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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN7R006PL，L1Q
工作温度：175℃
功率：630mW€75W
阈值电压：2.5V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1875pF@30V
连续漏极电流：54A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@27A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN2R903PL，L1Q
工作温度：175℃
功率：630mW€75W
阈值电压：2.1V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2300pF@15V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：2.9mΩ@35A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
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输入电容：2300pF@15V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
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输入电容：1875pF@30V
连续漏极电流：54A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@27A，10V
漏源电压：60V
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输入电容：2300pF@15V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：2.9mΩ@35A，10V
漏源电压：30V
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输入电容：2300pF@15V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：2.9mΩ@35A，10V
漏源电压：30V
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输入电容：1875pF@30V
连续漏极电流：54A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@27A，10V
漏源电压：60V
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栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2300pF@15V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：2.9mΩ@35A，10V
漏源电压：30V
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连续漏极电流：70A
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连续漏极电流：70A
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输入电容：2300pF@15V
连续漏极电流：70A
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漏源电压：30V
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连续漏极电流：70A
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功率：630mW€75W
阈值电压：2.5V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1875pF@30V
连续漏极电流：54A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@27A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN7R006PL，L1Q
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功率：630mW€75W
阈值电压：2.5V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1875pF@30V
连续漏极电流：54A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@27A，10V
漏源电压：60V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：TPN2R903PL，L1Q
输入电容：2300pF@15V
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：2.9mΩ@35A，10V
漏源电压：30V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
阈值电压：2.1V@200µA
工作温度：175℃
栅极电荷：26nC@10V
功率：630mW€75W
ECCN：EAR99
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN2R903PL，L1Q
输入电容：2300pF@15V
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导通电阻：2.9mΩ@35A，10V
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连续漏极电流：70A
类型：N沟道
阈值电压：2.1V@200µA
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栅极电荷：26nC@10V
功率：630mW€75W
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN7R006PL，L1Q
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功率：630mW€75W
阈值电压：2.5V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1875pF@30V
连续漏极电流：54A
类型：N沟道
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漏源电压：60V
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功率：630mW€75W
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栅极电荷：20nC@10V
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输入电容：1875pF@30V
连续漏极电流：54A
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栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1875pF@30V
连续漏极电流：54A
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导通电阻：7mΩ@27A，10V
漏源电压：60V
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销售单位：个
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导通电阻：7mΩ@27A，10V
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工作温度：175℃
栅极电荷：20nC@10V
功率：630mW€75W
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