采购热线 400-661-9010
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD50P04P413ATMA2
工作温度：-55℃~175℃
功率：58W
阈值电压：4V@85µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：51nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3670pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：12.6mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：1615，"20+"：2451，"23+"：9336，"MI+"：2417}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD50N03S207ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：136W
阈值电压：4V@85µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：68nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2000pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：7.3mΩ@50A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD50P04P413ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：58W
阈值电压：4V@85µA
栅极电荷：51nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3670pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：12.6mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD50P04P413ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：58W
阈值电压：4V@85µA
栅极电荷：51nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3670pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：12.6mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD50P04P413ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：58W
阈值电压：4V@85µA
栅极电荷：51nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3670pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：12.6mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD50P04P413ATMA2
工作温度：-55℃~175℃
功率：58W
阈值电压：4V@85µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：51nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3670pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：12.6mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：1615，"20+"：2451，"23+"：9336，"MI+"：2417}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD50N03S207ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：136W
阈值电压：4V@85µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：68nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2000pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：7.3mΩ@50A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：2480}
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPD50N03S207GBTMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：136W
阈值电压：4V@85µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：46.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2170pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：7.3mΩ@50A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：1615，"20+"：2451，"23+"：9336，"MI+"：2417}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD50N03S207ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：136W
阈值电压：4V@85µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：68nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2000pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：7.3mΩ@50A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD50P04P413ATMA2
工作温度：-55℃~175℃
功率：58W
阈值电压：4V@85µA
栅极电荷：51nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3670pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：12.6mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD50P04P413ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：58W
阈值电压：4V@85µA
栅极电荷：51nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3670pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：12.6mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD50P04P413ATMA2
工作温度：-55℃~175℃
功率：58W
阈值电压：4V@85µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：51nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3670pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：12.6mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD50P04P413ATMA2
工作温度：-55℃~175℃
功率：58W
阈值电压：4V@85µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：51nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3670pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：12.6mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPD50N03S207GBTMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：136W
阈值电压：4V@85µA
栅极电荷：46.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2170pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：7.3mΩ@50A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"12+"：7456}
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPD50N03S207GBTMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：136W
阈值电压：4V@85µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：46.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2170pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：7.3mΩ@50A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：40055，"MI+"：8001}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD50P04P413ATMA2
工作温度：-55℃~175℃
功率：58W
阈值电压：4V@85µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：51nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3670pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：12.6mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD50P04P413ATMA2
工作温度：-55℃~175℃
功率：58W
阈值电压：4V@85µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：51nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3670pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：12.6mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD50P04P413ATMA2
工作温度：-55℃~175℃
功率：58W
阈值电压：4V@85µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：51nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3670pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：12.6mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD50P04P413ATMA2
工作温度：-55℃~175℃
功率：58W
阈值电压：4V@85µA
栅极电荷：51nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3670pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：12.6mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：2480}
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPD50N03S207GBTMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：136W
阈值电压：4V@85µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：46.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2170pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：7.3mΩ@50A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：1615，"20+"：2451，"23+"：9336，"MI+"：2417}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD50N03S207ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：136W
阈值电压：4V@85µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：68nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2000pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：7.3mΩ@50A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD50P04P413ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：58W
阈值电压：4V@85µA
栅极电荷：51nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3670pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：12.6mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD50P04P413ATMA2
工作温度：-55℃~175℃
功率：58W
阈值电压：4V@85µA
栅极电荷：51nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3670pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：12.6mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD50P04P413ATMA2
工作温度：-55℃~175℃
功率：58W
阈值电压：4V@85µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：51nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3670pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：12.6mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD50P04P413ATMA2
工作温度：-55℃~175℃
功率：58W
阈值电压：4V@85µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：51nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3670pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：12.6mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD50P04P413ATMA2
工作温度：-55℃~175℃
功率：58W
阈值电压：4V@85µA
栅极电荷：51nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3670pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：12.6mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD50P04P413ATMA2
工作温度：-55℃~175℃
功率：58W
阈值电压：4V@85µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：51nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3670pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：12.6mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD50P04P413ATMA2
工作温度：-55℃~175℃
功率：58W
阈值电压：4V@85µA
栅极电荷：51nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3670pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：12.6mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD50P04P413ATMA2
工作温度：-55℃~175℃
功率：58W
阈值电压：4V@85µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：51nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3670pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：12.6mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"12+"：7456}
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPD50N03S207GBTMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：136W
阈值电压：4V@85µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：46.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2170pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：7.3mΩ@50A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
