采购热线 400-661-9010
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN3R5-30YL，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：74W
阈值电压：2.15V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2458pF@12V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3.5mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK7214-75B，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：158W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2612pF@25V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@25A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IQE013N04LM6CGSCATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.5W€107W
阈值电压：2V@51µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3800pF@20V
连续漏极电流：31A€205A
类型：N沟道
导通电阻：1.35mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPZ40N04S53R1ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：71W
阈值电压：3.4V@30µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2310pF@25V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：3.1mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IQE013N04LM6CGSCATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.5W€107W
阈值电压：2V@51µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3800pF@20V
连续漏极电流：31A€205A
类型：N沟道
导通电阻：1.35mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN020-100YS，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：106W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2210pF@50V
连续漏极电流：43A
类型：N沟道
导通电阻：20.5mΩ@15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB15N50
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1850pF@25V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@7.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS4480
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.5W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1686pF@20V
连续漏极电流：10.8A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@10.8A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：60000，"MI+"：3000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN1R6-30MLHX
工作温度：-55℃~175℃
功率：106W
阈值电压：2.2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2369pF@15V
连续漏极电流：160A
类型：N沟道
导通电阻：1.9mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ420EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：45W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1860pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@9.7A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPZ40N04S53R1ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：71W
阈值电压：3.4V@30µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2310pF@25V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：3.1mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR15N20DTRPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€140W
阈值电压：5.5V@250µA
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：910pF@25V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：165mΩ@10A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD19P06-60L_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：46W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1490pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：P沟道
导通电阻：55mΩ@19A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD19P06-60L_T4GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：46W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1490pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：P沟道
导通电阻：55mΩ@19A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPZ40N04S53R1ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：71W
阈值电压：3.4V@30µA
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2310pF@25V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：3.1mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD19P06-60L_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：46W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1490pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：P沟道
导通电阻：55mΩ@19A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR15N20DTRPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€140W
阈值电压：5.5V@250µA
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：910pF@25V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：165mΩ@10A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN3R5-30YL，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：74W
阈值电压：2.15V@1mA
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2458pF@12V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3.5mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN3R5-30YL，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：74W
阈值电压：2.15V@1mA
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2458pF@12V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3.5mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ420EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：45W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1860pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@9.7A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB15N50
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1850pF@25V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@7.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK7214-75B，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：158W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2612pF@25V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@25A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK7214-75B，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：158W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2612pF@25V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@25A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD19P06-60L_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：46W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1490pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：P沟道
导通电阻：55mΩ@19A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD134N4F7AG
工作温度：-55℃~175℃
功率：134W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2790pF@25V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：3.5mΩ@40A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD19P06-60L_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：46W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1490pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：P沟道
导通电阻：55mΩ@19A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD19P06-60L_T4GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：46W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1490pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：P沟道
导通电阻：55mΩ@19A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD19P06-60L_T4GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：46W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1490pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：P沟道
导通电阻：55mΩ@19A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPZ40N04S53R1ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：71W
阈值电压：3.4V@30µA
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2310pF@25V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：3.1mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IQE013N04LM6CGSCATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.5W€107W
阈值电压：2V@51µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3800pF@20V
连续漏极电流：31A€205A
类型：N沟道
导通电阻：1.35mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
