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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISC012N04LM6ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€125W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4600pF@20V
连续漏极电流：37A€238A
类型：N沟道
导通电阻：1.2mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF9640STRLPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W€125W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1200pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：P沟道
导通电阻：500mΩ@6.6A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISC012N04LM6ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€125W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4600pF@20V
连续漏极电流：37A€238A
类型：N沟道
导通电阻：1.2mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISC012N04NM6ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€125W
阈值电压：2.8V@747µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4600pF@20V
连续漏极电流：36A€232A
类型：N沟道
导通电阻：1.2mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISC060N10NM6ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€125W
阈值电压：3.3V@50µA
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2500pF@50V
连续漏极电流：15A€97A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@25A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS005N10MCLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€125W
阈值电压：3V@192µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4100pF@50V
连续漏极电流：16A€105A
类型：N沟道
导通电阻：5.1mΩ@34A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS005N10MCLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€125W
阈值电压：3V@192µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4100pF@50V
连续漏极电流：16A€105A
类型：N沟道
导通电阻：5.1mΩ@34A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISC012N04LM6ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€125W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4600pF@20V
连续漏极电流：37A€238A
类型：N沟道
导通电阻：1.2mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS005N10MCLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€125W
阈值电压：3V@192µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4100pF@50V
连续漏极电流：16A€105A
类型：N沟道
导通电阻：5.1mΩ@34A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISC012N04NM6ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€125W
阈值电压：2.8V@747µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4600pF@20V
连续漏极电流：36A€232A
类型：N沟道
导通电阻：1.2mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS005N10MCLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€125W
阈值电压：3V@192µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4100pF@50V
连续漏极电流：16A€105A
类型：N沟道
导通电阻：5.1mΩ@34A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS005N10MCLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€125W
阈值电压：3V@192µA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4100pF@50V
连续漏极电流：16A€105A
类型：N沟道
导通电阻：5.1mΩ@34A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF9640STRLPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W€125W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1200pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：P沟道
导通电阻：500mΩ@6.6A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISC012N04LM6ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€125W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4600pF@20V
连续漏极电流：37A€238A
类型：N沟道
导通电阻：1.2mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISC012N04NM6ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€125W
阈值电压：2.8V@747µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4600pF@20V
连续漏极电流：36A€232A
类型：N沟道
导通电阻：1.2mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISC012N04NM6ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€125W
阈值电压：2.8V@747µA
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4600pF@20V
连续漏极电流：36A€232A
类型：N沟道
导通电阻：1.2mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD11DP10NMATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€125W
阈值电压：4V@1.7mA
栅极电荷：74nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3200pF@50V
连续漏极电流：3.4A€22A
类型：P沟道
导通电阻：111mΩ@18A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF9640STRLPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W€125W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1200pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：P沟道
导通电阻：500mΩ@6.6A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS005N10MCLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€125W
阈值电压：3V@192µA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4100pF@50V
连续漏极电流：16A€105A
类型：N沟道
导通电阻：5.1mΩ@34A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISC060N10NM6ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€125W
阈值电压：3.3V@50µA
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2500pF@50V
连续漏极电流：15A€97A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@25A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD11DP10NMATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€125W
阈值电压：4V@1.7mA
栅极电荷：74nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3200pF@50V
连续漏极电流：3.4A€22A
类型：P沟道
导通电阻：111mΩ@18A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISC060N10NM6ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€125W
阈值电压：3.3V@50µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2500pF@50V
连续漏极电流：15A€97A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@25A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISC012N04NM6ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€125W
阈值电压：2.8V@747µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4600pF@20V
连续漏极电流：36A€232A
类型：N沟道
导通电阻：1.2mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD11DP10NMATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€125W
阈值电压：4V@1.7mA
栅极电荷：74nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3200pF@50V
连续漏极电流：3.4A€22A
类型：P沟道
导通电阻：111mΩ@18A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISC060N10NM6ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€125W
阈值电压：3.3V@50µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2500pF@50V
连续漏极电流：15A€97A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@25A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISC012N04NM6ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€125W
阈值电压：2.8V@747µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4600pF@20V
连续漏极电流：36A€232A
类型：N沟道
导通电阻：1.2mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD11DP10NMATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€125W
阈值电压：4V@1.7mA
栅极电荷：74nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3200pF@50V
连续漏极电流：3.4A€22A
类型：P沟道
导通电阻：111mΩ@18A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISC012N04NM6ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€125W
阈值电压：2.8V@747µA
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4600pF@20V
连续漏极电流：36A€232A
类型：N沟道
导通电阻：1.2mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISC012N04NM6ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€125W
阈值电压：2.8V@747µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4600pF@20V
连续漏极电流：36A€232A
类型：N沟道
导通电阻：1.2mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISC012N04LM6ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€125W
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4600pF@20V
连续漏极电流：37A€238A
类型：N沟道
导通电阻：1.2mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
