
功率：150mW
阈值电压：2.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：300mA
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MMBF2201NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：150mW
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：45pF@5V
连续漏极电流：300mA
类型：N沟道
导通电阻：1Ω@300mA，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RUM003N02T2L
工作温度：150℃
功率：150mW
阈值电压：1V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：25pF@10V
连续漏极电流：300mA
类型：N沟道
导通电阻：1Ω@300mA，4V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：EM6K6T2R
工作温度：150℃
功率：150mW
阈值电压：1V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：25pF@10V
连续漏极电流：300mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：1Ω@300mA，4V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RUM003N02T2L
工作温度：150℃
功率：150mW
阈值电压：1V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：25pF@10V
连续漏极电流：300mA
类型：N沟道
导通电阻：1Ω@300mA，4V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MMBF2201NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：150mW
阈值电压：2.4V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：45pF@5V
连续漏极电流：300mA
类型：N沟道
导通电阻：1Ω@300mA，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MMBF2201NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：150mW
阈值电压：2.4V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：45pF@5V
连续漏极电流：300mA
类型：N沟道
导通电阻：1Ω@300mA，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K72KFS，LXHF
工作温度：150℃
功率：150mW
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：40pF@10V
连续漏极电流：300mA
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@100mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：EM6K6T2R
工作温度：150℃
功率：150mW
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：25pF@10V
连续漏极电流：300mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：1Ω@300mA，4V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MMBF2201NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：150mW
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：45pF@5V
连续漏极电流：300mA
类型：N沟道
导通电阻：1Ω@300mA，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：EM6K6T2R
工作温度：150℃
功率：150mW
阈值电压：1V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：25pF@10V
连续漏极电流：300mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：1Ω@300mA，4V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：EM6K6T2R
工作温度：150℃
功率：150mW
阈值电压：1V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：25pF@10V
连续漏极电流：300mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：1Ω@300mA，4V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：EM6K6T2R
工作温度：150℃
功率：150mW
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：25pF@10V
连续漏极电流：300mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：1Ω@300mA，4V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：EM6K6T2R
工作温度：150℃
功率：150mW
阈值电压：1V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：25pF@10V
连续漏极电流：300mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：1Ω@300mA，4V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN601TK-7
工作温度：-65℃~150℃
功率：150mW
阈值电压：2.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：300mA
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：EM6K6T2R
工作温度：150℃
功率：150mW
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：25pF@10V
连续漏极电流：300mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：1Ω@300mA，4V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN601TK-7
工作温度：-65℃~150℃
功率：150mW
阈值电压：2.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：300mA
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：EM6K6T2R
工作温度：150℃
功率：150mW
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：25pF@10V
连续漏极电流：300mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：1Ω@300mA，4V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RUM003N02T2L
工作温度：150℃
功率：150mW
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：25pF@10V
连续漏极电流：300mA
类型：N沟道
导通电阻：1Ω@300mA，4V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：EM6K6T2R
工作温度：150℃
功率：150mW
阈值电压：1V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：25pF@10V
连续漏极电流：300mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：1Ω@300mA，4V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：EM6K6T2R
工作温度：150℃
功率：150mW
阈值电压：1V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：25pF@10V
连续漏极电流：300mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：1Ω@300mA，4V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MMBF2201NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：150mW
阈值电压：2.4V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：45pF@5V
连续漏极电流：300mA
类型：N沟道
导通电阻：1Ω@300mA，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MMBF2201NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：150mW
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：45pF@5V
连续漏极电流：300mA
类型：N沟道
导通电阻：1Ω@300mA，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MMBF2201NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：150mW
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：45pF@5V
连续漏极电流：300mA
类型：N沟道
导通电阻：1Ω@300mA，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：EM6K6T2R
工作温度：150℃
功率：150mW
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：25pF@10V
连续漏极电流：300mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：1Ω@300mA，4V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：EM6K6T2R
工作温度：150℃
功率：150mW
阈值电压：1V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：25pF@10V
连续漏极电流：300mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：1Ω@300mA，4V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN601TK-7
工作温度：-65℃~150℃
功率：150mW
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：300mA
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RUM003N02T2L
工作温度：150℃
功率：150mW
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：25pF@10V
连续漏极电流：300mA
类型：N沟道
导通电阻：1Ω@300mA，4V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
