采购热线 400-661-9010
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD87384MT
工作温度：-55℃~150℃
功率：8W
阈值电压：1.9V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1150pF@15V
连续漏极电流：30A
类型：2个N通道（半桥）
导通电阻：7.7mΩ@25A，8V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD87384M
工作温度：-55℃~150℃
功率：8W
阈值电压：1.9V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1150pF@15V
连续漏极电流：30A
类型：2个N通道（半桥）
导通电阻：7.7mΩ@25A，8V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD87384M
工作温度：-55℃~150℃
功率：8W
阈值电压：1.9V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1150pF@15V
连续漏极电流：30A
类型：2个N通道（半桥）
导通电阻：7.7mΩ@25A，8V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD87384MT
工作温度：-55℃~150℃
功率：8W
阈值电压：1.9V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1150pF@15V
连续漏极电流：30A
类型：2个N通道（半桥）
导通电阻：7.7mΩ@25A，8V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD87384MT
工作温度：-55℃~150℃
功率：8W
阈值电压：1.9V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1150pF@15V
连续漏极电流：30A
类型：2个N通道（半桥）
导通电阻：7.7mΩ@25A，8V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD87384MT
工作温度：-55℃~150℃
功率：8W
阈值电压：1.9V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1150pF@15V
连续漏极电流：30A
类型：2个N通道（半桥）
导通电阻：7.7mΩ@25A，8V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD87384MT
工作温度：-55℃~150℃
功率：8W
阈值电压：1.9V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1150pF@15V
连续漏极电流：30A
类型：2个N通道（半桥）
导通电阻：7.7mΩ@25A，8V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD87384M
工作温度：-55℃~150℃
功率：8W
阈值电压：1.9V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1150pF@15V
连续漏极电流：30A
类型：2个N通道（半桥）
导通电阻：7.7mΩ@25A，8V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD87384M
工作温度：-55℃~150℃
功率：8W
阈值电压：1.9V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1150pF@15V
连续漏极电流：30A
类型：2个N通道（半桥）
导通电阻：7.7mΩ@25A，8V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD87384MT
工作温度：-55℃~150℃
功率：8W
阈值电压：1.9V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1150pF@15V
连续漏极电流：30A
类型：2个N通道（半桥）
导通电阻：7.7mΩ@25A，8V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD87384MT
工作温度：-55℃~150℃
功率：8W
阈值电压：1.9V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1150pF@15V
连续漏极电流：30A
类型：2个N通道（半桥）
导通电阻：7.7mΩ@25A，8V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD87384MT
工作温度：-55℃~150℃
功率：8W
阈值电压：1.9V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1150pF@15V
连续漏极电流：30A
类型：2个N通道（半桥）
导通电阻：7.7mΩ@25A，8V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD87384MT
工作温度：-55℃~150℃
功率：8W
阈值电压：1.9V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1150pF@15V
连续漏极电流：30A
类型：2个N通道（半桥）
导通电阻：7.7mΩ@25A，8V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：250psc
规格型号(MPN)：CSD87384MT
输入电容：1150pF@15V
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
功率：8W
类型：2个N通道（半桥）
阈值电压：1.9V@250µA
连续漏极电流：30A
导通电阻：7.7mΩ@25A，8V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD87384M
阈值电压：1.9V@250µA
输入电容：1150pF@15V
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
功率：8W
连续漏极电流：30A
类型：2个N通道（半桥）
导通电阻：7.7mΩ@25A，8V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：250psc
规格型号(MPN)：CSD87384MT
输入电容：1150pF@15V
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
功率：8W
类型：2个N通道（半桥）
阈值电压：1.9V@250µA
连续漏极电流：30A
导通电阻：7.7mΩ@25A，8V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD87384MT
工作温度：-55℃~150℃
功率：8W
阈值电压：1.9V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1150pF@15V
连续漏极电流：30A
类型：2个N通道（半桥）
导通电阻：7.7mΩ@25A，8V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD87384MT
工作温度：-55℃~150℃
功率：8W
阈值电压：1.9V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1150pF@15V
连续漏极电流：30A
类型：2个N通道（半桥）
导通电阻：7.7mΩ@25A，8V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD87384MT
工作温度：-55℃~150℃
功率：8W
阈值电压：1.9V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1150pF@15V
连续漏极电流：30A
类型：2个N通道（半桥）
导通电阻：7.7mΩ@25A，8V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD87384MT
工作温度：-55℃~150℃
功率：8W
阈值电压：1.9V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1150pF@15V
连续漏极电流：30A
类型：2个N通道（半桥）
导通电阻：7.7mΩ@25A，8V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD87384MT
工作温度：-55℃~150℃
功率：8W
阈值电压：1.9V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1150pF@15V
连续漏极电流：30A
类型：2个N通道（半桥）
导通电阻：7.7mΩ@25A，8V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD87384M
工作温度：-55℃~150℃
功率：8W
阈值电压：1.9V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1150pF@15V
连续漏极电流：30A
类型：2个N通道（半桥）
导通电阻：7.7mΩ@25A，8V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD87384MT
工作温度：-55℃~150℃
功率：8W
阈值电压：1.9V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1150pF@15V
连续漏极电流：30A
类型：2个N通道（半桥）
导通电阻：7.7mΩ@25A，8V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD87384MT
工作温度：-55℃~150℃
功率：8W
阈值电压：1.9V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1150pF@15V
连续漏极电流：30A
类型：2个N通道（半桥）
导通电阻：7.7mΩ@25A，8V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD87384MT
工作温度：-55℃~150℃
功率：8W
阈值电压：1.9V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1150pF@15V
连续漏极电流：30A
类型：2个N通道（半桥）
导通电阻：7.7mΩ@25A，8V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
