采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBS9D0N10MC
工作温度：-55℃~+175℃
功率：3.8W€68W
阈值电压：3V@131μA
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.695nF@50V
连续漏极电流：14A€60A
类型：1个N沟道
反向传输电容：13pF@50V
导通电阻：7.8mΩ@10V，23A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLZ34NSTRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€68W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：25nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：880pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：35mΩ@16A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFZ34NSTRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€68W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：700pF@25V
连续漏极电流：29A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@16A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBS9D0N10MC
工作温度：-55℃~+175℃
功率：3.8W€68W
阈值电压：3V@131μA
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.695nF@50V
连续漏极电流：14A€60A
类型：1个N沟道
反向传输电容：13pF@50V
导通电阻：7.8mΩ@10V，23A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLZ34NSTRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€68W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：25nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：880pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：35mΩ@16A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFZ34NSTRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€68W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：700pF@25V
连续漏极电流：29A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@16A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLZ34NSTRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€68W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：25nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：880pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：35mΩ@16A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFZ34NSTRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€68W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：700pF@25V
连续漏极电流：29A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@16A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLZ34NSTRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€68W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：25nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：880pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：35mΩ@16A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFZ34NSTRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€68W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：700pF@25V
连续漏极电流：29A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@16A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLZ34NSTRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€68W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：880pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：35mΩ@16A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF9Z34NSTRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€68W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：620pF@25V
连续漏极电流：19A
类型：P沟道
导通电阻：100mΩ@10A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLZ34NSTRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€68W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：25nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：880pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：35mΩ@16A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLZ34NSTRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€68W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：880pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：35mΩ@16A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF9Z34NSTRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€68W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：620pF@25V
连续漏极电流：19A
类型：P沟道
导通电阻：100mΩ@10A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF9Z34NSTRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€68W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：620pF@25V
连续漏极电流：19A
类型：P沟道
导通电阻：100mΩ@10A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBS9D0N10MC
工作温度：-55℃~+175℃
功率：3.8W€68W
阈值电压：3V@131μA
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.695nF@50V
连续漏极电流：14A€60A
类型：1个N沟道
反向传输电容：13pF@50V
导通电阻：7.8mΩ@10V，23A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLZ34NSTRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€68W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：25nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：880pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：35mΩ@16A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFZ34NSTRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€68W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：700pF@25V
连续漏极电流：29A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@16A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLZ34NSTRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€68W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：25nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：880pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：35mΩ@16A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF9Z34NSTRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€68W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：620pF@25V
连续漏极电流：19A
类型：P沟道
导通电阻：100mΩ@10A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFZ34NSTRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€68W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：700pF@25V
连续漏极电流：29A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@16A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLZ34NSTRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€68W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：25nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：880pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：35mΩ@16A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBS9D0N10MC
工作温度：-55℃~+175℃
功率：3.8W€68W
阈值电压：3V@131μA
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.695nF@50V
连续漏极电流：14A€60A
类型：1个N沟道
反向传输电容：13pF@50V
导通电阻：7.8mΩ@10V，23A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：4800}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFZ34NSTRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€68W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：700pF@25V
连续漏极电流：29A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@16A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFZ34NSTRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€68W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：700pF@25V
连续漏极电流：29A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@16A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：124000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF9Z34NSTRRPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€68W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：620pF@25V
连续漏极电流：19A
类型：P沟道
导通电阻：100mΩ@10A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBS9D0N10MC
工作温度：-55℃~+175℃
功率：3.8W€68W
阈值电压：3V@131μA
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.695nF@50V
连续漏极电流：14A€60A
类型：1个N沟道
反向传输电容：13pF@50V
导通电阻：7.8mΩ@10V，23A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBS9D0N10MC
工作温度：-55℃~+175℃
功率：3.8W€68W
阈值电压：3V@131μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.695nF@50V
连续漏极电流：14A€60A
类型：1个N沟道
反向传输电容：13pF@50V
导通电阻：7.8mΩ@10V，23A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLZ34NSTRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€68W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：25nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：880pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：35mΩ@16A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
